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半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面; 没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头，接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜，而且......
（Samsung）和格罗方德（GlobalFoundries）这几个行业大佬，在争取大客户方面更是用尽浑身解数，明争暗斗得不可开交。总的来说，眼下的半导体制造之争，主要表现在两方面：一是工艺技术，即FinFET和......
”的实施主体，该项目总投资90.59亿美元，工艺技术水平为14纳米及以下，规划月产能3.5万片，是中国大陆第一条FinFET工艺生产线，也是中芯国际14纳米及以下先进工艺......
-SOI的成本将和28nm HKMG成本相近，而工艺继续向下的话，FD-SOI的成本将显著低于FinFET。比如，16nm FinFET芯片的成本比18nm FD-SOl芯片高20%；7nm......
客户只是追随节点进步，围绕每个节点技术开发产品。但是今天，继续走这条道路的客户已经不多，特别是在引领市场的工艺从传统的平面工艺转移到了16nm/14nm及更高级节点的finFET之后，能进入新工艺的客户更少了。 开发最先进节点芯片的公司需要有前沿工艺......
，市场规模 369 亿美元，未来其份额将逐步由 3 纳米所取代。他表示，“随着 14 纳米 FinFET 工艺的推出，三星电子已经上升到代工市场的第二位。” 据称，3 纳米......
英特尔所定义的那样，finFET 有望延展到 5nm 节点。（一个完整延展的 5nm 工艺大致相当于代工厂的 3nm）。不管这些让人困惑的节点名称是啥，finFET 很可能将在 fin 宽度达到 5nm 时寿......
的新的晶体管设计方法就是我们所熟知的FinFET。2012年，FinFET工艺的第一次量产为全球半导体行业的发展注入了一剂强心剂。在之后的数年之内推动了22nm工艺的出现。 可以说，FinFET是过......
式场效应晶体管）。张晓强指出，CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）架构后，下一个全新的晶体管架构。从14nm导入三维FinFET......
进入新的时代。众多大名鼎鼎的企业诞生，华人在芯片历史上分量其实很重。 FinFET 与华为的故事 商业的世界里，他与华为的链接不容忽视。简单看，当传统的半导体工艺在 20 纳米制程走到尽头时，胡正......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？; 1999年，胡正明教授在美国加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局（DARPA）出资赞助的研究小组，当时他们的研究目标是CMOS技术......
要通孔的区域则可在金属沉积前覆盖绝缘间隔结构。 03 电阻结果与结论 随后，我们测量了大马士革流程和PVD两种工艺下，最顶层金属到FinFET结构P和N沟道通孔的线电阻。图4展示P和N通道电阻测量的起点和终点（其他所有绝缘材料透明）。为弥......
直接选择了三星的14nm FinFET工艺，借助后者丰富的经验和成熟的工艺突围。未来IBM与Global Foundries在FinFET技术......
三星正式宣布量产10nm芯片！业界第一;三星今天在首尔宣布，正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一，也就是领先台积电和Intel。 去年，三星......
带来更大的挑战。由于难以保障工艺的稳定性，漏电现象会愈发明显，功耗也会变大。 也有声音称，此次5nm芯片出现功耗问题，意味着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺......
年量产。本文引用地址：与3nm工艺相比，工艺会有重大技术改进， 放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管， 后者是面向甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸。 相比3nm工艺，在相同功耗下， 2nm......
经理兼高级副总裁 Thomas Morgenstern 随着格芯在不久前宣布停止开发7纳米FinFET工艺，全球主要芯片制造厂商中，只剩下台积电、三星......
迅速在2015年量产，更在去年成功将工艺改进到28nm HKMG，与联电处于同一水平。 联电眼下14nm FinFET工艺进展缓慢，导致它未能在去年底成功量产，最终只能在厦门的12寸晶圆厂引入40nm......
2017年开始开发适用于3纳米级工艺的GAA晶体管。随后，在2022年开始使用世界上首个3纳米GAA MBCFET™工艺进行大规模生产。 三星表示，相较 FinFET，MBCFET 提供......
着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺结构，有望提前被用在5nm芯片中。 自英特尔于2011年首次推出基于FinFET结构的22nm工艺以来，FinFET工艺......
Incorporated（今日宣布，其子公司QualcommTechnologies, Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺......
中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展; 近日，合肥工业大学系统结构研究室边缘性缺陷测试研究团队提出一种可用于6T SRAM（FinFET工艺）自热效应表征方法并在基于FinFET的高......
三季度进一步扩大销售计划。 FD-SOI有什么优势 FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）工艺也是FinFET工艺技术发明人胡正明教授发明的工艺技术，FD晶圆由氧化埋层（BOX）和BOX之上......
研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。 该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将......
转变为新的子公司。 如此一来，世界上能玩得起7nm的只剩下三星、台积电和英特尔。 其中台积电率先推出7nm FinFET技术，并计划今年年底，将有超过50家客户产品推出。另一个工艺激进派三星，在今年4月份......
