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晶圆总经理助理陈秀芳带来题为“大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备”的主题报告。 近期，在第八届国际第三代半导体论坛召开的“碳化硅衬底......
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作;7月4日，碳化硅衬底厂商天岳先进在投资者互动平台表示，公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与国际半导体知名企业加强合作，包括......
科友半导体已累计投入研发经费近2000万元，获得授权专利达133项。 科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？;当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占......
天岳为天岳先进全资子公司，上海天岳公示环评表明该公司的上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底产能建设已经进入实质性阶段。据悉，天岳先进临港工厂已经达到年产30万片衬底产能规划目标。临港工厂的8英寸碳化硅......
科友半导体重大科技专项中期验收通过验收;据科友半导体消息，2023年12月10日，哈尔滨市科技局组织省内外专家，在松北区组织召开“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目......
总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和村底制备等完整的生产线。 南砂晶圆的产品主要以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主。南砂......
导电型于近期已经形成规模化并进入量产阶段，产品在持续交付；另外，天岳先进于今年7月拟定增募资3亿元，用于投资8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目。 天岳先进董事长、总经理宗艳民称，从降本的角度，长期......
了8英寸碳化硅键合衬底。 Resonac与Soitec本次合作围绕8英寸碳化硅键合衬底制备进行突破，有望通过降低8英寸碳化硅衬底生产成本，为产业界客户提供更具竞争力的价格。 Resonac......
购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片，将为徐州经开区集成电路与ICT产业集群提供重要支撑。据了解，江苏天科合达是北京天科合达全资子公司。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底......
标准化厂房、危化库、固体库等设施。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片。此次二期扩产项目投产后，天科合达徐州基地碳化硅......
加工生产线建成；10月，首批8英寸碳化硅衬底下线；目前，年产能稳步扩充到数千片。科友半导体开发的8英寸碳化硅材料装备及工艺被中国电子学会组织的专家委员会评为“国内领先、国际先进水平”，是国内首家基于电阻式长晶炉制备......
也对其提出了更严苛的质量与性能要求。碳化硅相较传统单晶硅材料综合性能优越，替代市场空间广阔，已成为当下最具投资价值的半导体材料之一。但目前我国碳化硅产业整体发展落后于欧美日国家，亟待突破大尺寸低成本碳化硅衬底制备......
工艺，单独建造和运营一个新的8英寸碳化硅衬底制造厂。合资公司将与湖南三安签订长期碳化硅衬底供应协议，以保证合资公司未来材料的工艺需求，每年规划生产的8英寸碳化硅衬底为48万片......
导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬底制备......
的国内厂商的产品同样有着不输于国际大厂的品质。 事实上，受益于新能源汽车、5G通信等新兴产业的需求拉动。可以看到，近年来国内企业从碳化硅衬底制备到器件开发等方面，技术不断取得突破，产品质量和产能规模也在逐步提升，已经......
产业结构发展半导体核心材料产业，目标是占有国内第三代半导体衬底材料20％以上的市场份额。 段树国进一步指出，公司生产的4英寸和8英寸碳化硅衬底材料与国内同品类相比较，综合成本低于市场6成，晶体生长周期缩短一半。科友半导体大尺寸碳化硅......
功率器件在新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网、航空航天等领域呈现出比硅功率器件更好的耐高温、耐高压特性。从制备环节上看，碳化硅器件主要分为衬底制备、外延、器件设计、器件制造、封测等环节，其中，碳化硅衬底......
率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬底制备到产业化的快速布局；科友半导体近期则表示，该公司的8英寸碳化硅长晶良率达到60%左右，8英寸碳化硅衬底......
厚度接近19.6mm，加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片。 此外，山东大学官网在2022年9月份也宣布，徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备技术领域取得重要突破。据悉，团队......
台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移（SAPS）清洗技术，在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。 据介绍，盛美......
意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术;意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术 •双方同意对Soitec技术进行产前验证， 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 •提供......
龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。 技术方面，作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底......
户提供车规级低缺陷密度的8寸SiC单晶衬底，形成行业竞争力。 天成半导体成立于2021年8月成立，由第三代半导体材料领域高层次人才发起，团队常年深耕碳化硅单晶衬底制备科研领域，技术方面具有核心竞争优势。该公司的技术研发和生产涉及碳化硅......
