资讯
Trench shielded Gate MOS优点(2024-12-12 11:34:53)
Gate)结构已成为高性能离散功率MOS的主流。沟槽栅(Trench
Gate)结构可以显著降低沟道电阻(Rchannel)和JFET电阻(RJFET)，沟槽栅结构能提供最短的Drain到......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
设计和制造上都获得了哪些进展和成果。
Die Layout
下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
图一
芯片的表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
图一
芯片的表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad), 开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
可以在LDD尖角发生击穿之前先从Drain击穿导走从而保护Drain和Gate的击穿。所以这样的设计能够保持器件尺寸不变，且MOS结构没有改变，故不需要重新提取SPICE model。当然......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
串联电阻的方法了。
1）Source/Drain的ESD implant
因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结，而这个浅结的尖角电场比较集中，而且因为是浅结，所以它与Gate比较近，所以......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
豪威集团发布首款车规级LCD显示屏PMIC（电源管理芯片）解决方案(2024-06-07)
屏和仪表盘屏已成为新能源汽车不可或缺的部分。
WXD3137Q在车载屏的灵活性和可靠性上具有明显优势，该芯片集成两路正负压电源，为显示Source芯片供电，同时......
国内首颗车规级LCD显示屏PMIC芯片量产(2024-03-05)
性等方面表现突出。
EPA9900在可靠性和灵活性上具有明显优势。该芯片集成两路正负压电源，为显示Source芯片供电；在控制模式上还特殊支持扩展外部两路电荷泵架构，为显示Gate芯片供电。同时，其支持输出电压、启动......
Diodes推出符合汽车规格的碳化硅MOSFET产品，可提升车用子系统效率(2023-07-19)
驱动器及牵引变流器。本文引用地址：
DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs......
Diodes 公司推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率(2023-07-19)
驱动器及牵引变流器。
DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs......
IXYS推出了ISOPLUSTM表面贴装功率器件（SMPD）系列的最新产品(2013-03-05)
of discrete devices for designers that need to apply Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
对纳米线的形状进行一定的加工，使得其截面变成圆形。变成圆形对后续的Gate Dielectric生长和器件可靠性有好处。接着进行Gate Dielectric和Gate Metal生长。
图片来源：Eric......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
对纳米线的形状进行一定的加工，使得其截面变成圆形。变成圆形对后续的Gate Dielectric生长和器件可靠性有好处。接着进行Gate Dielectric和Gate Metal生长。
图片来源：Eric......
考究：三星到底有没有偷台积电技术？(2017-04-19)
。
Gate-First就是反过来，先形成栅极、再进行离子布植和退火等后续工法。
还记得iPhone 6S 的芯片事件？
还记得我们在一文中曾提过，联电......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
MOS。MOS 管可以简单的理解为一个自来水阀门，Gate 是控制端，调节 Drain 和 Source 端之间流过的电流大小。
下面是两种 MOS 的典型用法。P 沟道的 MOS 一般 S 接电......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
是有三个引脚，分别是gate，drain和source。至于为啥这么叫并不重要，只要记住他们分别简称g、d、s就可以。
图3
我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口，就可......
英飞凌新能源汽车热管理系统低压执行器驱动系统解决方案推荐(2024-05-06)
三相BLDC电机驱动芯片。相比TLE9563，它只集成了gate driver,
CSA和LDO，相应的故障诊断和保护功能类似，具备复用性，可以降低用户的开发难度。
MOTIX™ Bridge篇......
英诺赛科推出100V双向导通器件，支持48V BMS应用(2023-10-12)
英诺赛科推出100V双向导通器件，支持48V BMS应用;
【导读】英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A，器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到......
基于通嘉科技 LD6620, LD5763C1与LD8526 的USB PD3.(2023-03-02)
，VCC范围为3V至6V。
· 可编程关断电平。
· 快速关闭总延迟为30ns。
· 200A超低绿色模式工作电流。
· Gate source/sink capability能力：0.5A......
新能源汽车热管理系统低压执行器驱动系统解决方案推荐(2023-06-06)
只需要一套gate driver再加一个运放。为此，英飞凌推出了TLE9185三相BLDC电机驱动芯片。相比TLE9563，它只集成了gate driver, CSA和LDO，相应的故障诊断和保护功能类似，具备......
DB HiTek超高压（UHV）电力半导体业务正式展开(2023-11-07)
压电力半导体工艺技术的应用领域广泛，包括家电、汽车、通信、工业等，支持设计和制造用于驱动电机的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市场占电力半导体IC市场的8%，预计自2022年至2027年年......
使用Verilog来编程FPGA(2023-12-21)
- NOT Gate
与门 - AND Gate
或门 - OR Gate
与非门 - NAND Gate
或非门 - NOR Gate
与非门和或非门都是非常通用的门，因为......
