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消灭机械盘！SSD明年怒掀普及战：便宜大容量(2016-12-29)
-NAND也预计2017年实现64层NAND大规模量产，以及SK 海力士48层3D NAND的成熟，世界上最为主要的几大NAND闪存制造原厂，几乎都将在2017年迎来大规模的闪存量产井喷，随之......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
上NAND闪存量产的步伐，以夺回技术领先地位。
报道称，美光有望加速200多款NAND芯片的开发。随着美光于2021年底在全球首次量产176层NAND闪存，业内观察人士认为，该公司拥有量产......
评选公布| 2020国内存储产业十大“芯”突破(2021-02-05)
评选结果已经出炉，以下十大热点话题成功入选（排名不分先后）。
长江存储正式推出128层QLC 3D NAND 闪存
2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这也......
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产(2024-11-21)
年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。
公司......
外媒：英特尔悄悄发出新SSD(2022-11-16)
外媒：英特尔悄悄发出新SSD;近日，据外媒《Tomshardware）报道，英特尔已悄悄推出傲腾（Optane）SSD DC P5810X固态硬盘。这可能是英特尔最后一个基于3D XPoint闪存......
铠侠和西部数据在日两合资工厂已获1500亿日元的政府补贴(2024-02-07)
尺寸微缩的极限开始显现，3D闪存于在2016年开始量产。由于存储器容量的快速增长和制造工艺技术的成熟，四日市工厂的产能呈指数级增长。
2022 年，四日市工厂迎来成立30周年。
同年10月，由铠......
英特尔公布全新节点命名方式，加速部署全新制程与先进封装(2021-07-28)
尔有望获得业界首款 High NA EUV 量产工具。
英特尔表示，产业早已意识到，目前以纳米为基础的制程节点命名方式，并不符合自1997年起采用闸极长度为准的传统。 英特尔最新公布制程节点全新命名结构，创造......
NAND闪存芯片进入革新时代(2022-08-05)
芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%，预计2022年底开始量产232层NAND；而SK海力士的闪存芯片由238层存储单元组成，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存(2024-11-21)
层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage，存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
做到相当水准。
长江存储是国内唯一大规模量产了3D闪存的公司，2019 年初实现了32层3D NAND量产，其首创Xtacking技术，顺利研发出64层3DNAND，并于2019年9月量产......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
层数达到 64 层的第 2 代 3D NAND 闪存也在已经准备完成，预计将在 2016 年底要正式大规模量产。
根据外媒报导，美光公司财务长 Ernie Maddock 在 15 日参......
长江存储发布严正声明，回应产能传闻(2021-01-13)
存储32层3D NAND闪存实现首次流片。2018年4月，长江存储生产机台进场安装，项目进入量产准备阶段；2018年第三季度，长江存储32层3D NAND闪存实现量产。
在量产32层3D......
涨价停不下来？浅析SSD涨价的背后原因(2016-10-27)
代替，而3D NAND的量产严重不足，导致整体上闪存颗粒的总出厂量不足，供应无法满足市场需求，各大厂商都在争夺本就不够的闪存颗粒，在竞争中抬高了闪存颗粒的出厂价，反映......
晶振在U盘存储和手机存储的使用区别(2024-05-30)
与USB连接，是U盘的核心，我们一般所说的U盘方案就是指主控芯片的型号。量产工具也是与它对应的。有些主控芯片还要输入3V的电压给FLASH供电，保证闪存的正常工作。
晶振：早期的U盘大......
存储大厂技术之争愈演愈烈(2024-04-16)
存储大厂技术之争愈演愈烈;AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。
闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产......
三星启动其首批第九代V－NAND闪存量产(2024-04-24 09:00)
三星启动其首批第九代V－NAND闪存量产;比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density)通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率近日，三星......
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产(2024-04-23)
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产;
比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density)
通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率
近日......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD(2016-12-16)
第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底将大规模量产。
目前，市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量，或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多，厂商......
闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？(2022-06-17)
密度和容量的最有效方法是垂直于硅片表面堆叠存储单元。目前美光已经开发并量产了176层和大量堆叠单元的3D NAND闪存。
在IMW 2022之前，美光在投资者简报会上宣布，已开发出232层3D NAND闪存技术。简单......
智原与英飞凌联手推出联电40uLP SONOS eFlash平台(2022-12-14 15:52)
系统只需采用一般的检测仪器做测试，确保闪存量产时的质量及可靠性，并可减少检测时间。英飞凌内存解决方案部资深总监Vineet Agrawal表示：“我们很高兴与智原合作，为客户开发这套SONOS eFlash平台......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
另辟蹊径走出了属于自己的3D NAND独特道路。2013年，三星突破半导体精细加工技术的限制，推出并量产第1代24层128Gb V-NAND闪存，一举惊艳全球。该款采用了全球首个3D单元结构“V-NAND......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程;如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产......
泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率(2023-07-04)
泛林集团在晶圆边缘创新方面的专长，Coronus DX 有助于实现更可预测的制造并大幅提高良率，为以前不可行的先进逻辑、封装和 3D NAND生产工......
国产存储芯片打破美日韩垄断还要多久？(2017-08-10)
一种竭泽而渔的商业模式。
上文提到，现在各大闪存芯片厂商正在加紧量产3D NAND，这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点。美光、东芝/西部数据（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特尔也加入到3D NAND。但大......
