葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
产节点有望在相同电压下将功耗降低24% ~35% 或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。这些优势中的绝大部分是由台积电的新型全栅（GAA）纳米片晶体管以及 N2......
密度增加15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24-35%。 台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。 新工......
纳米片晶体管架构和背部供电技术。 台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。 业内人士指出，三星、台积......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;12 月 25 日消息，在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS......
术还采用了垂直分层双电源漏外延和双金属栅极堆叠，并结合PowerVia背后供电等技术。 为了不被对手超越，台积电也会展示CFET技术。据悉，台积电客制逻辑芯片具有48纳米栅极间距，专注放在p型晶体管......
此前台积电副总经理张晓强透露，目前256Mb SRAM芯片已经可以做到50%良率以上，目标则80%以上。 据了解，台积电2nm工艺会放弃FinFET晶体管工艺，转向GAA晶体管，相较于N3E工艺，N2在相......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
纳米栅极间距，专注放在p型晶体管上的分层n型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的开关电流比。 台积电表示，CFET晶体管已证明耐用性超过90%，且成功通过测试。虽然台积电承认需要研究更多，才能......
新版摩尔定律来了 ChatGPT之父：AI算量18个月翻倍;行业有个黄金定律，那就是Intel创始人50多年前提出的，指出芯片晶体管18到24个月翻倍，如今是AI时代了，“”之父Sam Altman......
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
态系合作，摩尔定律10年内仍有效。 摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出，芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长，增强运算能力。想增加晶体管数，必须做得更小，就要......
首发的A17 Pro基于台积电第一代3nm制程(N3B)打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于台积电第二代3nm制程(N3E)打造。 相比N3E，采用N3P工艺打造的芯片拥有更高的晶体管......
台积电 3nm 制程工艺月产能逐步提升，下月有望达到 4.5 万片晶圆; 2 月 24 日消息，据外媒报道，在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的 制程工艺量产之后，仍采用鳍式场效应晶体管的 制程......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
于多种产品。业界猜测最有可能的是一些功率晶体管或小信号晶体管产品。 据 ET 报道，这些封装好的元件已运往日本、美国和欧洲的塔塔客户。ET 还报道说，塔塔即将推出自己的芯片设计，目标是 28 纳米......
的重要原因之一。 相比于5nm，台积电3nm工艺具有更好的效能、功耗，其逻辑密度将增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，而且3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上比5nm高出5%。 苹果......
PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算（HPC）产品。 相较......
制程将结合超级电轨（Super PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用......
保证英特尔会在那个时间段内瞄准 CFET：有趣的是，英特尔的幻灯片展示了其下一代 GAA 纳米片晶体管 (RibbonFET)，然后直接跳到 CFET，省略了大多数人认为将是介于纳米片和 CFET 之间。您还可以在上面的幻灯片中看到这种类型的晶体管......
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元; 【导读】据电子时报6月27日消息，台积电正与2nm制程工艺的潜在客户进行商谈。这一制程下的晶体管，采用了GAA全环......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道，美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息，其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
，台积电也在重新命名工艺节点，标志着「埃级」时代的开始。 的 A16 工艺技术将依赖于环绕栅全包围纳米片晶体管，采用背面电源轨道。预计在相同电压和复杂度下，性能相较 N2P 制程提升 8......
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。 2纳米家族 在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。 由于纳米片晶体管......
传动等领域。 IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片......
的性能提升来自两个方面：一是按照Denard（登纳德）微缩效应，每代芯片的频率提升带来了40%的改进；二是每代芯片晶体管密度提升带来的体系结构的改进符合波拉克法则，即平方根级别的提升，达41%。将这......
节点，台积电已全面导入GAAFET晶体管技术，因而其1.6nm工艺更突出的特征还在于背面供电。作为继工艺缩进、3D封装后第三个提高芯片晶体管密度和能效的革新之一，背面......
三维集成电路（3D IC）技术，凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。 据了解，台积电在此次的北美技术论坛中，首度公开了台积电A16（1.6nm）技术，结合领先的纳米片晶体管......
五边形恰好出现在碳纳米管的顶端，就形成碳纳米管的封口。出现七边形的地方碳纳米管则向内凹进。 碳纳米管具有硅的半导体特性，而这种特性是它成为芯片晶体管的关键。当接通电流时它们有极好的传输电子的能力。但是芯片......
栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占面积将减小一半;在芯片晶体管......
)，或称为环绕式栅极(GAA)晶体管。全球代工巨擘台积电在日前举行的2023年北美技术论坛(2023 North America Technology Symposium)中提供关于3nm芯片......
%，整体 GPU 核心增加了 20%，且由于工艺制程的进步，A17 Pro芯片的整体面积略有缩小，但晶体管数量来到了新高，为190亿，对比上代的160亿晶体管，增加了近20%，能够完成如此大的升级，台积......