英诺达再发低功耗EDA工具，将持续在该领域发力(2023-04-25)
电脑的算力可以每1.2年就翻倍，但是能耗效率的进展却是每2.2年才能够翻倍”。
超级计算机性能与能耗效率曲线（Source: ISSCC 2023）
不仅是大算力芯片，低功......
框图
HUSB311C 是一款USB Type-C & PD控制器芯片，可以分别配置为USB PD3.1 Source only、USB PD3.1 Sink only和USBPD3.1 DRP三种......
HOLTEK新推出HT45F8750/62锂电池管理MCU(2024-09-05 09:35)
EEPROM，在I/O方面具有21个多功能脚位，包括多通道12-bit A/D转换器、比较器等。SPI、I²C和UART通信接口搭配内建IAP功能实现在线更新程序，整合2组Low-side高压Gate......
三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程，第二代制程研发中(2022-02-10)
三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程，第二代制程研发中;韩国三星发表最新财报时也宣布，计划2022下半年商业化生产全球首创的闸极全环晶体管（Gate-All-Around，GAA）技术芯片。新制......
10 月将发布，Google 两款 Pixel 手机可能将搭载高通骁龙 821 处理器(2016-10-18)
被分别命名为 Pixel 和 Pixel XL。
但是品牌名称不会是它们唯一的变化，这两款 Pixel 手机的规格也会有新亮点。
（Source：）
据 Android Police 编辑 David......
先进制程之战：三星/英特尔/台积电动态跟踪(2023-10-27)
将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around
FETs（GAAFET）晶体管，相较于N3E ，该工艺在相同功耗下，速度最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30%
，同时芯片......
KAIST 告三星、高通侵犯其FinFET 专利，台积电、苹果也躺枪？(2016-12-02)
协商破裂。且除了三星、高通和格罗方格之外，今后也计划对台湾台积电、苹果（ Apple）提告」。
KAIST IP 表示，三星、格罗方格、台积电使用 FinFET技术生产、贩售手机芯片，但却......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
（增强型） VS 硅LDMOS结构
从结构看，氮化镓功率器件和硅LDMOS都是横向结构，即他们的源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）都在芯片的上表面。同时......
第5章 定时器/计数器(2024-08-09)
第5章 定时器/计数器;定时/计数器的功能
MCS-51单片机内共有两个可编程的定时/计数器T0和T1。它们都是十六位加法计数器结构，分别由TH0、TL0和TH1、TL1四个8位计数器组成，每个......
为敏感电路提供过压及电源反接保护！(2023-10-17)
示出了当 VIN 带电插入至 –20V 时出现的状况。在连接的前一刻，VIN、VOUT 和 GATE 以地电位为起始点。由于 VIN 和 GATE 连接线的寄生电感之原因，VIN 和 GATE 引脚......
HOLTEK新推出HT45F8750/62锂电池管理MCU(2024-09-09)
功能脚位，包括多通道12-bit A/D转换器、比较器等。SPI、I²C和UART通信接口搭配内建IAP功能实现在线更新程序，整合2组Low-side高压Gate-driver、1组High-side高压Gate......
Altera推出10代FPGA和SoC(2013-06-13)
Altera推出10代FPGA和SoC;Altera公司今天宣布推出10代FPGA和SoC (芯片系统)，帮助系统开发人员在性能和功效上实现了突破。10代器......
如何进行GD32F103系列的BSP制作(2024-01-17)
的所有BSP中，最完善的BSP就是STM32系列，但从2020年下半年开始，国内出现史无前例的芯片缺货潮，我们参考STM32F103系列进行GD32F103系列的BSP制作。
我使......
新唐科技推出基于OpenTitan®的安全芯片，成为Chromebook下一代安全解决方案(2024-05-30)
IC解决方案领导者新唐科技股份有限公司(Nuvoton Technology Corporation)宣布，首款基于OpenTitan® open source secure silicon的商用芯片......
武汉新芯50nm高性能SPI NOR Flash产品全线量产(2020-05-13)
产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，武汉......
先进制程之战：三星/英特尔/台积电动态跟踪(2023-10-27)
最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同时芯片密度增加大于15% 。
英特尔正努力推进“四年五个制程节点”计划，目前其Intel 7和Intel 4已实......
自定义reg52.h头文件（单片机学习重难点核心知识点）(2024-08-14)
位，由外部引脚（T0、T1）作为定时器的启动总开关：GATE=0时，T0和T1无效；GATE=1时，需要T0或者T1开关打开（高电平）定时器才能启动
C/T:计数方式选择，C/T=0时用作定时器，C......
