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逆变器中选用的碳化硅器件的规格也在不断提升,对器件的浪涌能力、击穿电压、雪崩能量以及正向电流等参数要求都在变高。 基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管......
相互关联;通常,较低电荷值的元件将具有稍高的导通电阻。 碳化硅二极管 碳化硅二极管多为肖特基二极管。经典硅二极管基于 PN 结。在肖特基二极管中,金属被 p 型半导体取代,形成金属-半导......
氧化镓半导体器件,中国再获重要进展;高功率氧化镓肖特基二极管 如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决,PN结相......
基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC......
国芯思辰|基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC......
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片,或者外部并联肖特基二极管,减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
兼容C3D02065E,碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体,凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点,其使......
器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 2.氧化镓光电探测器 光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应度和响应速度是光电探测器的两个关键的性能参数......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应......
对标C4D40120D,1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件,其功能是按照电池管理系统的指令,动态调节充电电流和电压参数,完成......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
确设置输入共模电平,滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。 采用肖特基二极管的直流恢复 对视频设备的输出进行交流耦合时,直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平,视频......
国芯思辰|1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电;充电器与蓄电池有着密切的联系,充电器的好坏直接影响蓄电池性能和使用寿命。本文......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中,机车空调需要有稳定的电力供电,保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时,需要通过后备电池给空调供电。而机......
碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC......
了现代汽车和工业应用持续增长的需求基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求; 【导读】Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
司2021年向特定对象发行股票项目,即碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目的实施主体。此次购买设备是为了保障募投项目顺利开展。 据此......
英飞凌与威迈斯加强合作,为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC,效率更高,设计更简单;如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6; 极高的效率和性价比 CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨,2021年11月5日:基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块; 【导读】近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管; 【导读】日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨,2024年6月13日:Nexperia今天......
率器件里,目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管,其它器件结构还未开展。 (1)氧化镓基肖特基二极管 对于肖特基二极管,其精准的势垒高度调控仍然是个难题,同时其体电场仍有较大的优化空间,另外......
上述公式和图5,用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例: 图6 浪涌电流控制测试用例 图7 测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载(和低......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕......
电流控制测试用例 图 7.测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载(和低电流直流负载),可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管,如图 8 所示,以在......
电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓 在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应度和响应速度是光电探测器的两个关键的性能参数......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管; 提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P  DPAK封装Nexperia今天宣布,其一流的650  V、10......
测试时冲击电流过大而损坏。一般此处电流小选择肖特基二极管,可以选用东沃低压降系列肖特基二极管型号SS56。 3)瞬态抑制TVS二极管,主要用于防护各种过压波形和抛负载冲击,此处选择范围较大,车载24V系统......
5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载......
分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC......
上,可以获得两倍的电压输出。 这两个二极管使用肖特基二极管, 可以使用BAT54s 这类 双肖特基二极管芯片。在 SOT23封装内集成了两个二极管。 这就是20kHz电磁......
- 1n4007 电容器 - 0.1uF 肖特基二极管 - 3A,50V 电阻器 - 220、680 欧姆 电位器 - 2K 连接线 LM317 数据表 太阳能电池充电器电路设计 电路必须具有可调稳压器,因此......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管;提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸 奈梅亨,2024年2月26日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性; 器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前,威世......
LTC5505数据手册和产品信息;LTC®5505-X 是一种用于 RF 应用工作频率范围为 300MHz 至 3.5GHz 的 RF 功率检波器。在一个小型的 5 引脚 ThinSOT 封装内集成了一个温度补偿肖特基二极管......
试要求)。方案中还用到了肖特基二极管,用来保证防反接,建议选用东沃SS56(SMC封装),压降可以满足小电流的功耗要求,如果电流超过5A 建议选用MOS管防反接电路。 汽车EPS模块抛负载保护器件参数 1......
微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管、小信号外延双极晶体管、中功率外延晶体管、平面肖特基二极管、快恢复及开关二极管、稳压二极管、TVS(瞬态电压抑制)二极管等门类,拥有600多种规格不同型号......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布,现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管......
关频率变得更高时,用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大,严重限制了转换能效的改进。 ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗,正向......
,支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压,与额定值类似的肖特基二极管相比,其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外,基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管......
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上,将展示 系列的3款新成员:一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......

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)优势产品: 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋(Mospec) S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋(Mospec) S16C40C
~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
、GBU、GBJ、RBV系列;方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列;MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥;全系列贴片二极管;高压肖特基二极管普通肖特基二极管
顿复合管、快恢复二极管肖特基二极管、有无阻尼IGBT、三端稳压管以及可控硅(晶闸管)等。 产品用途广泛,各种型号参数齐全,货源直接。有稳定的成品、半成品现货库存和市场货源查找体系。同时,我们还为客户提供各种型号参数
;金成电子(香港)有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管肖特基二极管,SMD元件!
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌:日本英达NIEC(整流二极管、快恢复二极管肖特基二极管)、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR(国际整流器公司)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)系列:场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管,开关管,整流二极管肖特基二极管,瞬变管,桥式整流器,贴片,二三极管
;深圳市嘉美电子有限公司;;主营:TVS瞬态抑制二极管肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。