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已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。以下是基本半导体自主研发的适用于1000V、1500V光伏逆变器系统的碳化硅肖特基二极管型号： 表1 基本半导体碳化硅肖特基二极管......
才能真正导通。 但肖特基二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图的测试电路在常温下对型号为SM360A的肖特基二极管进行导通电流......
基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC......
国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC......
过大而损坏。一般此处电流小选择肖特基二极管，可以选用东沃低压降系列肖特基二极管型号SS56。 3）瞬态抑制TVS二极管，主要用于防护各种过压波形和抛负载冲击，此处选择范围较大，车载24V系统......
/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用独特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI......
足在高温环境中的应用。 在LED电源的电路设计过程中，保护电路的设置是必不可少的，碳化硅肖特基二极管B1D02065E的反向重复峰值电压650V，正向重复峰值电流为2A，正向不重复电流为16A，具备更强的抗浪涌能力，在大......
的自适应同步整流无需外部续流肖特基二极管。该器件用外部低边MOSFET的导通电阻作为电流检测元件，无需电流检测电阻。这样可以在无需外部电阻的情况下，保护DC-DC电路，使其......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流......
。 与PN8213主控搭配的是PN8307P，内置100V/10mΩ智能MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，支持100V全集成同步整流，导通......
，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池......
满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。 基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
国芯思辰｜1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电;充电器与蓄电池有着密切的联系，充电器的好坏直接影响蓄电池性能和使用寿命。本文......
了现代汽车和工业应用持续增长的需求基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封......
电容的值也取决于终端电阻。如果75 Ω终端电阻与肖特基二极管并联，则耦合电容必须很大（~100 μF或更大）。如果终端电阻高，则为1 μF或更低的耦合电容是合适的。此电路有一个缺点，即由于二极管导通电流，同步......
提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。 符合汽车标准的肖特基二极管......
，器件正向偏压2V下电流密度达到180A/cm2，反向击穿电压高达1.3kV。 ▲图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管 （a）器件结构示意图。（b）具有不同JTE区域......
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。 肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管......
系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流......
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
TO247-4封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5 该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显著......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管的反向恢复电流......
的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及......
创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流......
汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。 这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流......
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例： 图6 浪涌电流控制测试用例 图7 测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载（和低电流......
（12V）或 10W（6V） 输出电压范围 5 至 14V 最大功率耗散： 10W （包括肖特基二极管的功率耗散） 典型压降值：2 至 2.75V（取决于负载电流） 最大电流：1.5A（内部......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕......
反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流......
控制测试用例 图 7.测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载（和低电流直流负载），可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管，如图 8 所示，以在......
后的器件实现了2.9 mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52 GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件正向偏压2V下电流......
体 (ms) 结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从 n 型半......
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成......
比较放大器、电压采样电阻、LX开关保护电路等。芯片外部只需要一个电感、一个输出电容和一个肖特基二极管就可以提供稳定的低噪声输出电压。该稳压器具有8μA的极低输入电流、低纹波、低噪声特性，效率可达到80......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P  DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650  V、10......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性; 器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
在变压器引线之间使用任何类型的布线。 开关变压器之间的PCB 切断 4、输出桥和相关的滤波器 输出电桥是一个大电流肖特基二极管，根据负载电流散热。在少数情况下，需要使用铜平面在 PCB 本身中创建 PCB 散热器。散热器效率与 PCB......
负载电路由于有储能电容的存在，并不会迅速掉电，这就导致了电流会将流入USB，加上肖特基二极管可以防止电流倒灌。 3. LDO RT9193-33电路设计 核心板考虑到体积要很小，所以我们采用小封装的LDO， 本设计采用RT9193......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品; 【导读】2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10......
，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管......
）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向......
关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。 ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向......
– 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型号，旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度，从而......
LTC5505数据手册和产品信息;LTC®5505-X 是一种用于 RF 应用工作频率范围为 300MHz 至 3.5GHz 的 RF 功率检波器。在一个小型的 5 引脚 ThinSOT 封装内集成了一个温度补偿肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕......

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