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详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
址,第二功能:用于系统扩展
P3:常用第二功能
1. P0
1.1 构成
1个输出锁存器(D型触发器)
2个三态缓冲器(控制读引脚或读锁存器)
1个输出驱动电路(1对场效应晶体管FET构成)
1......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
放大管采用双极型FET场效应管,此线路每声道为4对,并联使用,降低输出阻尼系数。此线路输出功率为50W,欣赏大动态音乐足够。每声道为4对时,如果配对比较困难,可采用2对,配对误差要求在3%以内。各管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11 15:11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标,现已按照功率级别划分(2022-12-19)
转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)发布了氮化镓功率场效应管(FET)的最新可靠性指标。可靠性采用失效率(FIT)来衡量,这种......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标,现已按照功率级别划分(2022-12-19 09:43)
转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)发布了氮化镓功率场效应管(FET)的最新可靠性指标。可靠性采用失效率(FIT)来衡量,这种......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%,在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路,主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%,在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路,主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
Nexperia首次亮相第三届中国国际进口博览会(2020-10-29)
快速发展的国内电动车市场和客户对氮化镓(GaN)器件日益增长的需求,Nexperia重点向观众推介了650 V硅基氮化镓场效应管器件。新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用,可在......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难?试试这两个器件(2023-03-29)
运行效率高得多。
本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理,展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势,介绍Nexperia的实际案例,并对其应用进行了讨论。
01......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,应用广泛,MOSFET一般称。
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
占空比可调的PWM信号,控制NPN三极管5551的通断,最终实现对场效应管通断的控制,达到电流控制的目的。同时CPU实时检测当前电流值,并根据实时电流值闭环调节PWM信号的占空比,从而......
Nexperia推出全新电平转换器以支持传统和未来的手机SIM卡(2022-06-23)
生产大批量基础半导体二极管件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFETs、氮化镓场效应管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
晶体管大大减少铝片所散出的热量,从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说:"氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势,从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
晶体管大大减少铝片所散出的热量,从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说:"氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势,从而......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
晶体管大大减少铝片所散出的热量,从而进一步节省系统成本。
宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说:"氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势,从而......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
驱动氮化镓(GaN)场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:其结......
MCS-51 单片机的硬件结构(2022-12-12)
输出的驱动和控制电路,由两只场效应管(FET)组成,上面的场效应管构成上拉电路。
P0口传送地址或数据时,CPU发出控制信号为高电平,打开上面的与门,使多路转接开关MUX打向上边,使内部地址/数据线与下面的场效应管......
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),采用芯片级BGA封装,其外......
MCS-51单片机指令系统(4)(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号,必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行,否则当场效应管导通时,P1口引 脚上将永远为低电平,无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止,就是用指令给P1口的相应位送一个“1”电平,这就......
中继续提供业界最高的阈值电压(4 V)。此项目预计将在一年内完成。 真正双向氮化镓开关创新的重要意义 Transphorm的标准横向氮化镓场效应管(FET)器件本身即可提供双向电流。然而,某些应用(如电......
相关企业
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装: SOD-523、SOT-523
;深圳市福田区新亚洲电子市场诚信沅电子商行;;本公司主要经营三极管等。公司秉承"顾客至上,锐意进取"的经营理念,坚持"客户第一"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾! MOS、FET场效应管
:SOP-8 四 DIP、SMD、 〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管〉、 封装: SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6
管、场效应管、达林顿管,MOS、FET场效应管、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、集成IC,高压电容,电容,电感,光藕,发光管,瓷珠,电阻等贴片电子元器件
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet,IGBT,东芝Toshiba的场效应管mosfet,光耦TLP系列。
;结型场效应管 蒋德平;;深圳市六度丰电子有限公司位于广东 深圳市龙岗区,主场效应管中环(环鑫品牌HX)\(韩国WISDOM) (国宇GF)与二三极管等。公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等,尤其在三极管、场效应管和可控硅
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管
;场效应管;;
;结型场效应管 柯永俊;;