三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多

发布时间:2023-10-19  

IT之家 10 月 19 日消息,是全球最大的 NAND 闪存供应商,对其 V-NAND(即称之为的 3D NAND)的发展有着宏大的计划,本周分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。

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“第九代 V-NAND 基于双层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼器事业部负责人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中写道。

IT之家注意到,8 月份就有消息称,三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND,将继续采用三星在 2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过竞争对手,目前我们知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 将具有 321 层,因此三星第九代 V-NAND 层数应该会更多。

层数的增加将使三星提高其 3D NAND 设备的密度。该公司预计,未来的闪存类型不仅会提高密度,还会提高性能。

“三星还在研究下一代创造价值的技术,包括一种新的结构,可以最大化 V-NAND 的输入 / 输出(I / O)速度。”李政培说。

目前还不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面会有什么表现,不过相信该公司会使用这种存储器来生产其即将推出的固态硬盘,可能会采用 PCIe Gen5 接口。

至于更长期的技术创新,三星致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数,这将使其能够实现业内最小的单元尺寸。这些创新将对推动三星实现拥有超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。


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