【51单片机】定时/计数器(2024-07-26)
，标识定时器的溢出和中断情况。
定时器/计数器模式控制寄存器（TMOD）
GATE = 0 不受外部中断控制GATE = 1 受外部中断控制（即使软件开启了，也要外部中断引脚置位才行）
方式0......
天天说卡脖子，7nm体现在晶体管的哪部分你知道吗？(2020-09-18)
一名称职的搬运工，我将此视频的内容做浓缩，有兴趣的还是也可以去看看原视频。
在 1997 年以前，几点几微米，或者几百纳米，那的的确确是指的晶体管上面的 gate 的长度（gate 在大陆叫做栅，在台......
全双工，同步传输的SPI通讯原理是如何工作的?(2024-04-22)
和MISO连接到从设备的相应引脚。从设备与主设备之间只有一组SCLK、MOSI和MISO线连接，如下所示：
Source: Basics of the SPI Communication......
获华为哈勃、英特尔、比亚迪等入股，这家芯片厂商正式闯关科创板(2022-04-03)
速增长趋势。
Source：招股说明书截图
报告期内，公司对前五大客户销售收入合计占营业收入的比例分别为32.17%、30.29%、33.32%和50.23%，2021年1-9月的......
51系列单片机定时器的实用方法(2023-09-12)
器工作模式寄存器TMOD，不可位寻址，需整体赋值，高4位用于定时器1，第四位用于定时器0。
C/T：为定时器功能选择位，C/T=0对机器周期计数，C/T=1，对外部脉冲计数。
GATE:门控......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
16nm/14nm演变的过程中，芯片制造商的晶体管从平面型进化到FinFet，其中最大的一个原因就是FinFet可以解决平面型设备的短沟道问题。在FinFet的时候，通过在Fin的三面环绕gate，可以......
力拼台积电，三星宣布3纳米GAA成功流片(2021-06-30)
2019年5月发布，并2020年通过制程技术认证。预计此流程使三星3纳米GAA结构制程技术用于高性能运算（HPC）、5G、行动和高阶人工智能（AI）应用芯片生产。
三星......
STM32G0技术详解 _ USB Type-C的物理接口(2023-03-03)
）分别连接到两条CC脚上；
SINK通过检查到VBUS来确定一个SOURCE的连接；
SINK通过CC脚上的上拉电阻来建立和检查一个正确的高速USB数据路径（正反向）；
如果SINK支持PD和/或者......
小米/OPPO现身股东榜，这家模拟芯片厂商科创板IPO获受理(2021-11-25)
小米/OPPO现身股东榜，这家模拟芯片厂商科创板IPO获受理;11月24日，上交所正式受理了江苏帝奥微电子股份有限公司（以下简称“帝奥微电子”）的科创板上市申请。
△Source：公告......
机构：台积电N3良率最高可达75%至80%，远高于三星3GAE(2023-01-03)
积电尚未证实这些报告。
在三星代工厂使用其3GAE（3nm 级，gate-all-around early）节点开始大批量生产几个月后，台积电开始基于其首个N3（3nm 级）制造工艺大规模生产芯片......
又2项，华为再公开芯片相关专利(2022-05-09)
又2项，华为再公开芯片相关专利;继4月5日公开“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利后，华为技术有限公司近日又公开了2项芯片相关的发明专利。
△Source：国家知识产权局网站截图
5月6日......
相关企业
、产品应用开发、产品验证、特性化测试及失效分析等。 苏州瀚瑞微电子有限公司以市场需求为导向，结合公司的技术优势，相继推出了TangoS系列电容式触摸屏控制芯片，Analogue TFT source
电路的专家加盟。 苏州首长瑞芯微电子设计、开发、销售平板显示屏幕的驱动芯片，业务涵盖集成电路设计的全部流程 ,包括 IC 设计、工艺开发、IC 封装技术、IC 测试、产品应用开发、产品验证、特性
SwitchingTM technology in our Gate Driver Cores, Plug and Play Gate Drivers are suitable for SiC
was required by congress to testify during the Water Gate scandal.
Martel has since remained a favorite
;Golden Gate Electronics Ltd;;
;Source Time International Ltd.;;SOURCE TIME IS A TRADING COMPANY FOR ELECTRONIC COMPONENTS
;深圳市启明微电子有限公司;;存储芯片（EEPROM 和 Nor flash）、电源稳压芯片（线性稳压和 DC\DC 稳压）、功放芯片、运放芯片、锂电池充电管理芯片、保护芯片、液晶驱动芯片、比较芯片
Techni-Source;;Techni-Source is committed to provide dedicated service, growth and support
南科单晶硅有限公司（SILICONA），1996年创立。 3、珠海南科集成电子有限公司（ACSMC），1998年创立。 4、珠海南科集成电路芯片设计有限公司，2002年创立。 珠海
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