英飞凌扩展集成ECC的抗辐射异步静态RAM产品线

发布时间:2024-01-15  

2024115日,德国慕尼黑讯】卫星上的边缘计算和推理实现近实时数据分析和决策制定。随着联网设备数量及其产生的数据量不断增长,这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求科技股份公司FSE代码IFX / OTCQX代码IFNNY旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用专利技术RADSTOP设计的最新rad hard随机存取存储器全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计 

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rad hard)随机存取存储器

 

高性能太空计算中数据缓冲需要的内存比MCU FPGA片上存储器所能提供的内存更多。存储器必须为实时处理应用提供更高的性能并具有卓越的辐射性能以满足恶劣环境的任务要求。英飞凌的全新抗辐射静态随机存取存储器(S)有81632宽配置带有能进行单比特错误纠正。这项先进技术使纠错码逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单比特错误。

 

英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner博士表示:辐射效应会导致静态随机存取存储器(S)中不可避免的比特错误,而使用系统级纠错码会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器(S)提供了一种极其可靠的单芯片解决方案,可以解决这些问题的同时,满足航天工业对辐射性能的要求。

 

英飞凌领先的RADSTOP技术通过自主设计工艺强化技术实现了辐射性能满足下的所有辐射要求。这款全新抗辐射存储器获得了QML-V认证,能够确保在可靠性和生命周期要求。这些半导体器件的存取时间短至10 ns,是目前速度最快的选择。此外,它们还为最高的密度和最低的静态电流提供了最小的占板面积RADSTOP存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限,同时具备尺寸、重量和功耗优势以及更大的设计灵活性

 

供货情况

英飞凌的静态随机存取存储器(SRAM现已上市。

文章来源于:电子产品世界    原文链接
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