SRAM(静态随机访问存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)是两种类型的RAM。只要供电,SRAM就会在其存储器中保留数据位,而DRAM需要定期刷新电源才能正常工作。SRAM使用触发器电路来存储每个数据位,而DRAM将数据存储在电容器中。SRAM比DRAM更快,但在硅面积和成本方面更昂贵。静态芯片通常只能容纳1兆字节或更少的内存,而许多现代DRAM棒可以容纳数千兆字节的内存。与DRAM相比,SRAM不需要连续刷新,因此性能更好,功耗更低。然而,由于它有更多的部件,静态存储单元比动态存储单元在芯片上占用更多的空间。因此,每个芯片的内存更少,使得SRAM比DRAM更昂贵。静态RAM用于创建CPU的速度敏感缓存,而动态RAM形成了更大的系统RAM空间。伪静态RAM的构建与动态RAM类似,但其电路板上焊接了集成内存控制器。这种区别使其在速度上优于动态芯片,同时仍保持相对较低的生产成本。与静态RAM相比,当需要更快的存取速度、更少的存储器容量和高的制造成本时,伪静态RAM通常代替动态RAM。
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资讯
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英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线(2024-01-15)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线;英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用......
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剖析STM32的FLASH和SRAM的使用情况(2023-08-23)
,但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM,在存储控制上,最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除,而EEPROM可以单个字节擦除。
SRAM是静态随机存取存储器。它是......
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英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线(2024-01-18)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线;
【导读】卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
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英飞凌扩展集成ECC的抗辐射异步静态RAM产品线(2024-01-15)
足在恶劣环境中的任务要求。英飞凌的全新抗辐射静态随机存取存储器(S)有8位、16位和32位宽配置,并带有能进行单比特错误纠正的()。这项先进技术使得纠错码()逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单比特错误。
英飞......
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英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用于航空等极端环境;卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
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英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用于航空等极端环境;卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
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随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
内容,故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器(英文:StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(英文DynamicRAM,DRAM)。
随机存取存储器......
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台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道?(2024-08-23)
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道?;近日,晶圆代工巨头台积电和半导体芯片设计龙头厂商高通各自公布了多项半导体技术专利,其中都包括一项与存储领域相关的专利。
台积电:双端口静态随机存取存储器......
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AI新星Groq横空出世,带动SRAM概念爆火(2024-02-25)
界专业人士给出的答案是:No!
据了解,内存主要分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。目前,HBM是AI芯片领域广泛使用的一种高性能DRAM......
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当前全球DRAM厂商数量不到10家,三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立(2022-11-26)
的缓存空间代表同时可处理和储存的数据更多,属与设备必须的组成部分。
易失性存储器在断电状态下数据会丢失,包括动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)。SRAM的读写速度在所有的存储器......
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从诞生到三足鼎立格局,DRAM到底经历了什么?(2022-12-30)
除非电容经常周期性地充电,否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。
SRAM
静态随机存取存储器,所谓的“静态”,是指这种存储器......
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OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
Access Memory)掉电数据丢失,但存取速度快,常用作内存 3.RAM还分为SRAM静态随机存储器(不用不断刷新就可以读取数据,速度快但是造价也高和DRAM动态随机存储器(要不断刷新才能存储......
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结合STM32给大家描述一下单片机常见的划分区域(2023-08-22)
数据。
其中RAM又可以分为两种,一种是Dynamic RAM(DRAM动态随机存储器),另一种是Static RAM(SRAM,静态随机存储器)。
10、ROM
ROM......
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STM32上的SDRAM硬件电路设计(2024-03-08)
先了解下DRAM(Dynamic random-access memory),DRAR中文译为动态随机存取内存,也叫动态随机存取器,为什么叫动态随机存取器,原因是它的实现原理跟静态存储器SRAM不一......
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西安紫光国芯助力高可靠车规芯片市场(2023-08-10)
型号产品是一款具有自主知识产权的LPDDR4(第四代低功耗同步动态随机存取存储器)。容量支持2Gb、4Gb、8Gb,位宽支持x16、x32;内嵌ECC自纠错功能,在提供更高性能更低功耗的同时,保证......
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西安紫光国芯推出多款具有自主知识产权车规级存储芯片(2023-08-11)
技术信息:
西安紫光国芯SCE11N8G322AF-06YA2型号产品是一款具有自主知识产权的LPDDR4(第四代低功耗同步动态随机存取存储器)。容量支持2Gb、4Gb、8Gb,位宽支持x16......
