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研发客服7月8日，天岳先进发布公告称，其拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。
预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。天岳先进本次募资的3亿元主要投向建筑工程及安装工程费用及设备购置费。项目建设周期为24个月，包括厂房净化间装修改造、设备采购安装、新技术和工艺试验等三个阶段。
此前，据上海临港管委会官网信息显示，天岳先进的“碳化硅半导体材料二期（一阶段）项目”的环评信息已于近日公示。上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设，并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。
公开资料显示，上海天岳为天岳先进全资子公司，上海天岳公示环评表明该公司的上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底产能建设已经进入实质性阶段。据悉，天岳先进临港工厂已经达到年产30万片衬底产能规划目标。临港工厂的8英寸碳化硅总体产能规划约60万片，公司将分阶段实施。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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