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研发客服碳化硅（SiC）器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。
碳化硅衬底是碳化硅发展的关键材料，碳化硅衬底早已成为行业焦点，而碳化硅衬底商近期的一举一动也颇受市场关注。
碳化硅衬底商屡获大单
当前，电动汽车市场的飞速增长推动了电动汽车动力系统、车载电池充电装置和充电基础设施对碳化硅电力电子设备的需求。
据TrendForce集邦咨询预估，2022年车用碳化硅功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
面对碳化硅的强烈需求，下游厂商纷纷选择备货，也因此，6英寸碳化硅衬底签单不断。
短短几天，高意集团（II-VI）已拿下两份碳化硅衬底大单。8月17日，高意集团宣布，已与天域半导体签订1亿美元订单，向后者供应碳化硅6英寸衬底，从本季度开始到2023年底交付。
8月23日，高意集团再宣布，已与英飞凌签订碳化硅衬底多年供应协议，将为后者供货6英寸碳化硅衬底，双发还将合作向8英寸碳化硅衬底过渡。
英飞凌首席采购官Angelique van der Burg表示，公司正在加大碳化硅制造投资力度，以满足公司客户快速增长的需求。
此前国内碳化硅衬底第一股天岳先进斩获近14亿元的神秘大单。7月21日，天岳先进与某客户签订了时长三年的6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同。
按照合同约定年度基准单价测算（美元兑人民币汇率以6.7折算），预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。天岳先进2021年营收4.94亿元，此次交易金额是该公司去年总营收的2.8倍。
未来8英寸将成主流？
众所周知，碳化硅长晶难度大，从6英寸到8英寸难度数倍增长。可面对未来的趋势，此时的碳化硅衬底商正在加速研发和扩产布局。
观碳化硅衬底市场尺寸趋势，4英寸渐渐淡出，6英寸长时间引领，而今年市场频繁传出的积极信号预示着未来碳化硅衬底晶圆将从6英寸逐渐向8英寸升级。
技术研发方面
今年2月，日本NEDO（新能源与产业技术开发机构）宣布，将启动“下一代数字基础设施建设”项目，总预算为1376亿日元（约76亿元人民币），计划于2021年-2030年期间实施。其中，下一代绿色功率半导体项目专门针对碳化硅技术，分为8英寸碳化硅MOSFET器件和模块、8英寸碳化硅衬底技术开发2个方向。
8英寸碳化硅衬底项目实施主体为昭和电工、Mipox、中央玻璃株式会社，项目总预算约为258亿日元（约14亿元人民币），其中NEDO将资助186亿日元（约10亿人民币）。该项目将开发超高品质8英寸、低成本的碳化硅晶圆，并开发下一代碳化硅单晶的快速生长技术，同时进行8英寸碳化硅晶圆性能验证。
3月，中电材料下属公司山西烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体，成功解决了大尺寸单晶制备的重要难题，并实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。
8月，晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体成功出炉。这意味着晶盛机电第三代半导体材料碳化硅研发自此迈入8英寸时代，这是晶盛机电在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。
此外，法国半导体材料商Soitec积极开拓碳化硅市场。在8英寸碳化硅衬底方面，Soitec于5月宣布首片8英寸碳化硅衬底研发成功。
产能扩充方面
2022年3月，高意集团表示，正在加快对150毫米和200毫米碳化硅衬底和外延晶圆生产的投资，在宾夕法尼亚州的Easton和瑞典的Kista进行大规模的工厂扩建。这是该公司先前宣布的在未来10年内对碳化硅投资10亿美元的一部分。
高意集团Easton工厂将在未来五年内将II-VI的碳化硅衬底产量增加至少6倍，它还将成为II-VI的200毫米碳化硅外延片旗舰制造中心，这是全球最大的制造中心之一。
今年，Wolfspeed将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已通线，并计划建设第二个8英寸碳化硅器件生产厂。而意法半导体购买设备拟建设8英寸碳化硅衬底生产线。
7月下旬，超芯星6英寸碳化硅衬底进入美国一流器件厂商。超芯星表示，为满足国内外市场的订单，公司正在有序交货及稳步扩产，计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。
封面图片来源：拍信网
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