出约三倍。据悉，该建设工程预计于2026年初完工。并将为该地区创造新的就业机会。 天岳先进加快扩建8英寸碳化硅衬底产能  近日，上海临港管委会网站近日发布了上海天岳“碳化硅......
。 在2022年年报中，三安光电指出，湖南三安作为国内为数不多的碳化硅垂直产业链制造平台，产业链包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，碳化硅产能已达12000片/月，硅基氮化镓产能2000片......
意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂; • 该项目将成为欧洲首座碳化硅外延衬底（SiC epitaxial substrate）制造厂• 实现完全垂直整合，加强碳化硅组件及解决方案衬底......
布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。 据悉，液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅......
意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术; · 双方同意对Soitec技术进行产前验证， 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 · 提供关键半导体赋能技术，支持......
国内8英寸SiC传来新进展！;近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。 在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶......
单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。 天域半导体 天域半导体日前获得近12亿元融资，投资方包括中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、嘉元科技、招商资本、乾创......
铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家知名投资机构。 天科合达是我国碳化硅衬底龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备......
成本的重要途径，碳化硅衬底行业未来必然向着更大尺寸的方向发展。公司先前已经布局了8英寸产品的研发，是国内最早研发和布局产业化的企业之一，包括“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等。公司将持续加大8......
碳化硅衬底企业同光股份完成15亿元F轮融资;近日，第三代半导体材料碳化硅单晶衬底制造企业河北同光半导体股份有限公司（以下简称“同光股份”）宣布完成F轮融资。 本轮融资规模为15亿元，由深......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！;近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8......
生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，并在......
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作; - 双方达成协议，将针对采用 Soitec 技术生产 200mm 碳化硅(SiC)衬底进行验证 - Soitec 关键......
，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。经过十余年的技术发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备......
面达产。 同时，三安光电独立投资70亿元人民币配套建设一座8英寸碳化硅衬底厂。 其中，“衬底厂”重庆三安由三安光电全资子公司湖南三安于2023年7月全资设立，专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造，规划......
功率半导体市场需求攀升，盛美上海首获Ultra C SiC衬底清洗设备采购订单;今日，盛美上海宣布，首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制......
进度超预期。根据2022年募投计划，公司将于上海临港建设碳化硅衬底生产基地，扩大公司在导电型碳化硅单晶衬底的生产能力，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型碳化硅衬底......
，具备批量制备能力并形成自主知识产权。项目的阶段验收成功通过，表明科友在8英寸碳化硅衬底产业化方面迈上了新的台阶。......
产能有望提前达产，第二阶段96万片产能规划也已启动。 尽管目前导电型碳化硅衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先进就公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，目前公司已经具备8英寸......
，“衬底厂”重庆三安半导体由三安光电全资子公司湖南三安半导体于2023年7月全资成立，注册资本18亿元，项目预计投资70亿元，专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片......
意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术; 双方同意对Soitec技术进行产前验证，以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 提供关键半导体赋能技术，支持......
意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术;• 双方同意对Soitec技术进行产前验证，以面向未来的8寸碳化硅衬底制造• 提供关键半导体赋能技术，支持......
半导体脱胎于半导体材料专家杨德仁院士指导下的浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“浙大科创中心”）先进半导体院碳化硅衬底项目，该项目在碳化硅衬底的研发制备上曾取得了系列研究成果。乾晶半导体与浙大科创中心建有联合实验室，也与......
因具有更高的有效利用率，帮助降低成本，近年来备受业界重视。 除了晶盛机电透露碳化硅衬底进度外，此前在2023年半导体论坛上，天岳先进CTO高超博士表示，公司已通过液相法制备出了低缺陷密度的8......
功率半导体市场需求攀升，盛美上海首获Ultra C SiC衬底清洗设备采购订单;今日，宣布，首次获得碳化硅设备的采购订单。指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第......
头部厂商持续加码布局，欧洲首座6吋SiC外延衬底生产基地敲定;近日，意法半导体宣布，五年内投资7.3亿欧元在意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅......

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