资讯
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升(2023-08-03 15:15)
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升;美光旨在通过其最新一代高带宽内存 (HBM3) 技术实现高带宽、效率和速度之间的平衡。美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片......
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升(2023-08-03 15:15)
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升;美光旨在通过其最新一代高带宽内存 (HBM3) 技术实现高带宽、效率和速度之间的平衡。美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片......
外媒曝DRAM行情比预期惨，景气复苏恐延后(2023-08-24)
外媒曝DRAM行情比预期惨，景气复苏恐延后;
【导读】半导体产业供过于求，尤其内存芯片沦为重灾区，根据巴隆金融周刊（Barron's）报道，Susquehanna分析师Mehdi......
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升(2023-08-06)
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升;
【导读】美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片已进入样品阶段。随着生成式人工智能模型变得越来越普遍，设计人员必须克服人工智能内存......
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机(2022-12-27)
还在扩大投资，明年新增至少10台EUV，用于生产最新的12nm级内存芯片。
三星在韩国的内存工厂主要是位于平泽市的晶圆厂，其中P3晶圆厂目前的产能是每月2万片晶圆，三星已经计划扩大投资，增加内存......
芯片供应过剩！三星Q2利润恐暴跌96% 为14年来最低水平(2023-07-07)
供应过剩仍在继续影响三星的半导体业务。
据路透社报道，Refinitiv SmartEstimate对27位分析师进行的一项调查显示，这家全球最大的内存芯片......
总投资50亿元的内存芯片封测项目签约浙江(2021-01-18)
总投资50亿元的内存芯片封测项目签约浙江;近日，浙江桐乡市举行2021年一季度项目推进暨集中签约现场会，18个项目签约落户，涉及先进制造、新材料、半导体等多个领域。
其中，崇福......
消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试，将开始大规模生产(2024-07-04)
消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试，将开始大规模生产;7 月 4 日消息，韩媒 NewDaily 报道称，三星电子通过了英伟达的 HBM3e（高带宽内存）质量测试。三星......
三星将大规模量产HBM内存芯片(2023-06-29)
三星将大规模量产HBM内存芯片;
【导读】据韩媒KoreaTimes报道，业内人士称三星将在2023年下半年大规模量产HBM内存芯片，以满足日渐增长的AI市场需求，同时追赶SK海力士，后者......
美光第二财季营收同比增长三成，多个因素稳定存储芯片市场需求(2021-04-02)
科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra（梅罗群）表示：“美光第二财季的强劲表现反映了快速改善的市场环境和持续稳健的执行力，我们在DRAM（内存芯片）和NAND（闪存芯片）领域具有技术领先优势，并在......
DRAM市场已经开始真正陷入低迷，明年DRAM出货将迎来首次同比下滑(2023-01-12)
模组的价格下滑了 40%，NAND Flash 闪存芯片价格同样跌到不足成本价。
那么今年一季度，两者的走势会如何?
据 DT 报道，DRAM 内存芯片的价格继续缩水，其中 DDR4......
消息称国内存储大厂内存、闪存采购成本上涨约20~30%(2023-10-13)
和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30......
内存芯片过剩担忧7月升温，存储巨头或引领新一轮降价(2022-07-18)
内存芯片过剩担忧7月升温，存储巨头或引领新一轮降价;近年来，芯片的全球供需平衡大受市场关心。进入2022年以来，芯片议题从短缺转移至过剩，周期“换季”比很多人想象中要快。
自从2020年底......
超越Intel成为半导体霸主，三星再投资10亿刀研究4nm(2017-06-29)
销售额上缩小了与英特尔的差距。
据野村证券(Nomura)称，三星电子今年第二季度的芯片销售额预计为151亿美元，超越英特尔144亿美元的预估销售额。除非内存芯片价格今年下半年出现急剧下滑，否则......
英伟达CEO：正在尽快认证三星的AI内存芯片(2024-11-26)
英伟达CEO：正在尽快认证三星的AI内存芯片;近日，据财联社等媒体报道，英伟达正在尽快认证三星的AI 内存芯片。
报道指出，英伟达CEO黄仁勋表示，英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片，评估......
ChatGPT呼唤高性能内存芯片 HBM报价飞涨 三星、海力士接单量大增(2023-02-15)
ChatGPT呼唤高性能内存芯片 HBM报价飞涨 三星、海力士接单量大增;ChatGPT等新兴AI产品对高性能存储芯片的需求与日俱增。据韩国经济日报报道，受惠于ChatGPT，三星、SK海力士高带宽内存......
