资讯
AI大面积催化HBM需求，国产产业链“静水流深”(2023-11-17)
内存带宽及功耗瓶颈
HBM（High Bandwidth Memory）即高宽带存储器，相对于GDDR显存来讲，HBM是一种3D堆叠方式，通过使用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM，与GPU......
传SK海力士与台积电谈AI芯片联盟，合作开发HBM4(2024-02-08)
势是可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，因而HBM也被认为是加速下一代AI技术发展的领先存储技术。相较于前三代HBM，HBM4拟更......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
加快AI数据处理速度。业界指出，HBM可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，也因此更适用于ChatGPT等高......
存储大厂新厂动工，半导体先进封装战局激烈(2025-01-13)
坡副总理兼贸工部长颜金勇表示，政府将会加倍投资以推动专精半导体（如NAND快闪存储器）的发展，或开发高带宽存储器等新领域。
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存储大厂发力，HBM先进封装技术受追捧
事实上，除美光之外，HBM领域......
HBM4“华山论剑”，谁将登顶？(2024-12-26)
HBM4“华山论剑”，谁将登顶？;在AI大模型叩响全球智能大门的进程中，HBM（高带宽存储器）凭借强大的数据存储与读取动力骤然崛起，引发了一场惊心动魄的半导体存储技术争霸赛。
近几年，SK海力......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
键合是下一代封装技术，指的是芯片垂直堆叠，能提高单元密度，进而提高性能，该技术也将对HBM4以及3D DRAM带来影响。
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HBM4呼之欲出
AI时代下，HBM尤其是HBM3E在存储器......
华为/中科院共研成果即将亮相？3D DRAM商业化尚需时日(2022-05-30)
芯片尺寸的不断微缩，DRAM工艺的微缩变得越来越困难，平面DRAM的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，各大厂商开始将目光锁定3D化发展。其中，HBM（高带宽存储器）为代表性产品。
2014年，AMD和SK海力......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？(2024-04-25)
将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。
3D DRAM时代将于2025年开启？
与传统DRAM相比，3D DRAM可以直接通过垂直堆叠的存储......
研报 | HBM5 20hi后产品将采用Hybrid Bonding技术，或引发商业模式变革(2024-10-30 14:05:02)
量产。
三大业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，已确定于HBM5 20hi世代使用Hybrid Bonding......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
官网
通往3D DRAM道路的技术中，这里要特别提到的是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）和无电容式IGZO（indium-gallium-zinc-oxide）技术......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
上述企业都没有披露该技术的更多信息。
△图片来源：三星官网
通往3D DRAM道路的技术中，这里要特别提到的是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）和无......
再建一座新厂，先进封装迎来最强风口！(2024-06-24)
Bandwidth Memory，根本而言，是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM Die像叠罗汉一样堆叠起来的新型存储器。目前，几乎所有的HBM系统都高度绑定了台积电先进封装技术CoWos......
NEO发表最新3D X-AI芯片，新技术可取代HBM？(2024-08-15)
NEO发表最新3D X-AI芯片，新技术可取代HBM？;专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术，取代目前用于AI GPU加速......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
上述企业都没有披露该技术的更多信息。
△图片来源：三星官网
通往3D DRAM道路的技术中，这里要特别提到的是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）和无电容式IGZO......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
DRAM等。三星、SK海力士对3D DRAM加速商业化有助于推进该技术的发展。
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）技术......
全球HBM战局打响！(2024-03-04)
指出，HBM可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，也因此更适用于ChatGPT等高性能计算场景。
目前，HBM市场......
法断定哪一种技术能受青睐。若原厂决定采用Hybrid Bonding，主要原因应是为及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保后续HBM4e和HBM5顺利量产。三大业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，已确......
HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
与已广泛使用的Micro Bump (微凸块)堆叠......
HBM走俏，暗战打响(2024-04-08)
在某些可以不计成本加入微流道能强力散热机制的场景中应用。HBM可视作在2D和3D之间寻求妥协，采用存储器件3D、逻辑器件2D的方式，尽量避免热量集中。”黄乐天告诉集微网。
存储大厂起干戈，走向......
