【导读】英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A,器件采用单 Gate 设计,通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。
英诺赛科产品部Shawn表示:“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET,实现电池充电和放电双向开关,进一步减小导通电阻,降低损耗。VGaN 器件采用单 Gate 设计,通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。”
为便于客户验证和导入,英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案,设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势,具备巨大的市场潜力。
产品特性
● 支持双向导通,双向截止,无反向恢复
● 极低的栅极电荷
● 超低的导通电阻 100V/3.2mΩ
● 超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm
应用领域
● 电池管理系统 (BMS)
● 双向变换器的高侧负荷开关
● 电源系统中的开关电路
● 性能与优势
INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A,150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款产品采用兼容引脚设计,均为 FCQFN 4x6mm 封装,客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。
INV100FQ030A 规格书首页
英诺赛科100V 氮化镓系列产品已量产三款WLCSP 封装产品(INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A),两款 FCQFN 封装产品(INN100FQ016A、INN100FQ025A)。当前新增一款FCQFN 封装双向导通 VGaN 芯片 INV100FQ030A,进一步丰富了 100V InnoGaN 系列,扩大应用范围,也为更广泛的场景提供选择。基于持续创新与核心技术的提升,英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速应用系统小型化、更高效、更节能。
目前,INV100FQ030A 已进入小批量试产,如需申请样品,或查询详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型、VGaN BMS系统Demo方案等资料,可以通过微信公众号私信/留言联系获取。
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