资讯
MAX1805数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:06)
安装的2N3904 NPN型），可取代传统的热敏电阻或热电偶。对于多个晶体管制造商来说，远程精度为±3°C，无需校准。远程通道还可以测量其他包含片上二极管连接式晶体管的IC（例如微处理器）的芯片......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
大的电阻，并且这些导致片上器件非常大。由于工艺变化，电阻值也可变化20%。基于所有这些原因，不需要无源设备的负载选项是值得关注的。
带二极管连接负载的共源放大器
代替电阻，我们也可以使用二极管连接的晶体管......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
值也可变化20%。基于所有这些原因，不需要无源设备的负载选项是值得关注的。
带二极管连接负载的共源放大器
代替电阻，我们也可以使用二极管连接的晶体管作为负载。在这种配置中，增加的MOSFET的栅......
谏早电子推出异质晶体管“RTEXXXXM”，可不使用IC构成电池电压监视电路(2023-08-29)
【电压检测】 通过用电阻器在晶体管的导通电压上加上齐纳电压，可以代替比较器检测电压。 （内部配线②③） 如下图所示，当2个不同齐纳电压的异质复合晶体管连接......
MAX6695数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:17)
MAX6695数据手册和产品信息;MAX6695评估板(EV kit)是一块经过完全安装与测试的PCB，焊接有MAX6695。该评估板可用于全面评估温度监视器MAX6695。MAX6695监视自身的管芯温度以及两个连接为二极管形式的外部晶体管......
MAX6627数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:15)
MAX6627数据手册和产品信息;MAX6627/MAX6628高精度数字温度传感器检测远端传感器的温度。远端传感器为二极管连接晶体管，通常为低成本、容易安装的NPN型2N3904，代替......
IBM推碳纳米管芯片，真的会是硅的完美替代者吗？(2016-11-16)
五边形恰好出现在碳纳米管的顶端，就形成碳纳米管的封口。出现七边形的地方碳纳米管则向内凹进。
碳纳米管具有硅的半导体特性，而这种特性是它成为芯片晶体管的关键。当接通电流时它们有极好的传输电子的能力。但是芯片......
MAX1669数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:09)
MAX1669数据手册和产品信息;MAX1669风扇控制器包含一个高精度的数字温度计，可报告远程传感器的温度。远程传感器是一个二极管连接式晶体管（通常为低成本、易于安装的2N3906 PNP型......
Intel在10nm找到了摩尔定律的出路(2017-01-03)
开关的栅极长度和栅极之间的距离（gate pitch）也会变得更小。Gate pinch可以54nm到70nm。而在晶体管连接起来执行标准逻辑功能的逻辑单元上面，其尺寸较之14nm几乎小了46%。
这种缩小较之以往更令人振奋，Bohr......
台积电2nm深度揭秘：又涨价了！一块晶圆近22万元(2024-12-17 14:12:28)
性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖(2024-10-16)
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖(2024-10-16 13:04)
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
当不断逼近摩尔定律的极限，芯片互连也有大麻烦(2023-01-05)
当不断逼近摩尔定律的极限，芯片互连也有大麻烦;互连 —— 有时是将晶体管连接到 IC 上电路中的纳米宽的金属线 —— 需要进行「大修」。而随着芯片厂逐渐逼近摩尔定律的极限，互连......
英特尔IEDM 2024技术突破：超快速芯片间封装、业界首创晶体管、减成法钌互连(2024-12-25)
越来越强大时，却没有能将所有这些晶体管连接在一起所需的布线。
取得突破的一个方法是减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）。
在间距小于或等于25nm时，采用......
台积电同电压下可将功耗降低24%~35%或将性能提高15%(2024-12-16)
产节点有望在相同电压下将功耗降低24% ~35% 或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。这些优势中的绝大部分是由台积电的新型全栅（GAA）纳米片晶体管以及 N2......
沙子做的芯片凭啥卖那么贵？(2016-11-25)
场效应管的源极、漏极、栅极。最后在整个晶圆表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。
13、构建晶体管之间连接电路
经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成。剩下的就是如何将这些晶体管连接......
使用 PICAXE 14M2 和步进电机构建红外跟踪器(2023-08-07)
理图中的每个部件与照片中的相应组件进行比较。
请注意，示意图中红色矩形内显示了三个红外传感器（Q1、Q2 和 Q3）的光电晶体管阵列。在上面的完整组装照片中，三个光电晶体管连接......
