英诺赛科推出100V双向导通器件,支持48V BMS应用

发布时间:2023-10-12  

【导读】英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A,器件采用单 Gate 设计,通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。


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英诺赛科产品部Shawn表示:“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET,实现电池充电和放电双向开关,进一步减小导通电阻,降低损耗。VGaN 器件采用单 Gate 设计,通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。”


为便于客户验证和导入,英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案,设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势,具备巨大的市场潜力。


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产品特性


●   支持双向导通,双向截止,无反向恢复

●   极低的栅极电荷

●   超低的导通电阻 100V/3.2mΩ

●   超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm


应用领域


●   电池管理系统 (BMS)

●   双向变换器的高侧负荷开关

●   电源系统中的开关电路

●   性能与优势


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INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A,150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款产品采用兼容引脚设计,均为 FCQFN 4x6mm 封装,客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。


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INV100FQ030A 规格书首页


英诺赛科100V 氮化镓系列产品已量产三款WLCSP 封装产品(INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A),两款 FCQFN 封装产品(INN100FQ016A、INN100FQ025A)。当前新增一款FCQFN 封装双向导通 VGaN 芯片 INV100FQ030A,进一步丰富了 100V InnoGaN 系列,扩大应用范围,也为更广泛的场景提供选择。基于持续创新与核心技术的提升,英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速应用系统小型化、更高效、更节能。


目前,INV100FQ030A 已进入小批量试产,如需申请样品,或查询详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型、VGaN BMS系统Demo方案等资料,可以通过微信公众号私信/留言联系获取。



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