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互动易平台透露控股子公司重庆康佳光电技术研究院有限公司（以下简称‘重庆光电’）正在从事 Micro LED 相关的产品研发，其中会涉及氮化镓相关技术、2月20日康佳集团又对外放出消息称与雷曼光电签署战略合作预打造百亿能源互联网及服务器产业平台。经查，康佳......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料;据Business Korea报道，韩国科学技术研究院(KIST)在3月8日宣布，一个科研小组已经成功开发出一种新的化合物，可以替代用于生产蓝光LED的氮化镓......
成果发表于《Nature Communications》上。   （三）基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术 南京大学、厦门大学、合肥工业大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学联合攻关氮化镓......
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展;近日，广东省江门市生态环境局新会分局发布了“冠鼎半导体氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。 公告显示，冠鼎半导体氮化镓......
格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片;据金安发布消息，8月26日，安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会举行。本次格恩半导体共发布了十多款氮化镓激光芯片产品，包括蓝光、绿光及紫光等系列，这些......
了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代电力系统中的GaN（氮化镓）技术领导者，最近推出了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。该设计方案适用于LED照明、充电、微逆......
器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度LED以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势，其中高亮度LED、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造领域最为感兴趣和关注的。 国外在氮化镓体单晶材料研究方面起步较早，现在......
速度，驱动二极管、VCSEL或LED，而且具有小尺寸、低能量及低成本等优势。 由于氮化镓场效应晶体管及集成电路提供大电流脉冲、超窄脉宽及小尺寸，所以可以实现不昂贵并且高性能的激光雷达系统。窄脉......
年时的水平增加30倍。 在投资扩产碳化硅和氮化镓的同时，Cree也正在逐渐剥离照明和LED相关业务。2019年3月，Cree宣布将照明产品业务部Cree Lighting出售给家族企业IDEAL......
制定了新的发展规划，确定了公司发展的方向：一是持续发展主营业务，围绕着GaN LED芯片技术，巩固公司图形化衬底的行业领先地位。二是沿着蓝宝石上氮化镓技术进行横向的发展，开发蓝宝石上氮化镓的其他应用技术，同挖......
120亿元湖北三安光电项目一期正式投产 全部达产后年产氮化镓芯片161万片;4月20日消息，日前，湖北葛店三安光电项目第一批晶圆片正式投料，标志着湖北三安光电有限公司Micro LED和Mini......
投入量产的是激光雷达相关产品。 车规级功率器件，到底是用碳化硅还是氮化镓？ 目前业界一个常见的问题是，在汽车领域，到底是用碳化硅还是氮化镓？ 从应用方向来看，氮化镓器件目前主要有三个方向：LED......
，面向关键技术攻关方向，国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201; 【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓......
Porotech动态像素调整技术实现Micro-LED单像素可全光谱调色; 近期，Micro-LED和氮化镓（GaN）材料技术厂商Porotech将在美国DisplayWeek展会,发表......
材料用于制造半导体功率器件, 也可以用于制造射频元件和发光二极管（LED）。氮化镓技术展示出它可以在功率转换、射频及模拟应用中，替代硅基半导体技术。本文引用地址：氧化镓（Ga2O3）是镓最稳定的氧化物，是一......
-700V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与......
了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代电力系统中的GaN（氮化镓）技术领导者，最近推出了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。该设计方案适用于LED照明、充电......
获大基金二期投资，这家拟A股IPO半导体企业的氮化镓项目即将竣工;近日，东科半导体氮化镓项目迎最新进展。据马鞍山市政府消息，目前该项目已步入施工收尾阶段，预计3月底竣工交付。 微信公众号“马鞍......
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进;为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓......
PI开发的氮化镓子系统，如InnoSwitch™反激式电源IC、功率因数校正HiperPFS-5™器件和LytSwitch-6™ LED驱动器为例，指出......
功率范围内具有成本效益的设计方案新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择; 【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
亿美元 氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 加州......
PI推出900V氮化镓InnoSwitch3-AQ，加速取代12V铅酸电池;日前，氮化镓供应商Power Intergrations（PI）宣布推出集成900V氮化镓(GaN)InnoSwitch3......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统高可靠性、高性能氮化镓......
靠性的快充产品。 特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱，率先实现氮化镓控制芯片的自主可控，至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器，凭借成熟的高集成度GaN解决方案，已与多品牌达成深度合作，得到......