台积电首次公开2nm！性能提升15％、功耗降低35％(2024-12-16)
密度增加15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24-35%。
台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。
新工......
2nm半导体大战打响！三星2nm时间表公布(2024-02-05)
纳米片晶体管架构和背部供电技术。
台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。
业内人士指出，三星、台积......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25)
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;12 月 25 日消息，在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25 16:02)
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS......
MAX31760数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:32)
MAX31760数据手册和产品信息;MAX31760集成温度检测和高精度PWM风扇控制，器件高精度测量本地管芯温度，以及分立式二极管连接晶体管(例如2N3906)或CPU、图形处理器单元(GPU......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
术还采用了垂直分层双电源漏外延和双金属栅极堆叠，并结合PowerVia背后供电等技术。
为了不被对手超越，台积电也会展示CFET技术。据悉，台积电客制逻辑芯片具有48纳米栅极间距，专注放在p型晶体管......
台积电组建2nm任务团队冲刺试产：2025年量产 iPhone 17的A19首发(2023-08-17)
此前台积电副总经理张晓强透露，目前256Mb SRAM芯片已经可以做到50%良率以上，目标则80%以上。
据了解，台积电2nm工艺会放弃FinFET晶体管工艺，转向GAA晶体管，相较于N3E工艺，N2在相......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22 15:59)
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
纳米栅极间距，专注放在p型晶体管上的分层n型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的开关电流比。
台积电表示，CFET晶体管已证明耐用性超过90%，且成功通过测试。虽然台积电承认需要研究更多，才能......
台积电公布A16 1.6nm工艺：对比2nm性能提高10%、功耗降低20%(2024-04-26)
三维集成电路（3D IC）技术，凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。
据了解，台积电在此次的北美技术论坛中，首度公开了台积电A16（1.6nm）技术，结合领先的纳米片晶体管......
戈登·摩尔离世 —— 斯人已逝，摩尔定律也已是“迟暮英雄” 终将曲终人散(2023-03-30)
的性能提升来自两个方面：一是按照Denard（登纳德）微缩效应，每代芯片的频率提升带来了40%的改进；二是每代芯片晶体管密度提升带来的体系结构的改进符合波拉克法则，即平方根级别的提升，达41%。将这......
新版摩尔定律来了 ChatGPT之父：AI算量18个月翻倍(2023-02-27)
新版摩尔定律来了 ChatGPT之父：AI算量18个月翻倍;行业有个黄金定律，那就是Intel创始人50多年前提出的，指出芯片晶体管18到24个月翻倍，如今是AI时代了，“”之父Sam Altman......
扩产！安世半导体新8英寸晶圆生产线启动(2021-06-24)
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
摩尔定律是否走到尽头？半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
态系合作，摩尔定律10年内仍有效。
摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出，芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长，增强运算能力。想增加晶体管数，必须做得更小，就要......
曝iPhone 17全系首发3nm A19系列芯片：无缘台积电2nm(2024-11-19)
首发的A17 Pro基于台积电第一代3nm制程(N3B)打造，iPhone 16系列的A18和A18
Pro基于台积电第二代3nm制程(N3E)打造。
相比N3E，采用N3P工艺打造的芯片拥有更高的晶体管......
直击台积电2022年技术论坛现场：最新产能规划、2nm芯片、特色工艺全覆盖(2022-07-04)
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。
2纳米家族
在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。
由于纳米片晶体管......
英特尔Ann Kelleher：系统工艺协同优化将引领摩尔定律未来创新(2022-12-13)
架构——RibbonFET（通常被称为全环绕栅极或纳米片晶体管）以及PowerVia背面供电技术。当被问到这项技术可能涉及的风险时，Kelleher解释......
台积电 3nm 制程工艺月产能逐步提升，下月有望达到 4.5 万片晶圆(2023-02-24)
台积电 3nm 制程工艺月产能逐步提升，下月有望达到 4.5 万片晶圆;
2 月 24 日消息，据外媒报道，在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的 制程工艺量产之后，仍采用鳍式场效应晶体管的 制程......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
节点，台积电已全面导入GAAFET晶体管技术，因而其1.6nm工艺更突出的特征还在于背面供电。作为继工艺缩进、3D封装后第三个提高芯片晶体管密度和能效的革新之一，背面......