进制程领域赶超晶圆代工龙头企业台积电。与当前的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。 稍早之前，台积......
10nm加持！高通旗舰处理器宣布：骁龙835;今天，高通官方宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗舰处理器：骁龙835。 高通表示，与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺......
布的时程大致相同。 三星3纳米工艺技术预计有两种型号3GAAE和3GAAP，基于纳米片结构设计，鳍中有多个横向带状线。此纳米片设计被研究机构IMEC当成FinFET后续产品而有大量讨论，并由IBM与三......
降低芯片运算功耗与操作温度。 目前，台积电、三星在5nm/7nm工艺段都采用FinFET结构，而在下一世代的晶体管结构的选择上，台积电、三星却出现分歧。 台积电总裁魏哲家在法说会上表示，3nm的架......
要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%，缩短交货期10%，这两大优点可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低，还可以缩小面积节约成本。 与FinFET技术......
导体工厂，预计在 2018 年量产采用 16 纳米 FinFET 工艺。这对中芯国际是最大的威胁，因为中芯国际同样在研发 14 纳米 FinFET 工艺，并希望能在 2018 年投产以与台积电一决高下。 为了......
的新工艺经常炸雷，已经坑过AMD多次，但除了它AMD也没有太多选择，只能一路风雨同行。 14nm工艺世代，GF原本计划自己研发，可惜进展不顺，最终选择直接获得三星14nm FinFET的授权，这才......
部分厂商还在研究22nm的FinFET工艺时，英特尔已经推进到了14nm工艺。在芯片行业的推进上，英特尔可以说是独步天下。 从2007年的45nm工艺，到2009年的32nm工艺，到2011年的22nm工艺，再到2014......
于提供领先的Signoff工具链，促进芯片设计和制造的协同与创新。行芯在上海、杭州设有研发中心，是国内唯一通过三星FinFET先进工艺认证的Signoff工具企业。 2021年，行芯......
现在28nm 工艺的营收比例也不过21% ，主力还是40nm 工艺。在FinFET 节点上，台积电选择了16nm ，联电跟三星一样都是14nm FinFET 工艺，不过量产时间要晚得多，要等到2017......
首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）”。 三星 3nm 技术之所以如此备受期待，是因为它实现从 FinFET 到 Gate-All-Around 晶体管架构的转变。据称，SF3......
要特点： （1）字线超速型辅助电路，这需要的FinFET器件的功能优势，实现了低电压高速运行 由于增加的变化与更精细的特征尺寸在半导体工艺相关联的设备元件，出现......
才分别用16nm FinFET+和14nm FinFET量产A9，等了6个月，14nm的表现还不理想），华为这种谈判能力有限的要等三个季度以上比较合适。像高通和三星手机这样把量产节点定在新工艺上线3个月......
家都认为FinFET在3nm节点上仍有性能挖掘的潜力。从台积电的计划表来看，2nm GAAFET晶体管的大规模量产大约是在2025年末。所以GAAFET可说是尖端制造工艺的未来。 哪些芯片会受到影响 对于......
传联发科将采用FD-SOI工艺生产手机芯片; 来源：内容来自digitimes ，谢谢。 近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部......
最让人期待的是S8的新处理器，毕竟手机处理器是衡量手机性能的基本。 　　 　　三星发表的声明（图片源于网络） 　　近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星......
2024年量产，Intel18A工艺将于2025年推出。而在2纳米节点时，英特尔将由FinFET工艺转向其称为RibbonFET的GAAFET晶体管。 此外，据外媒消息显示，英特尔四处寻求合作加强工艺......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET; 最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。 水平纳米线围栅晶体管是FinFET技术......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET; 最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。 水平纳米线围栅晶体管是FinFET技术......
台积电：我们的10nm没问题; 版权声明：本文来自威锋网，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。 三星和台积电都在积极完善自家的 10nm 制作工艺，但三星似乎已经抢先一步了，不过......
数周的手动迭代时间。 ●   新思科技可互操作工艺设计套件（iPDK）适用于台积公司所有FinFET先进工艺节点，助力开发者快速上手模拟设计。 ●   新思科技携手Ansys 和 Keysight 共同......
数周的手动迭代时间。 • 新思科技可互操作工艺设计套件(iPDK)适用于台积公司所有FinFET先进工艺节点，助力开发者快速上手。 • 新思科技携手Ansys 和 Keysight 共同......
Bulk FinFET和SOI FinFET 关于《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》 ： 《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》一共五章内容，第一章介绍集成电路工艺......
三星3nm芯片将于Q2开始量产，压力给到台积电、英特尔？;近两年台积电、三星、英特尔在先进制程领域持续发力，而台积电和三星近期3nm节点工艺成果惹人注目。 三星 3nm芯片将于Q2开始......
出乎一些人预料，3nm的良率并不是很理想。 因此，苹果基于3nm的A17处理器无法达到最激进的性能目标设定，不得不小缩水。 虽说过去台积电的制程工艺鲜有失手，但3nm时代一个不得不面对的问题是，微观......

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