容量可以延伸至生长164片4英寸或72片6英寸晶片，主要用于氮化镓（GaN）基Mini LED外延片量产。Mini LED可被广泛应用于电视、笔记本电脑、平板电脑、桌面显示器、车载显示屏、户外......
可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。 从特性上看，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，大于GaAs（1.424eV）和SiC......
领域。IGBT是深爱的重点研发产品，主要应用于电磁加热和变频领域，目前深爱重点关注氮化镓及IGBT功率器件，进工业及车规级产品，预计2021年优先推动氮化镓和IGBT器件量产。 与众多同行相比，深爱......
效率可以达到五个点的提升。 产业链仍存挑战 实际上除功率元件，氮化镓亦可被用于光电子领域（如LED、高端激光）、射频领域（如5G基站中的射频放大器）。功率半导体领域主流的衬底类型是硅基氮化镓，代表......
应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光......
目前在LED市场上已批量生产。此外，1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、常关型的氮化镓平台。 TP120H070WS器件......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用 未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，的社会经济价值加速到来。本文引用地址：  本文介绍了镓未来和在方面的技术合作方案。 镓未......
%；期末存货净值较期初减少 1.86 亿元。 　　据了解，三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝......
国外的半导体公司仍占据核心地位，而面对确定的市场前景，国内的企业也蜂拥而至。 其中，LED产业集群是一支重要力量，因为在照明、显示等光电器件中，原本就需要使用氮化镓等材料，所以三安光电、华灿......
硅已进入全面增长阶段，汽车应用的全面采用预计将成为3年起市场快速增长的关键；氮化镓目前主要用于LED和LD等照明应用以及高频功率器件应用上具备优异特性，而现在它的问题在于大容量的大规模供应，GaN-on-GaN器件......
防、航天和高技术研究具有重要意义。 1.半导体照明（LED） LED行业属于技术推动的成长行业，核心技术为氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)/碳化硅(SiC)等化合物半导体的MOCVD外延......
万美元A轮融资 2022年2月，英国多孔氮化镓（GaN）半导体材料开发商和Micro LED技术提供商Porotech宣布完成2000万美元A轮融资。本轮融资由阿米巴资本领投，三星风投，弘晖......
半导体主要业务为研发、生产和销售蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片，数码用芯片，白光照明芯片，车灯用大功率倒装芯片，UVA紫光芯片等。 ⑥2.5亿！天富......
。 这里要特别说明一下氮化镓GaN材料。 镓是地球上存在的一种贵金属材料，大约排名第十左右，中国储量全球第一。作为三代半导体材料当家花旦的氮化镓,近二十年来，由于LED照明产业的发展推动，已成......
后，英飞凌在第三代半导体领域的业务版图变得更加全面； 2023年2月，韩媒报道，韩国LED厂商Lumens已成为氮化镓材料商Soft-Epi的最大股东。据悉，Soft-Epi在2022年5月成......
报道，韩国LED厂商Lumens已成为氮化镓材料商Soft-Epi的最大股东。据悉，Soft-Epi在2022年5月成功开发了红色GaN外延片，同年6月又宣布Micro LED用红色GaN外延......
价比的要求，可广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。 从特性上看，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，大于GaAs（1.424eV）和......
Toshiba Electronics Corporation，一家位于日本北部的分立器件产品制造工厂）的全新生产线中。 采用东芝和普瑞公司的全新硅上氮化镓（GaN-on-Si）技术生产LED芯片......
套深港科技创新合作区正式启动。至今，深圳应科院已开展多个项目的研发及测试，主要围绕第三代半导体和新一代通讯技术领域，建立三个技术平台，包括氮化镓高端电源技术开发及测试平台、碳化硅智能电力系统开发及测试平台、智慧......
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......

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manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
深圳市希奇电子科技有限公司
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
瀚升科技有限公司
;瀚升科技有限公司;;美国CREE（科锐）为半导体与LED照明方案的著名制造商和行业领先者。CREE在LED照明产品的优势在于拥有氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）等独
湘能华磊光电股份有限公司
照明等 , 华磊光电之Green LEDs ，已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨，与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓
triquint-semiconductor
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
山东佛都半导体照明有限公司
期主要从事外延片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
深圳市瑞光科技有限公司
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
深圳市科莱特电子有限公司
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs