SRAM(静态随机访问存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)是两种类型的RAM。只要供电,SRAM就会在其存储器中保留数据位,而DRAM需要定期刷新电源才能正常工作。SRAM使用触发器电路来存储每个数据位,而DRAM将数据存储在电容器中。SRAM比DRAM更快,但在硅面积和成本方面更昂贵。静态芯片通常只能容纳1兆字节或更少的内存,而许多现代DRAM棒可以容纳数千兆字节的内存。与DRAM相比,SRAM不需要连续刷新,因此性能更好,功耗更低。然而,由于它有更多的部件,静态存储单元比动态存储单元在芯片上占用更多的空间。因此,每个芯片的内存更少,使得SRAM比DRAM更昂贵。静态RAM用于创建CPU的速度敏感缓存,而动态RAM形成了更大的系统RAM空间。伪静态RAM的构建与动态RAM类似,但其电路板上焊接了集成内存控制器。这种区别使其在速度上优于动态芯片,同时仍保持相对较低的生产成本。与静态RAM相比,当需要更快的存取速度、更少的存储器容量和高的制造成本时,伪静态RAM通常代替动态RAM。

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