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赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器(2015-08-04)
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器;赛普拉斯半导体公司今天宣布推出一款具有四个串行外设接口(SPI)的1Mb 非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM......
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SMT BGA制程工艺术语清单(2024-11-03 06:42:34)
-Rate Synchronous
Dynamic Random Access Memory
双倍速率同步动态随机存取存储器
20.Df......
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赛普拉斯半导体推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)(2014-05-09)
赛普拉斯半导体推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM);赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),包括......
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兆易创新在珠海横琴,新设半导体子公司(2024-07-27)
产品包括闪存芯片(NOR Flash、NAND Flash)和动态随机存取存储器(DRAM)。
封面图片来源:拍信网......
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北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
领域的独角兽企业,已获得多家创投机构投资。嵌入式RRAM显示驱动芯片,突破了内置SRAM(静态随机存取存储器)+外置NOR Flash(NOR型闪存)的传统方案,显著提高补偿参数读取速度[2],降低成本和功耗,并优......
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打破国外垄断!新型国产存储芯片发布(2023-12-04)
等便携式消费电子,LPDDR5指的是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。官方称与上一代LPDDR4X相比,LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗降低30......
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北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
领域的独角兽企业,已获得多家创投机构投资。
嵌入式RRAM显示驱动芯片,突破了内置SRAM(静态随机存取存储器)+外置NOR Flash(NOR型闪存)的传统方案,显著提高补偿参数读取速度[2],降低......
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ok6410内存初始化(2024-08-16)
Random AccessMemory):同步动态随机存储器.
同步: 内存工作需要有同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以该时钟为基准。
动态:存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。
随机:是指数据不是线性依次存储......
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52单片机存储器的扩展(2023-05-23)
统需要大量数据缓冲的场合中,可以通过在外部扩展较大容量的静态随机存储器或者Flash ROM扩充系统的数据存储能力,扩展的最大容量为64KB,地址为0000H-FFFFH。 ......
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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品:已在小米手机上完成验证(2023-11-29)
面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。
长鑫存储是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌,实现了国内市场零的突破。
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器......
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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局(2023-12-01 10:02)
DRAM芯片的产品布局。长鑫存储是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌,实现了国内市场零的突破。LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上......
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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局(2023-12-01 10:02)
DRAM芯片的产品布局。长鑫存储是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌,实现了国内市场零的突破。LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上......
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工作温度横跨400度!工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
的新兴领域。
工研院电子与光电系统所所长张世杰表示,MRAM有媲美静态随机存取存储器(Static Random Access Memory;SRAM)的写入、读取速度,兼具快闪存储器非挥发性,近年......
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赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列(2012-12-27)
)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种......
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光刻机巨头抛出重要信号!半导体行业大拐点要来了?(2024-11-15)
使客户进一步从多重曝光转向使用低数值孔径(0.33 NA)EUV和高数值孔径(0.55 NA)EUV的单次曝光工艺,以支持先进逻辑和动态随机存取存储器(DRAM)的发展。
因此,ASML预计......
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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局(2023-12-02)
是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌,实现了国内市场零的突破。
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比,长鑫存储......
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事关存储器,华为公布新专利(2024-04-11)
事关存储器,华为公布新专利;国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利,公布号为CN117858494A。
静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器......
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FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战,并迫使高密度6T(2022-12-22)
的一种。
所谓“静态”,是指只要保持通电,写入的信息就不会丢失,读出时也不破坏存储的信息。这种“静态”是相对于动态随机存取存储器(Dynamic
Random-Access......
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mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
位机),CPU的取指,执行,存储都是通过地址进行的,因此它可以用来做内存。
RAM按照硬件设计的不同,随机存储器又分为DRAM(Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM(Static......
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挣足钱的三星进攻下一代存储,MRAM成为目标?(2017-04-28)
缩制程已逼近极限,目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代记忆体「磁电阻式随机存取记忆体(MRAM)」,与含3D XPoint 技术的「相变化记忆体(PRAM)」及「电阻式动态随机存取记忆体(RRAM)」。
上述......
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ADSP-SC573数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:56)
位浮点处理器针对高性能音频/浮点应用进行了优化,具有大容量片内静态随机存取存储器(SRAM),可消除输入/输出(I/O)瓶颈的多条内部总线,并且提供创新的数字音频接口(DAI)。SHARC+内核......
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2021年全球半导体产值上看5272亿美元,存储器增幅最大(2021-06-09)
%;日本与美国将分别成长12.7%及11.1%。
受惠宅经济驱动的电脑与网通等需求持续强劲,以及5G及车用需求拉动半导体货,继而带动全球半导体产量。
终端市场对存储器类半导体需求体量庞大,尤其以动态随机存取存储器......
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STM32系列可通过FMSC接口外扩并口SRAM(2023-08-04)
,
IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术,造就......
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STM32系列可以通过FMSC接口来实现外扩并口SRAM(2023-09-18)
IS62WV51216。
IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度......
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韩媒:三星或推出高端存储芯片租赁服务(2023-01-03)
取租赁费用。三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器(DRAM)整体销售收入的至少10%。
具体而言,在新的商业模式下,三星计划将下一代CXL DRAM封装和称为SSD的数据存储......
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三星电子改进半导体存储器设计(2025-02-01)
三星电子改进半导体存储器设计;韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器(DRAM)“D1b”的设计。
三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡DRAM和手......
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ADSP-21591数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:25)
点处理器已针对高性能音频/浮点应用进行优化,具有大型片内静态随机存取存储器 (SRAM)、打破输入/输出 (I/O) 瓶颈的多个内部总线和创新型数字音频接口 (DAI)。SHARC+ 内核......
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"BBCube 3D”技术来袭,带宽比DDR5高30倍,比HBM2E高4倍(2023-07-07)
东京理工大学研究团队提出了一种名为“BBCube 3D”的技术,该技术可以让处理单元和动态随机存取存储器(DRAM)之间更好地集成。BBCube 3D最显著的方面是实现了处理单元和DRAM之间......
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存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。
2.DRAM存储器:动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据,有电荷代表 1,无电......
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三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-02)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;
【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器......
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STM32F4开发板STM32F4如何驱动外部SRAM芯片(2023-06-26)
STM32F4开发板STM32F4如何驱动外部SRAM芯片;星忆存储为电子工业提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存储器产品。专注于XRAM产品开发设计,提供低延时,低功耗和免刷新动态随机存储器产品致力于通过创新型存储......
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Weebit Nano推出电阻式RAM(2023-08-02)
支持诸多安全技术,包括嵌入在两个金属层之间。
用户可以将该模块作为子系统的一部分,例如 RISC-V 微控制器、静态随机存取存储器 (SRAM)、系统接口和外设。 此外,Weebit ReRAM 可根......
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存储行业市场迎来反转,国产赛道竞争激烈(2024-05-09)
大模型兴起客观上就会引发对NAND需求。
根据功能性及使用的主要存储芯片类型不同,半导体存储器分为易失性存储芯片(简称RAM)和非易失性存储芯片(简称ROM)。
RAM可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称......
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索尼CMOS大升级,完爆竞争对手(2017-02-08)
。
随机存储器(RAM)的速度很快,但也有着易失的缺点,因此其主要作为存储设备和处理器之间的数据枢纽。
DRAM 被嵌在了传感器的像素层与电路层之间
但是现在,索尼将动态随机存取器(DRAM......
相关企业
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有: 1,Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit
务人员,为客户提供深层次的售前及售后服务。公司所经营的半导体 器件均为原厂进货确保产品的品质及交货周期。英尚国际以诚实守信、 持续发展、不断进取、合作双赢为理念,持续追求卓越! 公司主要的产品有: 低功耗静态随机存储器
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随机存储器、SRAM静态随机存储器、DRAM动态随机存储器、SDRAM同步动态随机存储器、SGRAM同步图形随机存储器、NtRAM、PBSRAM假静态随机存储器)。 ........公司
;颍兆科技有限公司;;我司是三星中国区授权指定代理,专业经销三星全系列SRAM(静态随机存储器)。
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;高照国际(上海)有限公司;;我司是三星中国区指定代理,主要做三星全系列SRAM(静态随机存储器)。 吕安海 13311762681 MSN:LAWRENCE_LAH_SH@HOTMAIL.COM
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;上海天特电子有限公司;;三星中国区授权指定一级代理,专业经销三星全系列SRAM(静态随机存储器)。 以下料号常备现货: K6X1008 K6R4016 K6X4008 K6R4008
;永发实业;;本公司成立以来,是一家以经营Micron美光同步动态随机存储器SDRAM 为主的专业化公司。经过多年的发展,已经形成了以MICRON“美光”产品为主、兼营世界各国厂家集成电路,如