一文读懂HBM：高带宽内存吸引各大科技巨头抢购的“魔力”到底是什么？(2023-07-27)
几乎必须搭载HBM。
什么是HBM
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器），与其他DRAM最大的差别就是拥有超高的带宽，目前最新的HBM3的带宽最高可以达到819GB......
英伟达联手 SK 海力士，尝试将 HBM 内存 3D 堆叠到 GPU 核心上(2023-11-20)
英伟达联手 SK 海力士，尝试将 HBM 内存 3D 堆叠到 GPU 核心上;11 月 20 日消息，据 Joongang.co.kr 报道，SK 海力士已经开始招聘逻辑半导体（如 CPU 和......
台积电携手力晶打造3D整合芯片 已开始量产出货(2021-08-26)
等劲敌，为全球首创。该3D整合芯片提供相对于现有高带宽存储器（HBM）十倍以上的高速带宽及数倍容量，为中国台湾地区半导体业筑起更难超越的高墙。
力晶集团昨（25）日透......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
最直接的方法是保留当前的DRAM 技术并将多个芯片堆叠在彼此之上。这是用于高带宽存储器(HBM)的高级封装方法。常见的 HBM 芯片为 4 和 8 高，预计很快会达到 16 高。与基本 DRAM 相比，这是......
全球HBM战局打响！(2024-03-01)
时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度。业界指出，HBM可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，也因......
SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力(2024-04-19)
代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限”
2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方......
三星新设内存研发机构：建立下一代3D DRAM技术优势(2024-01-30)
路线宽缩小后面临的电容器漏电和干扰等物理限制；还可以减少功耗和成本，提高可靠性和稳定性。
当前在存储器市场，能和DRAM“分庭抗礼”的NAND Flash早在2015年就已步入3D堆叠，并开始朝着100+层堆叠......
有选择的后摩尔堆叠时代(2023-10-08)
HBM 量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高带宽存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12......
三星拒绝降价，全球DRAM芯片价格将触底反弹？(2023-04-24)
不如减产
DRAM作为存储芯片的第一大品类，占据了全球存储市场超一半的份额，可由于消费电子市场下行，大大减少了对存储器产品的需求，导致本次市场下行的幅度超乎想象。根据TrendForce集邦......
存储大厂现场展示HBM3E产品(2024-03-20)
存储大厂现场展示HBM3E产品;近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200......
存储大厂现场展示HBM3E产品(2024-03-21)
存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerge与美超微展示CXL模组如何提高GPU使用率。
除了和HBM等内存产品外，美光......
HBM黄金风口，你赶上了吗？(2024-05-23)
归入先进封装行列的，但更多是把HBM纳入新型存储器中。HBM其全称High Bandwidth Memory，根本而言，是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM Die像叠罗汉一样堆叠起来的新型存储器......
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？(2023-08-04)
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？;近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器（HBM）、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之......
高端封装技术：攻克存储器系统性能和容量限制(2021-08-02)
（HBM）封装存储器解决方案，以及用于服务器的高密度存储器（HDM）三维堆叠（3DS）技术【图2】。2016年，SK海力士率先应用批量回流焊（mass reflow）工艺?，将4块50 um厚芯片相互堆叠......
半导体巨头押注先进封装！(2023-03-28)
将提供具有竞争力的封装产品，连接高性能存储器，例如通过异质整合技术，并经由EUV制造技术生产最先进的逻辑半导体和高频宽存储器（HBM）。
Kang Moon-soo进一步强调，三星......
HBM：SK海力士、三星、美光三分天下(2023-06-13)
Bandwidth Memory）即高带宽存储器，按照JEDEC的分类，HBM属于图形DDR内存的一种，其通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，并与GPU封装......
三星向子公司Semes订购数十台TC键合机，提升HBM和DDR5产能(2024-01-10)
厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。
报道称，鉴于TC键合机的订单量很大，预计三星还将订购泛林集团制造的Syndion（用于硅通孔（TSV）蚀刻）、Damascene SABRE 3D，这两......
韩存储厂展开DRAM堆叠竞争，成日企商机(2024-04-12)
韩存储厂展开DRAM堆叠竞争，成日企商机;
【导读】据《日经中文网》报道，先进存储器“高带宽内存（HBM）”的开发竞争正在升温。三星电子等正在追赶在堆叠半导体芯片、提高......
