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丰田合成在此前制造6英寸氮化镓单晶晶圆基础上，又一次实现氮化镓单晶晶圆尺寸突破。 据悉，与使用采用硅基氮化镓工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于8英寸......
功率器件，在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数，助力实现更高效的功率管理系统。根据市场研究机构Yole Développement最新报告，全球......
平台开发。 报道称，东部高科目前正同步推进碳化硅和氮化镓工艺研发，氮化镓的8英寸工艺开发已经铺开，计划在2-3年内完成，而碳化硅方面，该公司目前正开展6英寸工艺研发。 报道还透露，东部......
第三代半导体的材料、外延、封测、器件、设备等行业上下游，实现产业集聚，推动产业升级。 该项目将购置20台至30台MOCVD设备，建设全球领先的8英寸氮化镓工厂，结合上下游的衬底、封测、设备等，成为国内领先的氮化镓......
%；瀚天天成，认缴出资977.2万元。 5、全球最大氮化镓工厂进入量产阶段 2020年9月，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意......
3、器件制造流程 下图是蓝宝石衬底耗尽型氮化镓HEMT器件制造的简化流程，硅基衬底的氮化镓HEMT器件工艺流程类似。 第一步是第一张光罩，是做平台型的隔离蚀刻；第二步，第二......
目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试......
功率芯片的发明以及2015年首个氮化镓工业芯片工艺设计工具包的发明……这些发明不止是代表纳微的行业地位的力证，也展现了纳微产品性能和竞争优势。 查莹杰自豪地说：“纳微是全球首家在7年内从初创做到上市，且企......
主要为电源管理IC。 芯导电子芯片产品的工艺流程 招股书披露，芯导电子主要产品的应用领域聚焦于以手机、TWS、平板电脑为主的消费类电子领域，并形成了多种产品系列，进入了小米通讯、TCL、传音......
司拥有了全面实施规模扩张战略的资本，并显著提高了新一代碳化硅基氮化镓工程外延片的生产能力。与此同时，SweGaN还致力于通过新的研发计划继续创新，并深化与供应商和客户的合作关系，以建......
），小信号增益为25dB，功率附加效率为27%。该器件采用Qorvo的0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15)，并且提供完全匹配至50Ω的DC接地I/O端口，其输入和输出端口均带有片上DC阻断......
3月，BelGaN还宣布他们的“BEL1 650V eGaN 平台”已获得多个主要客户的订单并准备批量生产，并计划扩大其氮化镓工厂。 然而，尽管BelGaN在氮化镓技术上取得了进展，并在......
，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程，这些新器件提供低导通电阻RDS(on)，与竞争对手产品相比减小了60%以上，它们......
)。这些开关管可用于多种电源转换应用，如电流源型逆变器、变频器用于驱动器和微型逆变器、矩阵式开关和固态断路器等新型应用。此项计划的开展得益于Transphorm深厚的氮化镓工程专业知识（特别是其双向氮化镓......
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案; 随着集成度的提高，雷达模块成本不断下降，相比砷化镓工艺雷达，硅锗工艺雷达成本能下降一半，而加......
Balu Balakrishnan此前就在公开场合说过，PI实际上投入过数千万美元进行碳化硅的研究，但最终还是转向了氮化镓。 Jason解释道，氮化镓可以使用硅基工艺，同时晶圆尺寸更大，相比......
双极器件相比，它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能，在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款高功率和高效率解决方案，在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料，具备极高的高性价比。”Qorvo高功......
代工能力。” 此外，“基于常开型 GaN HEMT 技术，公司研发技术团队还完成了器件不同技术路线工艺流程的开发；针对GaAs无源器件模型，开发了无源器件成套工艺，完成薄膜电阻、平板电容、螺旋......
就有客户表示，氮化镓材料非常好，但是没法用，因为当时产线还处在手工作坊的做法。所以他们对我们提出了设备自动化的要求，这样才能和现有的器件在工艺流程上进行竞争。于是我们很早期的时候就进行了氮化镓设备的研发，之后......
公司，该公司的氮化镓技术研发专长和在广泛的高功率、高频率工艺流程方面的领先地位为其赢得了美国国防部先进研究项目局(DARPA) 的许多合同，包括最近与该局的Near Junction Thermal......
块设计人员要在毫米波频率上把多种半导体和 III-V 工艺结合在一起，就需要对多芯片组装、模块级互连和功率做出全盘考虑。为了改善发热、良率和半导体性能，毫米波功率放大器要与其他部件分开构建。此外，采用氮化镓工艺的功率放大器能够处理比硅工艺......
物半导体细分应用及说明 化合物射频器件应用器件工艺分布图 化合物射频器件应用相关信息 （2）工艺独特，产业链自成体系 化合物半导体工艺独特，需要专门的制造产线。 普通硅工艺集成电路和砷化镓/氮化镓等化合物集成电路芯片生产流程......