铠侠推出工业级BiCS FLASH 3D闪存 预计将于2022年Q4末量产(2022-09-16)
铠侠推出工业级BiCS FLASH 3D闪存 预计将于2022年Q4末量产;近日，铠侠宣布推出新的工业级闪存设备，该产品采用最新一代铠侠BiCS FLASH 3D闪存和3-bit-per-cell......
涉专利侵权！中国芯片大厂起诉美国芯片巨头！(2023-11-13)
存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
长江存储是国内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光......
SK海力士发布Q1财报，营业利润增长37%达11.7亿美元(2021-04-28)
shipment） 较上一季均增加了4%.
关于NAND闪存，SK海力士成功提高了面向移动端的高容量产品的销售量，结果其位元出货量环比增加了21%.
对于第一季度以后的市况，SK海力......
三星最大3D NAND厂投产，进一步拉大与中国存储差距(2017-04-13)
开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
据《首尔经济新闻》报道，三星......
签约、开工、投产... 2021年一批存储芯片项目上马(2021-10-09)
和西数推出第六代162层3D NAND闪存；SK海力士量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM。
企业战略规划方面，SK海力士90亿美元对英特尔NAND闪存和SSD业务......
泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率(2023-07-04)
和 3D NAND生产工艺得以采用铺平道路。”
沉积在工艺集成过程中增加了关键保护
与 Coronus 晶圆边缘刻蚀技术互补，Coronus DX 使新的器件架构成为现实，这对......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
3月铠侠和西部数据共同宣布推出218层3D NAND闪存，已开始为部分客户提供样品；SK海力士2022年8月成功开发出世界最高238层4D NAND闪存，今年6月该公司宣布已开始量产238层4D......
3D XPoint内存：Intel 黑科技的机遇与挑战(2016-11-22)
自2015年发布后成为了业界的焦点。去年七月,Intel和Micron宣布他们将在晚些时候给更多客户提供工程样片，3D XPoint可望在一年到一年半的时间内实现量产。
3D XPoint......
三星即将量产290层V-NAND闪存(2024-04-18)
三星即将量产290层V-NAND闪存;
【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;
【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多(2023-10-19)
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多;10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND......
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多(2023-10-19)
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多;IT之家 10 月 19 日消息，是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即称之为的 3D NAND......
2022集邦咨询半导体峰会暨存储产业高层论坛线上会议圆满落幕，演讲干货汇总(2022-10-13)
讯创新已经和浙江大学开始合作共同开发存算一体的芯片，这款产品将是业内首款基于NAND闪存存算一体量产产品，预计24年4月完成设计，10月量产。
大普微副总裁李金星：高端企业级SSD的挑战与机遇
李金......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
层，采用TLC闪存；美光232层NAND Flash已经量产出货；铠侠和西部数据近期宣布，推出218层3D NAND闪存。
此外，SK海力士238层NAND Flash计划于今年上半年量产，该公......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D
NAND......
“宇宙的尽头是铁岭”，那半导体科技的尽头在哪里？(2022-05-19)
的生产效率和数据传输速度将提高30%。
美光176层3D NAND闪存自2020年11月批量出货以来，在数据中心、移动设备中得到了广泛采用。该公司计划在2022年末开始量产的232层NAND芯片采用3D TLC架构，原始......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
和大数据分析。对于 5G 智能手机，更大的容量可以更快地启动和切换多个应用，实现更快的移动体验和更快的多任务处理。
近日，SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
中国闪存市场峰会CFMS2021圆满落幕！产业链大咖精彩演讲内容揭晓(2021-09-16)
PCIe，从高端消费级到企业级，以芯片产品、参考设计、交钥匙方案、全流程量产工具及全天候技术支持等服务全方位支持客户的应用场景。英韧科技的主流产品PCIe3.0、PCIe4.0 SSD控制器芯片Shasta......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
日在旧金山举行，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。本文引用地址：根据会议公开内容：届时将展示其 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术，其中 IT之家......
芯和半导体：Chiplet技术与设计挑战(2023-04-01)
是架构方面需要支持系统级连接、堆栈管理、层次化设计;第二在物理实现方面，需要协同设计环境、支持各领域的工具、多芯片3D布局规划和布线，在分析时不但要做片上的电磁分析，而且要考虑片上和封装的的协同分析，多物......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300......
泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率(2023-06-29 10:41)
续技术解决方案方面的专业知识，帮助泛林集团应对先进半导体制造方面的关键挑战。通过简化 3D 集成，Coronus DX大幅提高良率，使芯片制造商能够采用突破性的生产工艺。”专有工艺推动良率提升Coronus DX 采用......
长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片，加速5G时代存储升级(2022-04-19)
速普及，我们的工作生活随时随地与信息和数据相伴。智能终端需要在短时间内处理海量数据，这对存储芯片的容量、性能及响应速度提出了更加严苛的要求。长江存储依托创新晶栈（Xtacking®）架构3D NAND闪存，已面......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心(2022-08-18)
4XX等更高层数。
西部数据与铠侠于去年合作开发出162层的BiCS6 FLASH™ 3D NAND，并计划2022年底前开始量产。未来，西数/铠侠将发力200+层（2XX层）闪存技术，2032......
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖(2024-07-30 08:56)
VLSI研讨会上提出了BiCS FLASHTM 3D闪存技术的概念。在公布原型后，Kioxia继续通过开发优化该技术，以实现量产，最终于2015年推出了全球首款256千兆比特(Gb)、48层3D闪存......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层(2023-08-18)
用双层堆栈架构，超过 300 层。
报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星......
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