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第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元(2021-11-10)
规模排名第二，预计将以9.5%的年复合增长率增长至3.93亿美元。第三是MBE市场，预计到2026年将以7.1%的年复合增长率增长，达到6800万美元。
不同衬底材料的外延生长......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
果近日发表于国际学术期刊《自然》。
论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维材料体系的外延生长......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。
在β......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。
本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷。
SiC 晶片中的缺陷通常分为两大类：
· 晶片内的晶体缺陷
· 晶片......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
体到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
体到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
器件优先工艺颇具前景，通过表面活化法在室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其界面热导已与外延生长法制备的水平相当。然而，室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其高温下的热稳定性研究尚不彻底，而该稳定性对后续器件的外延生长......
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用(2023-03-31)
化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台。
同时，先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长......
SiC和GaN的供应链考量(2024-07-24)
板的可用性、缺陷密度和外延生长技术对于持续的研发至关重要。
成本高昂是主要的采购问题，GaN和SiC的生产成本明显高于Si，主要是由其生长工艺的复杂性决定的。例如，高质量GaN和SiC所需的外延生长......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
的方法，实现了低应力、低位错密度的高质量GaN薄膜的外延生长，并揭示了石墨烯在界面处降低外延层中穿透位错密度的机制。研究发现石墨烯可以部分屏蔽衬底势场，衬底......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
片市场开展新一轮的调研与分析，发布最新研究报告《2022年中国硅外延片市场研究报告》，该报告预测，2025年全球硅外延片市场总规模将达到109亿美元。
硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长......
盛美上海等多家厂商迎突破，碳化硅设备国产化加速！(2022-07-20)
了小尺寸SiC单晶片的激光剥离。目前，这一研发项目已通过专家论证，正式立项启动，下一步将研发快速生产化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。
纳设智能在今年2月成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于碳化硅芯片生产的外延生长......
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线(2024-07-15)
微纳院半导体微纳加工中试平台通线，二期产业孵化区正式封顶，一批半导体项目现场签约。
资料显示 ，广东微纳院是由佛山市、南海区两级政府共同建设，中国科学院苏州纳米所支持的广东省省属事业单位，建设半导体材料外延生长......
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
半导体重点展示了4/6英寸SiC外延片产品，及其子公司南方半导体的SiC功率器件/模块产品。
天域半导体是全球SiC外延片的主要生产商之一，以先进的SiC外延生长......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
有多层无机薄膜，顶部是一个二氧化硅（SiO2）键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。
这种技术使得可以在300mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。
信越......
聚焦碳化硅业务，露笑科技剥离非主营业务(2021-03-26)
合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产。目前，该项目已于2020年11月正......
上海合晶冲刺IPO，拟募资超15亿元加码半导体硅外延片(2024-01-25)
合晶是中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，主要产品为半导体硅外延片。发行人致力于研发并应用行业领先工艺，为客户提供高平整度、高均匀性、低缺陷度的优质半导体硅外延......
研制装备实现国产化，湖南半导体技术攻关取得突破(2023-07-27)
顺利通过综合验收。
报道称，“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC（碳化硅）外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定......
晶升股份8英寸碳化硅长晶设备交付重庆某客户(2024-08-09)
了批量交付进程。
2023年6月，晶盛机电宣布成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备。据介绍，该设备可兼容6/8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺......
天岳先进、天域半导体等碳化硅大厂迎最新动态！(2024-07-08)
炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；（IV）于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。本发明的碳化硅外延片的生长......
晶盛机电披露碳化硅进展(2024-03-08)
晶盛机电披露碳化硅进展;近日，在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式外延生长......
晶盛机电披露碳化硅进展(2024-03-08)
研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。
晶盛......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料......
中电化合物与韩国Power Master公司签署战略合作协议(2023-06-20)
江省首个第三代半导体项目，总投资10.5亿元，规划建设年产7万片6吋SiC同质外延片生产线，和年产1万片GaN外延片生产线；包含SiC晶体生长、衬底加工、外延生长、材料检测工序。
官网......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
阻率。
近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
晶盛机电：预计2023年上半年净利超20亿(2023-07-14)
28日，晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备。
晶盛机电称，8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8英寸碳化硅外延生产，在6英寸外延......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用(2023-09-06)
司将推动这些产品的开发和上市。
由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产......
露笑科技合肥碳化硅工厂，已开始设备安装调试(2021-06-02)
、衬底制作、外延生长等的研发生产。2020年底，该产业园项目开工。
据悉，该项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延......
