【导读】据《日经中文网》报道，先进存储器“高带宽内存（HBM）”的开发竞争正在升温。三星电子等正在追赶在堆叠半导体芯片、提高数据处理能力的技术上领先的SK海力士。对于支撑精细堆叠技术的日系设备和材料企业来说，HBM的普及也是巨大的商机。
据《日经中文网》报道，先进存储器“高带宽内存（HBM）”的开发竞争正在升温。三星电子等正在追赶在堆叠半导体芯片、提高数据处理能力的技术上领先的SK海力士。对于支撑精细堆叠技术的日系设备和材料企业来说，HBM的普及也是巨大的商机。
HBM是把多个DRAM芯片堆叠在一起，提高数据处理能力的新结构半导体存储器。随着需要高速处理大量数据的人工智能（AI）普及，需求正在急剧扩大。
由于将半导体电路宽度减至极限的“微细化”正在迎来物理极限，HBM正在把芯片堆叠起来，以三维结构提高处理能力。就像在用于保存数据的NAND型闪存领域展开的堆叠技术竞争一样，在DRAM领域也掀起了堆叠层数的竞争。
领先的是在存储器领域排在世界第2位的SK海力士。SK海力士与在AI领域领先的美国英伟达合作，联合开发并持续供应HBM。
SK海力士于2023年10～12月在存储器行业率先扭亏为盈，很大程度上是因为利润率较高的HBM的销售增加。SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤自信地表示，“HBM将维持年均60%的市场增长。在开发和量产两方面，其他企业很难轻易追上”。
SK海力士准备量产的先进产品把DRAM芯片堆叠至8层。作为下一代产品，已开始提供堆叠12层的样品。三星和美光科技也在加紧开发12层的产品。
但是技术难度很高，需要与现有DRAM量产不同的加工技术。包括立体结构的布线技术、具有散热特性的封装材料、精密削薄硅晶圆的技术等，SK海力士跃进的背后存在着日本供应商的支持。日本的制造设备厂商迪思科、爱德万测试、TOWA等的股价暴涨的背后也有HBM普及这股强劲东风。
在以纳米为单位进行材料微细加工的技术领域，日系企业的作用巨大。三星在横滨市设立半导体研究基地也是为了加深与日系供应商的关系，以扭转局面。
新一代产品的出现使DRAM的行情有所好转，但NAND的反弹力较弱。除了智能手机和个人电脑的销售低迷之外，把照片和视频存储到云端成为主流，抑制终端数据容量的趋势增强，这也产生了消极影响。
韩国有进投资证券针对三星2024财年（截至2024年12月）营业利润预测称，DRAM将赚到13万亿韩元，NAND的利润仅为900亿韩元，不到百分之一。即使同样属于半导体存储器，受益于AI普及的DRAM和没有火车头拉动的NAND之间的收益差距将持续一段时间。
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