HBM：SK海力士、三星、美光三分天下(2023-06-14)
在一起。
HBM通过硅通孔技术实现垂直堆叠
图片来源：美光科技
存储器与处理器性能差异正随时间发展逐渐扩大，当存储器......
SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E(2024-09-26)
的存储器供应商’的地位。”
*高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory): 一种高附加值、高性能存储器。与现有的DRAM产品相比，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数......
SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E(2024-09-26)
是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器......
SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E(2024-09-29 09:40)
是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。公司又表示，12层......
SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E(2024-09-29 09:40)
是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。公司又表示，12层......
基于EUV光刻机，三星宣布率先量产12nm DRAM(2023-05-24)
领域的竞争更加激烈，NAND市场的焦点已经从20nm的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管3D NAND最初是由三星引领，但中国的长江存储（排名第6，232层）和美光（排名第5，232层）率先堆叠突破200层大关。而三......
全面向3D进发，NAND和DRAM创新技术迭出(2023-07-25)
) Xtacking (晶栈)方法。
通常，3D NAND 单元阵列位于其外围电路(如页面缓冲器、感测放大器、电荷泵和 I/O)旁边或之上。同时，从半导体制造的角度来看，使用相同的制造技术制造存储器......
昕原半导体完成近亿美元Pre-A轮融资 28nm制程ReRAM芯片实现量产(2021-04-06)
仍能记住数据。ReRAM的主要优势在于其可扩展性、CMOS兼容性、低功耗和电导调制效应， 此外，ReRAM技术可以3D堆叠，在单个芯片上提供数TB的存储空间。它的简单性，可堆叠性和CMOS兼容性使逻辑电路和存储器......
SK海力士CEO郭鲁正：“就如今年，将于明年生产的HBM产品也基本售罄”(2024-05-02)
速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增
- 公司具备了HBM、基于TSV的高容量DRAM、高性能eSSD等各产品领域的业界最高技术领导力
- 今后将通过与全球合作伙伴的战略合作，提供为客户量身定做的全球顶级存储器......
AI浪潮席卷 存储再进化(2024-03-04)
封装技术发展针对芯片计算性能与功能持续提升的需求，通过中介层、硅穿孔与微凸块等技术达成2.5D/3D的小芯片堆叠，使厂商能在更小空间内达成更多计算单元与芯片功能整合。AMD的Ryzen 7 5800X3D芯片就是存储......
HBM双雄产能售罄至2025，加码HBM4只因金主不差钱(2024-07-01)
3D堆叠技术提供了高带宽和低功耗的优势，成为许多高性能应用的首选。
近期，美光科技(Micron)宣布其HBM生产产能已全部售罄直至2025年，这一消息紧随SK海力士(SK Hynix)的步伐，后者......
什么是CoWoS？ 用最简单的方式带你了解半导体封装！(2023-10-07)
透过金属球衔接至外部电路。
而2.5D与3D封装技术则是差别在堆叠方式。2.5D 封装是指将芯片堆叠于中间层之上或透过硅桥连结芯片，以水平堆叠的方式，主要应用于拼接逻辑运算芯片和高带宽存储器; 3D 封装则是垂直堆叠......
韩国存储双雄财报出炉，业绩为何又创历史新高？(2024-07-25)
，带动了公司的业绩改善。
其实，从SK海力士今年第一季度的财报里我们已经能够十分清楚的看到这种趋势。凭借HBM等面向AI的存储器技术领导力，SK海力士实现了营业利润环比增长734%的业绩。具体......
相关企业
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器
;存储器;;
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
;鑫焱;;我司是以世界知名品牌的电子元器件及IC集成电路做销售,..产品广泛为单片机/编程/储存器IC/通讯/等.长期提供单片机常用的存储器电路,一般为EPROM存储器(全
专业领域之技术互补以保持领先地位。而 因应 3D IC 时代的来临，钰创积极推动异质性整合，无论从利基型缓冲存储器解决方案，新一代网络摄影控制器，钰创科技都展现了非常雄厚的产品实力，尤其搭配愈来愈普及的 USB3.0 主端
;沈平安;;存储器专营