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全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......
积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
司提供6英寸产品为主时，英诺赛科已切入8英寸领域。 早在2017年底，英诺赛科珠海制造工厂建成投产，成为中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆......
赛微电子：上半年MEMS晶圆平均售价上涨至约为3600美元/片;8月26日，赛微电子公布了最新的投资者关系活动记录表。记录表中，赛微电子介绍了公司MEMS芯片晶圆价格的变化趋势以及在氮化镓（GaN......
国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓晶圆......
和12英寸晶圆。 然而，制造尺寸大于4英寸的氮化镓单晶晶圆一直都面临挑战。为此，大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种8英寸的多点籽晶（MPS）衬底，并在衬底上生长出对角线长度略低于8英寸的六方氮化镓晶......
中心和汽车应用提供8英寸氮化镓晶圆代工服务。 随着世界范围消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求增长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，行业寄希望于碳化硅、氮化镓......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
幅度逐年收窄 英诺赛科开创行业先河，成为全球首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，并且独一无二地拥有提供全电压谱系硅基氮化镓......
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。 受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶圆......
机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系......
能上看，硅基氮化镓明显高于硅基氮化镓，但价格也较高。而硅基氮化镓的成长速度较快，比较容易扩展到8英寸晶圆；且目前工艺水平制造的器件已能达到 LDMOS原始功率密度的5-8倍，在高于2GHz的频率工作时，成本......
技术在汽车电气化领域的运用。 GaN系统公司首席执行官Jim Witham也表示，氮化镓晶体管是功率系统技术的未来。这种材料有助于功率电子器件体积更小、运行更高效、价格......
资金近14亿港元，募集资金金额13.02亿港元。根据规划，英诺赛科募集资金将主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、研发及扩大产品组合、扩大氮化镓产品的全球分销网络等。 据英......
功率半导体领域的龙头企业正式进入资本市场，并成为港股“第三代半导体”第一股。 公开资料显示，英诺赛科成立于2017年，致力于氮化镓功率半导体行业的发展，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆......
赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能; 【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访，透露将扩大在日氮化镓晶圆......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
制造能力等方面均处于绝对优势。 我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆......
巩固领先优势作为最新一代半导体材料之一，氮化镓技术及其工艺复杂，具备较高的进入壁垒。英诺赛科凭藉在氮化镓核心技术和关键工艺上的突破，在行业内建立了稳固的先发优势。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
厂商芯联集成披露了2024年上半年业绩电话说明会相关内容。会上，芯联集成表示，其将增加氮化镓产品线，来满足新应用的需求。 值得一提的是，英飞凌近日宣布已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。英飞......
是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。 报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 据悉，氮化镓......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年，Intel在硅和氮化镓......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶......
投资3.45亿美元，MACOM扩建氮化镓晶圆厂;1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆......
投资25.24亿元，射频厂商扩建氮化镓晶圆厂;1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆......
资本等跟投。据介绍，本轮融资资金将主要用于吴越半导体氮化镓自支撑衬底的研发与扩产。 公开资料显示，吴越半导体成立于2019年3月，是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片......
共封装器件生产线。该项目建成并实现量产后，可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片，年产值可达到12亿元。 报道显示，去年11月，灿科半导体功率器件项目签约落地徐州高新区电子信息产业园内，由广......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货; 【导读】瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
书中，英诺赛科表示，公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。 英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆......
器件量产线。 随后，为了满足快速增长的电力需求，2020年9月，英诺科技在苏州开设了新工厂。 2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓芯片生产线正式量产。  目前，英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆......
赛科表示，公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆及模块，应用......
引用知情人士的说法指出，三星电子在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 9月，东科......
中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 9月，东科半导体与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。该研发中心将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓......
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
提供6英寸氮化镓晶圆代工服务，生产CMOS 制程的二极管、MOSFET 以及滤波器等。多年前联电将旗下6英寸厂转给联颖光电。在2021年下半年开始，联颖光电业绩持续上升。市场......
商务部宣布计划向格芯提供15亿美元的直接资助，用以扩大其在美国的氮化镓晶圆厂产能。 业务进展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家......
第四代半导体技术迎新进展; 第四代半导体是指以氧化镓、氮化......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
国际最高水平。此外，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。浙大杭州科创中心也首次采用新技术路线成功制备2......
，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆。 国际首创！浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称，使用......

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