业内料原厂将继续压制产量，有望提振存储价格(2023-11-09)
业内料原厂将继续压制产量，有望提振存储价格;
【导读】据财联社报道，全球最大的两家内存芯片制造商近期的业绩电话会议似乎传达了一个信号，该行......
LCD实验学习笔记（六）：存储控制器(2023-06-15)
一个地址对应一个字节（8bit)。CPU发出一个地址，要读取内存一个字节的数据（内存在BANK6地址从0x30000000开始），内存控制器操作片选引脚和地址线访问由两个16位内存芯片组成的32位内存时，内存芯片......
内存、闪存需求大涨，又要涨价了(2023-08-31)
内存、闪存需求大涨，又要涨价了;这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。
不过，这种好日子似乎要结束了。
根据......
HBM需求旺盛 美光预计第一财季营收87亿美元超预期(2024-09-26)
HBM需求旺盛 美光预计第一财季营收87亿美元超预期;
【导读】美光科技股价在盘后交易中飙升约14%，此前这家内存制造商预测第一财季营收将高于预期，原因是其用于人工智能（AI）计算的内存芯片......
英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮(2024-11-25)
英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮;
11月24日综合报道，CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存——HBM(High......
涨价前兆！PC、手机DRAM内存将出现供应短缺(2024-06-26)
涨价前兆！PC、手机DRAM内存将出现供应短缺;
6月26日消息，据媒体报道，存储芯片产业界近日传来消息，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。
随着业界对高带宽存储(HBM......
三星将在下半年量产HBM3内存芯片，以满足AI市场需求(2023-06-27)
三星将在下半年量产HBM3内存芯片，以满足AI市场需求;
【导读】6月27日消息，据韩媒KoreaTimes报道，业内人士称三星将在2023年下半年大规模量产HBM3内存芯片，以满......
PC要来了！芯片龙头海力士终于盈利了！(2023-10-26)
在第三季度重新实现了盈利，并预计随着生成型人工智能的繁荣而继续改善。尽管NAND闪存业务仍在亏损，但与今年第一季度和第二季度相比已经有了好转。
值得一提的是，内存芯片......
HBM4堆叠连接接口将提升至2048位元，大幅提升传输性能(2023-09-18)
的大型处理器，例如英伟达的H100，就已经使用大型6144位元连结接口，以支持6个1024位元HBM3/HBM3E堆叠记忆体芯片(KGSD)。但单个内存芯片接口是否增加到2048位元，还有......
首季度亏损创纪录，SK 海力士希望下季度反弹(2023-04-26)
首季度亏损创纪录，SK 海力士希望下季度反弹;
据 21ic 获悉，近日全球第二大内存芯片制造商韩国 SK 海力士公司公布了季度财务数据，因为全球经济放缓促使市场需求下降加剧了芯片过剩情况，使得......
长鑫存储完成156亿元融资，国产内存加速跑！(2020-12-16)
长鑫存储完成156亿元融资，国产内存加速跑！;DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资，内存芯片的国产替代之路又获资金助力。12月14日，工商信息显示，大基金二期、安徽国资、兆易......
2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存(2016-10-22)
等产品的市场需求强烈，包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长，近期价格也摆脱低潮，持续上涨，这样的机会点也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导，在这波储存芯片的热潮下，中国......
三星电子计划将于明年扩大芯片产能(2022-12-27)
%。
业内的分析师认为三星坚持投资计划可能有助于其在内存芯片领域占据市场份额，并在需求复苏时支撑其股价。
目前三星电子计划扩建其位于韩国平泽市的P3工厂，增加12英寸DRAM内存芯片......
消息称三星 8 层 HBM3E 存储芯片已通过英伟达测试，有望第四季度供货(2024-08-07 14:48)
和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议，但很快就会达成协议，预计将在 2024 年第四季度开始供应。然而，三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。此次通过测试对于全球最大内存芯片......
消息称三星 8 层 HBM3E 存储芯片已通过英伟达测试，有望第四季度供货(2024-08-07)
版本尚未通过英伟达的测试。
此次通过测试对于全球最大内存芯片制造商三星来说是一个重大突破。此前，三星在供应能够处理生成式 AI 工作的高级内存芯片的竞争中一直落后于其本土竞争对手 SK 海力士。
HBM......
HBM芯片市场前景可期，三星2023年订单同比增长一倍以上(2023-09-13)
士均表达了在人工智能的驱动下，HBM内存芯片需求将大增的观点。
据KED Global消息，在9月11日召开的2023年韩......
需求断崖式下滑，内存芯片价格创2008年来最大跌幅(2023-02-21)
需求断崖式下滑，内存芯片价格创2008年来最大跌幅;三星仍坚持一项激进的资本支出计划，该公司预计ChatGPT等人工智能产品将推动内存芯片需求增长。规模达1600亿美元的存储芯片行业，正在......