宽禁带半导体，适合高压、大电流的应用场景，近年来受到新能源汽车、光伏储能等行业影响，市场增速极快，国内SiC产业也在2021年～2022年得到迅速发展。但SiC衬底硬度高、脆性大，给抛光带来了极大难度。而抛光后因其晶圆和机台的清洗工艺流程......
块设计人员要在毫米波频率上把多种半导体和 III-V 工艺结合在一起，就需要对多芯片组装、模块级互连和功率做出全盘考虑。为了改善发热、良率和半导体性能，毫米波功率放大器要与其他部件分开构建。此外，采用氮化镓工艺的功率放大器能够处理比硅工艺......
块设计人员要在毫米波频率上把多种半导体和 III-V 工艺结合在一起，就需要对多芯片组装、模块级互连和功率做出全盘考虑。为了改善发热、良率和半导体性能，毫米波功率放大器要与其他部件分开构建。此外，采用氮化镓工艺的功率放大器能够处理比硅工艺......
以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国......
量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。 ......
Yole报告中展现其放缓脚步的一面，但事实上，氮化镓正不断扩大其应用，并在近两年内有望不断突破。原因在两方面：一是氮化镓与原有硅代工路线极为相似，但氮化镓工厂产能扩充不是问题，二是碳化硅大功率优势氮化镓......
誉鸿锦半导体GaN技术发布会，携Super IDM模式推动产业效率革命; 2023年10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆）正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023......
（GaN）外延工艺全球研发中心，开发8寸先进GaN外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。 此外，麻省光子技术还将在创新园设立全港首条超高真空量产型GaN外延......
贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低; 第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大; 第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突......
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命;10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023......
径的硅晶片。 此外，目前8英寸硅的设备及流程较6英寸硅更为成熟高效，8英寸氮化镓的生产更具竞争优势。在全球其他氮化镓功率半导体公司如EPC、英飞凌、纳微半导体、Power Integrations等公......
技术的各个方面，包括材料、设计和工艺等等。我们期待ECLIPSE项目能够顺利开展，以增强我们提供先进氮化镓外延片的能力。” 该合同的投标流程由National Security Technology......
方案开发。池州新闻此前消息显示，睿成微电子建成该市首条QFN高端封测生产线，设计出具有自主知识产权的基于砷化镓工艺的射频功率放大器（RFPA）系列芯片。 封面图片来源：拍信网......
在工业产业化方面具有较高的价值和优势。 根据西安邮电大学介绍，该新型半导体器件与材料重点实验室拥有大约 30 余人，具备完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓......
渗透率依然低的原因，并不是很多人所认为的氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。因为规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上。 只有从第一性原理出发，搞清楚氮化物半导体的材料原理才能实现正向的研发和工艺......
Room: 305A 无线通信里的信号链创新解决方案 Zhang Yong, ADI Room: 307A 一种适用于高频收/发MMIC芯片的高输出功率、低噪声系数硅基氮化镓工艺......
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。 ▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同......
相应波长的紫外线，这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。 在制备技术方面，氮化铝镓已经具备了一定的积累。 “氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD（金属有机物化学气相沉积），在工艺、设备......
电对该晶圆厂的资本支出金额、工艺制程制造能力、以及晶圆产能都进行了升级...详情请点击 英诺赛科完成30亿融资 据微信公众号“钛信资本”2月16日消息，近日，国内第三代半导体硅基氮化镓......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战 作者：半导体工艺......
外延片生产线具有气源预处理功能，核心反应腔内对温场、流场均匀性强化控制，加入应力翘曲模型，更加适合大尺寸氮化镓材料生长。同时自动化控制、监测、分析平台，可快速优化外延片生长工艺，缩短工艺调整周期。经过抗压测试和材料生长结果表明，设备具有很好的稳定性和工艺......
（GaN-on-Silicon）工艺技术结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。 2023年，罗姆采用台积电650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™......
怎样设计SMT(表面组装)工艺流程？; 表面组装印制电路板组件（Print Circiut Board Assembly，PCBA）的焊接，主要有再流焊接和波峰焊接两种工艺，它们......
芯片领域的科技新格局。 刑艳指出，目前，氮化镓半导体芯片项目的车间装修、机电设备安装等收尾工程已经完工，在高新区管委会的协助下，企业定制的工艺设备陆续运输、安装到位。预计5......
的功率半导体在工业、汽车、消费类、计算和通信应用中迅速获得采用，涵盖AI系统的电源、太阳能逆变器、充电器、适配器以及电机控制系统。 先进的氮化镓制造工艺提高了设备性能，它实现了更高的效率性能、更小......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;本文引用地址： ●   介绍 随着技术推进到及更先进节点，将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小......
美之外，多家碳化硅头部企业不约而同披露了最新扩产计划。 如Wolfspeed宣布将建造世界上最大的碳化硅材料工厂，旨在将公司在北卡罗来纳州的碳化硅材料的产能提高10倍以上；英飞凌位于马来西亚的碳化硅和氮化镓工......

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