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) 器件的高良率。 Soitec 利用其独特的专利技术 SmartSiC™ 生产碳化硅优化衬底,助力提升电力电子设备的性能以及电动汽车的能效。 北京,2022 年 7 月 22 日——法国 Soitec......
机能效MAP图 于是提高电机控制单元中的主逆变器能效,成为提升整个电驱系统能效的新方向。 也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块! △ 碳化硅材料优点 碳化硅SiC MOSFET 的优点......
提升整个电驱系统能效的新方向。 也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块! △ 碳化硅材料优点 碳化硅SiC MOSFET 的优点有很多,体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高(是硅......
主驱逆变器的电动汽车可实现更高效的电驱控制,提高续航里程,减少电池消耗。碳化硅优异的性能表现及成本的不断降低,将带来系统级成本优势从而加速其在纯电动市场上的应用。 国投创业公众号消息显示,芯聚能半导体未来重点发展市场竞争优势显著的车规级碳化硅......
网和移动应用发展的关键引擎。 Soitec 发布首款 200-mm SmartSiC™ 碳化硅优化衬底 2022 年 5 月 4 日,Soitec 发布首款 200-mm SmartSiC™ 碳化硅优化衬底,该款SmartSiC......
 MOSFET 的优点有很多,体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高(是硅基的10倍)、导热率高利于散热,及更高的功率密度等。 △ 碳化硅优势原理解析 最重要的是使用SiC碳化硅......
和成本等方面提出了更高要求。碳化硅(SiC)宽禁带半导体材料具有高临界场强、高载流子饱和速度和高热导率等优势,使得SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管等功率半导体器件具备更大电流密度、更快开关速度、更低开关损耗和更高工作温度等优点......
 MOSFET 的优点有很多,体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高(是硅基的10倍)、导热率高利于散热,及更高的功率密度等。 △ 碳化硅优势原理解析 最重要的是使用SiC碳化硅......
提高电机控制单元中的主逆变器能效,成为提升整个电驱系统能效的新方向。 也就是用SiC碳化硅模块替代目前主流的IGBT模块! △ 碳化硅材料优点 碳化硅SiC MOSFET 的优点有很多,体积......
分车企和零部件供应商都在积极保供。 碳化硅优势多多 用碳化硅制成的芯片被认为是新一代逆变器的核心。当用于电动汽车逆变器时,碳化硅芯片比硅芯片具有许多优点碳化硅芯片可以在更高的电压(800 V或更高)下更加稳定,从而......
洞迁移率较差,此外硅的导热率表现不佳,而“发热”是许多电子产品的主要瓶颈,也因此碳化硅正在逐渐取代硅(包括特斯拉在内的电动车),尽管碳化硅电子移动率(electron mobility)较低,但导......
宣布收购LPE的所有流通股且双方已签署了协议;而安森美对GTAT、Qorvo对UnitedSiC的并购则已完成。 二来,与产业链企业的合作同样是国际企业扩大碳化硅优势的一大“法宝”。其中,LPE已经......
应用材料公司在制程技术与生产设备方面的支持,将在CEA-Leti(法国原子能委员会电子与信息技术实验室)的衬底创新中心中增加一条碳化硅优......
通过罗姆优良的技术能够实现单个元件尺寸的增加,目前的主流从2015年开始为25平方毫米最大的规格,到2024年罗姆会实现50平方毫米的产品,可以支持更高电流输出的需求。 罗姆第4代碳化硅优势第4代碳化硅具备低损耗、使用简单、高可......
有许多用途,其中石墨是生产中必不可少的成分。 碳化硅优异的表面硬度有助于其在工程应用中的使用,在这些应用中,组件需要高度的滑动、耐侵蚀和耐腐蚀磨损性能。制造碳化硅最直接的过程是在 1,600......
产品特点 碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点,这就使得碳化硅......
导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点,这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的......
要的一个好处就是它生长出来的晶体良率比较高,就相当于变相地降低了每一片的成本。相比同类硅基器件而言,碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点,在电动汽车、光伏、轨道交通、5G通信等领域具有重要的应用价值。多年来,陈小......
(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT,碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率,能够显著提升新能源汽车的性能和能效。 电机......
变更为下述Single型。具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点: 减少功率器件数量,节省空间,简化电路,降低......
现更高性能和更多的应用。第三代半导体技术相对于传统半导体技术(通常是基于硅材料的技术)具有多方面的优势,这些优势使它们在各种应用中具有重要的价值,以下是第三代半导体技术的一些主要优点: 高性能:第三代半导体材料(如碳化硅......