瀚天天成宣布量产8英寸碳化硅外延片(2023-07-10 15:05)
晶片的质量达到国际先进水平，厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术的突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
一款碳化硅CVD的核心指标，主要从外延生长性能（厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率），设备本身温度性能（升温/降温速率、最高温度、温度均匀性），和设备性价比三个方面进行评判。
从整......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
资料显示，季华恒一脱胎国内知名的科研机构季华实验室，成立于2021年6月，公司专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化，着力于开发满足高良率、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统等等。
值得......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
再从另一外角度分析一下，碳化硅（SiC）的外延片，它的价格发展趋势如何？
碳化硅（SiC）外延片指的是在碳化硅（SiC）衬底上生长了一层有一定要求的与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅（SiC）片。从价......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
较为领先。早在2008年，京都大学的藤田教授就发布了氧化镓深紫外线检测和Schottky Barrier Junction、蓝宝石（Sapphire）晶圆上的外延生长（Epitaxial Growth）等研......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
近年另一个增长驱动力的是外延设备（EPI）。外延生长也是当今晶圆片制造过程中不可或缺的一步，所有晶圆第一层都要生长一层外延，先进制程中对于外延的要求更高。徐来告诉探索科技（ID：techsugar......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
三安集成滤波器Q2单月出货超过10kk 近日取得富智康订单(2021-07-10)
集成是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD外延生长制造线。
三安光电2020年年......
威科赛乐可寻址VCSEL芯片获首批订单(2024-04-16)
威科赛乐可寻址VCSEL芯片获首批订单;4月12日，先导科技集团官方宣布，其旗下子公司威科赛乐所研发的可寻址VCSEL，在收到客户定制需求后，成功将完成衬底加工、外延生长，再到......
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展(2022-07-06)
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗......
东风汽车旗下基金入股长飞先进半导体，后者注册资本增至约2.92亿元(2023-10-08)
先进成立于2018年，是一个专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力
长飞先进可年产6......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
镓（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。
公告原文如下
根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延......
7.8亿跨界布局三代半，长飞光纤组建竞标联合体投资启迪半导体(2022-03-10)
半导体目前主要负责业务运营，太赫兹工程中心主要负责持有业务运营所需的相关固定资产。
据悉，启迪半导体拥有以GaN和SiC为代表的第三代半导体外延生长、芯片制造、器件和模组封装测试等四条生产线，并具备从芯片制造到IGBT......
全新一代 立芯光电推出1470nm高功率半导体激光二极管芯片(2024-08-12 09:30)
从事砷化镓基、磷化铟基高功率半导体激光器的外延、芯片及封装模块类产品的研发、生产与销售等业务，并提供相关技术服务。已建成完全自主可控的涵盖芯片设计、外延生长、芯片制造、器件封装、可靠性测试、模块......
广州：鼓励发展大硅片、光刻胶等高端半导体制造材料(2023-10-31)
键合机、倒装键合机及贴片机等）、检测设备（测试机、探针台等）以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。
资金扶持方面，《发展办法》指出，对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1......
湖南三安半导体项目二期工程开工 预计今年建成投产(2022-07-21)
三安半导体项目是中国第一条、世界第三条碳化硅全产业链生产线项目。
项目分两期进行。项目负责人介绍称，一期项目于去年6月点亮试产，成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线，产线覆盖衬底材料、外延生长......
总投资预计超过200亿元！长飞先进与东湖高新区半导体合作项目签约(2023-08-28)
力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
资料显示，安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆......
相关企业
的无尘标准车间3000多平方米，配备先进的全自动生产、检测设备。主要从事LED光电领域的外延生长、芯片备制、LED封装及应用产品核心技术的研发、技术服务及产品生产、销售。
;天津中环新光科技有限公司;;中环新光科技有限公司是由中环电子信息集团有限公司投资的以生产红光LED外延片、芯片为主的外延片生产企业。注册资金3000万，现有员工30人，全部是大专以上学历。其中
大幅度降低了照明能耗； 3. 用铜合金代替蓝宝石或碳化硅基底作为基底，散热效率大大提高，使得LED产品寿命大大增加； 4. 独有的外延生长以及晶圆封装和器件测试一条龙的生产技术，使得最终LED发光
有多年的研究和产业化经验，目前在LED相关技术领域拥有二十多项核心专利，可以独立进行LED器件结构设计、外延生长、芯片工艺、器件封装、LED灯具的开发，未来将打造出一条“图形衬底－外延－芯片－封装－灯具组装”的完
;湘能华磊光电股份有限公司;;湘能华磊光电股份有限公司，成立于2008年6月，是一家生产经营外延片、芯片、LED封装及相关应用产品的高新技术企业，注册资本2.48亿元。公司现有32台MOCVD外延
;双向可控硅;;生产可控硅的厂家
;深圳市飞通光电股份有限公司;;霍浦公司总部在美国，总部主要是做外延片的生长及WAVE这块；大陆是生产光通讯的组件及其模块等相关系统的美资公司，在光电子的业界有一定的声誉，尤其是光通讯这块。原来
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
;成都亚明电子公司;;专业从事二三极管，可控硅的研发，生产，销售
产量和市场占有率均居国内第一位。 为尽快建成山东省光电子产业基地，公司配合股东单位---山东瑞森华光光电子有限公司进行产业链的延伸和规模的扩大。按照光电子外延生产和管芯、应用产品研发基地的要求，增加