资讯
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址：其结......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。
小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
加合适的电压才能工作，下面说明其工作原理：
增强型NMOS管工作原理
电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。
当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
3. P2
1个输出锁存器1个转换开关MUX2个三态输入缓冲器1个反相器输出驱动电路
3.3 输入功能
同样需要先通过内部总线向锁存器写1......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
）技术，但台积电仍在探索该技术，预计A14可能将像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术。
考虑到自家N2节点计划于2025年底量产，N2P节点......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
关断时提供电流通路，以避免管子的反向击穿，其典型特性参数见表1.T1~T3采用PDTC143ET 为场效应管提供驱动信号。
由图1 可知，A1~A3 提供三相全桥上桥臂栅极驱动信号，并与ATMEGA16单片......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
他任何开路输出的比较器代替运放，因为开路输出的高电平状态输出阻抗在1千欧以上，压降较大，后面一级的三极管将无法截止2. 栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管本身的栅极......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
和非Q端输出，如果DUAN输入1，则非Q=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
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3. P2
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
平时关闭。 补充阅读：MOS管驱动电路设计细节。正转 场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点，在连接好上图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
：
MOS管驱动电路设计细节
。
正转
场效应管是电压控制型元件，栅极......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
在技术方面，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
宽频带放大电路
图8 绝缘栅型场效应管放大电路
该电路是由共栅极和共漏极放大器构成的，用于放大1-30MHz的高频信号。VT1为共栅极......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
出高电平（约11V），场效应管进入可变电阻区，栅极电荷量积累过多，会导致场效应管切换回恒流区时速度过慢。可以通过降低LM358的电源电压（降低至7V左右），限制其输出的电压幅度，改善上述现象。
输入......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
的需求增长速度相当。”
他补充道：“功率场效应管推动这些应用的需求增长，除了更广为人知的汽车应用外，还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的性能能够直接影响这些应用......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。
其实，场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11 15:11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%，在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路，主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%，在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路，主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
相关企业
;鸿跃电子;;主营二.三极管：片状（肖特基、稳压、整流、开关、PIN、发光、振荡、射频、复合、高频、场效应、单.双栅、
;深圳市鸿跃电子;;公司专营:二.三极管：片状（肖特基、稳压、整流、开关、PIN、发光、振荡、射频、复合、高频、场效应、单.双栅、
开发设计各类数字音频方案(AC-3\DTS)，与国内几大音响品牌均有合作项目。公司主要全线代理台湾三合微科有限公司在音响、家电类的集成电路及全系列的场效应管产品，场效应管应用于各类数码产品上，包括
.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
器.双栅场效应管.高频微波管.微波高频模块系列．SMD.钽电容.电容.电阻。二.三级管.变容管系列.等配套元器件。 祥兴电子以“重信誉.高质量.优质服务”为宗旨，以“守信.保质.薄利”为原则；公司
传感IC、光照探测器、红外数据头、光纤收发头、镭射激光管、发光二极管等。 B 传感器件系列：气敏传感器, 温度传感器、霍尔传感器、人体感应器、X射线传感器、倾斜传感器等。 C 高频场效应系列：双栅场效应管
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