只争朝夕：印度塔塔电子开始出口芯片(2024-05-08)
于多种产品。业界猜测最有可能的是一些功率晶体管或小信号晶体管产品。
据 ET 报道，这些封装好的元件已运往日本、美国和欧洲的塔塔客户。ET 还报道说，塔塔即将推出自己的芯片设计，目标是 28 纳米......
台积电3nm工艺卖出天价，苹果A17要用(2023-01-05)
的重要原因之一。
相比于5nm，台积电3nm工艺具有更好的效能、功耗，其逻辑密度将增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，而且3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上比5nm高出5%。
苹果......
谁是下一个晶圆代工“最强王者”？(2024-05-06)
PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算（HPC）产品。
相较......
PWM驱动有刷电机时的电流再生方法及其区别(2023-06-06)
电路中，根据占空比，会流过反向电流。（e）在电流再生4的电路中，所有的晶体管关断，但电流通过Q2和Q4的寄生二极管再生，等效施加在导通区间和电机电源的极性是相反的。由于干电路是通过二极管连接的，因此......
谁是下一个晶圆代工“最强王者”？(2024-05-06)
制程将结合超级电轨（Super PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用......
台积电为2纳米节点增加两个变体，英特尔能赶上吗？(2023-05-29)
了诸如后端制程(BEOL)通孔电阻升高的挑战。因此，当芯片制造商持续致力于芯片供电传输电路中的电阻问题时，晶背供电传输增强了晶体管的性能、降低其功耗，并消除了数据和电源连接之间的一些潜在干扰。
据应......
英特尔在ITF World展示了新的堆叠CFET晶体管设计(2023-05-19)
保证英特尔会在那个时间段内瞄准 CFET：有趣的是，英特尔的幻灯片展示了其下一代 GAA 纳米片晶体管 (RibbonFET)，然后直接跳到 CFET，省略了大多数人认为将是介于纳米片和 CFET 之间。您还可以在上面的幻灯片中看到这种类型的晶体管......
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元(2023-06-28)
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元;
【导读】据电子时报6月27日消息，台积电正与2nm制程工艺的潜在客户进行商谈。这一制程下的晶体管，采用了GAA全环......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个(2024-03-14)
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道，美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息，其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
“最大”的芯片，都长什么样？(2024-01-15)
大。
2019年，手捧巨大芯片的Cerebras公司在Hot Chips上一鸣惊人。彼时，该公司展示的Wafer Scale Engine（WSE）拥有1.2T的晶体管，超过彼时EDA工具......
这座12英寸晶圆厂，获超526亿增资(2024-09-26)
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。
另外，台积电计划于2026年采......
这座12英寸晶圆厂，获超526亿增资(2024-09-26)
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。
另外，台积电计划于2026年采......
重磅！台积电公布首个“埃级”制程技术(2024-04-26)
，台积电也在重新命名工艺节点，标志着「埃级」时代的开始。
的 A16 工艺技术将依赖于环绕栅全包围纳米片晶体管，采用背面电源轨道。预计在相同电压和复杂度下，性能相较 N2P 制程提升 8......
相关企业
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
;2N;2P;Z;X;PO等500多个品种晶体管系列有3DD;2N;2SC;2SD;2SB;TIP;MJE;DK;BT;BU等2000多个型单双向可控硅芯片音箱配对管芯片节能灯;镇流器用开关晶体管芯片
/S；HC-49U；￠2*6；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体
;贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司;;深圳市泰晶实业有限公司是一家专业从事石英晶体频率元器件、晶体频率元器件生产自动化设备研发、生产和销售的大型制造企业。是国家级高新技术企业、中国
;斯裕自动化有限公司;;斯裕自动化主要从事自动化产品销售，大量库存现货供应，IGBT、芯片、晶体管、继电器等西门子产品
；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体,KDS晶振,KDS石英
;深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）;;深圳市敢豪科技有限公司 业务一部:主营LED芯片. 业务二部:IC,晶体管,MOS管....如:功放IC,升压IC,驱动恒流IC...
扬州彤欣电子有限公司是生产硅中、低频功率器件的专业厂家，以设计、开发、生产硅中、低频大功率器件芯片为主。现有晶体管芯片生产线二条，后道封装线二条,其中φ3英寸硅片生产线年生产能力达20万片。 公司主导产品有3DD、2SA、2SD
;丹东市华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。公司长期现货供应以下产品 汽车