)技术等。 在论坛上，台积电首次公开了名为TSMC A16(1.6nm)的制程技术。 据介绍，A16将结合台积电的超级电轨构架与纳米片晶体管，预计于2026年量......
栅极的宽度，也被称为栅长。 栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占面积将减小一半；在芯片晶体管......
大。 2019年，手捧巨大芯片的Cerebras公司在Hot Chips上一鸣惊人。彼时，该公司展示的Wafer Scale Engine（WSE）拥有1.2T的晶体管，超过彼时EDA工具......
颗粒，但通过对不同颗粒的堆叠封装，就可以变成超大规模的单一芯片，摩尔定律所定义的单一芯片晶体管密度成长曲线，对这类封装技术而言根本不算挑战。 3.石墨烯、纳米碳管等新材料进入半导体 图说......
架构——RibbonFET（通常被称为全环绕栅极或纳米片晶体管）以及PowerVia背面供电技术。当被问到这项技术可能涉及的风险时，Kelleher解释......
制程工艺是否只是噱头? “手机芯片的制程数值越小，意味着芯片晶体管尺寸进一步微缩，芯片中元器件的排列也更加密集。这使得单位面积内，芯片可集成的晶体管数目增多。此次手机芯片制程由7nm提升至5nm，使得芯片上集成的晶体管......
产良率达到一定标准时，便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA（全环绕栅极）纳米片晶体管结构，这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电（BSPR）技术，进一步提升芯片......
厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。 相对于3nm(N3E)制程来说，台积电2nm制程将会首次采样全新环绕闸极(GAA)晶体管架构，虽然晶体管密度仅提升了10%，但在相同功耗下，台积......
音也回应了2nm晶体管密度的问题，他指出2nm工艺不仅仅意味着芯片密度，其同时还包括新的电源线结构、新的小芯片技术，以允许我们的客户进行更多的架构创新。 目前台积电客户的核心需求在于电源效率，为了......
晶圆代工厂无法参与到先进制程工艺的赛道。目前，具备先进制程芯片生产能力的代工厂，仅有台积电、三星和英特尔三家。然而，高昂的付出却仍然无法解决功耗问题，先进制程工艺是否只是噱头？ “手机芯片的制程数值越小，意味着芯片晶体管......
公司在低维沟道材料领域也实现了突破，如WS2或WoS2等无机纳米管或纳米碳管，有助于进一步推动尺寸微缩和能耗降低。这也意味着台积电未来将CFET导入更先进埃米级制程外，也会持续推动更先进晶体管架构创新，实现让单一逻辑芯片......
数量提升的关键因素之一。我们常听到的 7 纳米工艺或是 3 纳米工艺，主要指的是芯片晶体管栅极宽度的大小，这个数字越小，晶体管密度就越大，比如最新的芯片已经可以有 150 亿以上的晶体管......
将会首次采样全新环绕闸极（GAA）晶体管架构，虽然晶体管密度仅提升了10%，但在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%；而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%。根据......

相关企业

安丘市科威电子有限公司
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管　3DD1-3DD12,3DD21
扬州晶新微电子有限公司
平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
启东市吉莱电子有限公司
;2N;2P;Z;X;PO等500多个品种晶体管系列有3DD;2N;2SC;2SD;2SB;TIP;MJE;DK;BT;BU等2000多个型单双向可控硅芯片音箱配对管芯片节能灯;镇流器用开关晶体管芯片
深圳市泰佳晶电子有限公司
/S；HC-49U；￠2*6；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体
贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司
;贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司;;深圳市泰晶实业有限公司是一家专业从事石英晶体频率元器件、晶体频率元器件生产自动化设备研发、生产和销售的大型制造企业。是国家级高新技术企业、中国
斯裕自动化有限公司
;斯裕自动化有限公司;;斯裕自动化主要从事自动化产品销售，大量库存现货供应，IGBT、芯片、晶体管、继电器等西门子产品
深圳市泰佳晶电子有限公司 业务部
；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体,KDS晶振,KDS石英
深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）
;深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）;;深圳市敢豪科技有限公司 业务一部:主营LED芯片. 业务二部:IC,晶体管,MOS管....如:功放IC,升压IC,驱动恒流IC...
彤欣电子有限公司
扬州彤欣电子有限公司是生产硅中、低频功率器件的专业厂家，以设计、开发、生产硅中、低频大功率器件芯片为主。现有晶体管芯片生产线二条，后道封装线二条,其中φ3英寸硅片生产线年生产能力达20万片。 　　公司主导产品有3DD、2SA、2SD
丹东市华奥电子有限公司
;丹东市华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。公司长期现货供应以下产品 汽车