公司临港工厂贯通。 资料显示,碳化硅基压电复合衬底‌是一种由碳化硅和其他材料复合而成的材料,具有高硬度、耐高温、耐腐蚀等优点,应用电子、光电和机械等行业。 天眼查显示,达波科技(上海)有限公司成立于2024年......
拉动力系统工程负责人Colin Campbell在提到要减少75%的碳化硅使用量之前,首先强调了碳化硅部件的关键作用。 事实上,碳化硅的确优点诸多。作为第三代半导体中的代表材料,碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压......
高频隔离光伏逆变器,与现有光伏逆变器相比具有体积小、重量轻等优点,既降低了系统成本,又提高了系统效率和系统安全性,可以以此构建低成本高效率的光伏建筑一体化电气系统。 图6:低碳院自主开发的新型全碳化硅......
碳化硅功率器件的基本原理及优势;随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点......
实现更紧凑的电源设计。 综合以上优点,在相同的功率等级下,设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小,同时效率也有大幅度的提升。 回到这里,碳化硅......
续推进湖南与重庆工厂量产进程。 碳化硅MOSFET方面,该公司推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品,具有高性能、高一致性和高可靠性等优点。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置; 【导读】意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚......
市场需求激增,碳化硅衬底商纷纷斩获大单;碳化硅(SiC)器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。 碳化硅衬底是碳化硅......
,在新能源汽车的高压充电技术方面,碳化硅作为其中的关键材料,其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料,具有耐高压、导热好、耐高温等优点,是实现高压快充技术的核心材料,能够......
英寸时代。 SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅,对生......
道数字栅极驱动器采用Augmented Switching技术,具备生产认证且可完全配置的优点。为确保可靠安全运行,2ASC-12A2HP栅极驱动器为碳化硅MOSFET电源系统提供多层级控制和更高保护标准。与传......
是三相交流电动机)。 交流-直流转换器:用于在制动能量回收过程中以及从标准住宅或高功率充电站为车辆电池充电。 碳化硅的优点 SiC 一直是电动汽车的技术加速器。由于具有更宽的带隙、更强......
项目已经落地实施。 例如,在汽车的高压充电技术方面,碳化硅作为其中的关键材料,其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料,具有耐高压、导热好、耐高温等优点,是实现高压快充技术的核心材料,能够......
兼容C3D02065E,碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体,凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点,其使......
化层的形成。由于碳化硅材料中同时含有Si和C原子,因此需要一种非常特殊的栅介质生长方法。SiC-MOSFET采用沟槽结构,以最大限度地发挥SiC的特性。 3、碳化硅MOS的优点 硅IGBT通常......
(SiC)功率半导体的生产。 作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅颇受资本市场青睐。碳化硅(SiC)器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置;意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置;2023 年 10 月 30日,中国– 意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置;意法半导体发布了ACEPACK[1] DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标......
第三代半导体碳化硅,又传动态;近期,第三代半导体碳化硅传来新进展:中国台湾拟新建一座碳化硅工厂;芯联集成为乐道L60供应碳化硅模块;罗姆半导体为法雷奥提供碳化硅塑封型模块;江苏......
车充电一般原理图 据此,本文提到基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D05120K,具有高效率、无开关损耗、低散热器要求和并联设备无热失控现象等优点,起到整流作用,可应用于开关电源(SMPS)等领......
耗模型为P=I2*R,在较小功率或较小电流应用中,其损耗小于IGBT,因此碳化硅的这一优点更符合小型轿车的应用场景。而且碳化硅的热传递性非常好,且绝缘能力强,这些特性非常适合高功率的应用。除此之外,碳化硅......
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD);Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD) 【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管;专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果,第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS; 全系列中低压车规级MOS  碳化硅MOS 产品描述: 南京江智主要产品为车规级MOS和SIC MOS,车规级MOS已批......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管; 【导读】唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅......
,包括分子束外延、磁控溅射和脉冲激光淀积等,CVD的优势在于可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点,是目前已经成功商业化的 SiC外延技术。 评价一款碳化硅......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用;电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层......
具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。 在此碳化硅入局的绝佳窗口,华为的碳化硅布局早早拉开。本次发布智能电动产品之前,华为......

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;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址:山东省滕州市经济工业园区 电话:0632-5883388 5883366 传真:0632-5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅,刚玉莫来石耐火材料,产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有:规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口;粉体煅烧匣钵;氧化
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户解决问题并与客户共同发展”的理念,我们设计生产的高性能碳化硅产品具有更轻、更薄、更节能的优点,可给许多高温客户带来附加效益。公司拥有目前国际先进的多台超大真空感应烧结炉,最高烧成温度可达2450℃。并拥
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑(1750℃)可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品,主要产品有:碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石(红柱石)-莫来石系列产品,其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