奈梅亨，2023年12月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia的创新型CCPAK封装采用了Nexperia成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25℃时仅为33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效体二极管导通压降。

Nexperia副总裁兼GaN FET业务部总经理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻认识到，工业和设备的设计人员需要一种高度稳健的开关解决方案，以便在进行功率转换时实现出色的热效率。因此Nexperia决定将其级联GaN FET的优异开关性能与其CCPAK封装的优越热性能结合起来，为客户提供杰出的解决方案。”

Nexperia不断丰富其CCPAK产品组合，目前已推出顶部散热型33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快还将推出底部散热型版本GAN039-650NBB，其RDS(on)与前者相同。