SSD暴跌成白菜价 美国、日本两大闪存巨头谋划合并：避免11年前惨剧再演(2023-05-17)
也会破产。
这方面的例子就是日本尔必达，他们原本是日本第一大、全球第三大内存芯片供应商，仅次于三星、SK海力士，比美光份额还要高。
但是尔必达当年也遇到了PC疲软，闪存价格暴跌，连续5个季......
韩国将HBM内存上升为国家战略！三星等可享40%税收减免(2024-01-26)
款的CPU/GPU内存芯片；其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。
简单来讲，传统的DDR内存芯片是一层的平房结构，HBM结构的内存......
佰维存储公布2022年度营收29.74亿元，将持续关注HBM内存技术(2023-03-01)
品进度方面，佰维存储于同日在投资者互动平台表示，公司已推出高性能内存芯片和内存模组，型号分别为EX500 LPDDR5内存芯片以及S300 DDR5 SODIMM、V300 UDIMM等。
关于HBM......
美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%(2023-10-11)
产品为16Gb LPDDR5X-8500。美光表示，这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片，之后将采用EUV极紫......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓(2024-06-19)
转变发生之际，今年内存芯片需求反弹后，该行业的NAND闪存供应过剩状况有所缓解。
据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力......
全球只有5家客户 ASML今年将出货60台EUV光刻机(2023-02-22)
没有提到具体的名单，但是台积电、三星、Intel这三家是没跑的，他们的逻辑工艺现在都是要用到EUV光刻机的。
还有2家应该是内存芯片厂商了，三星这部分已经在14nm
DRAM内存......
单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片(2023-10-22)
的 HBM3E 内存芯片。
三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存......
SK海力士中国工厂增产：内存还要降价15％！(2023-05-05)
SK海力士中国工厂增产：内存还要降价15％！;
5月4日消息，集邦咨询最新的一份报告指出，去年10月，美国商务部对中国实施新的禁令，不允许进口18nm及更先进工艺的DRAM内存芯片制造设备，对于......
三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务(2023-01-03)
三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务;
【导读】全球最大的内存芯片制造商三星电子正在考虑推出高端存储芯片租赁服务作为其新的商业模式，确保......
韩国计划设立2.5亿美元基金，支持芯片制造技术发展(2021-05-06)
韩国计划设立2.5亿美元基金，支持芯片制造技术发展;5月6日消息，据韩联社报道，韩国财政部长洪南基周四表示，韩国政府计划扩大芯片产业相关的研发与设施投资的税收抵免计划，以培育内存芯片以外的芯片......
内存芯片制造商和模块制造商寻求稳定价格(2023-06-05)
内存芯片制造商和模块制造商寻求稳定价格;
【导读】据台媒电子时报报道，业内人士表示，内存芯片制造商已向下游客户表明，将不再以低价销售，库存水平高的组件制造商希望看到现货市场价格稳定。消息......
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存(2023-10-19)
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存;
【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片......
科赋发布USB3.2 S1 / R1移动固态硬盘，打造高效便捷存储利器(2021-10-13)
（*随附Type-C to C数据线/ Type-C to A转接头）
· 容量：1TB，2TB
· 闪存芯片：严选3D闪存芯片
· 尺寸：80x80x10.5mm
· 重量：75克
· 保固......
2021年Top10 OEM的芯片支出增加了 25.2%，原因竟是？(2022-02-10)
了 OEM 的双重预订和恐慌性购买，导致其半导体支出大幅飙升，”Gartner 研究总监 Masatsune Yamaji 在一份声明中表示。
2021 年，苹果在内存上的支出增加了 36.8%，在非内存芯片......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
单元中的电荷。
LPDDR4
LPDDR4标准是第四代双倍数据速率（DDR） DRAM的低功耗版本标准，透过整体架构定义了个别内存芯片的高层级结构，以及如何安排双列直插式内存模块（DIMM）。
分析......
国产“芯”突破；新一轮DRAM技术蓄势待发；内闪存芯片营收预估(2024-07-29)
...详情请点
内闪存芯片营收预估
根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
对给出的地址进行分析转换得到片选信号和行列地址。而CPU和内部寄存器之间的访问则是通过CPU内部的32位总线进行的。2：内存芯片连接由于每个单元格的容量是16bit，即内存芯片的数据宽度是16bit，而CPU的数......
相关企业
;深圳祥和丰电子有限公司;;18002509360，QQ1980406220，MSN/邮箱：1980406220@qq.com深圳中华海电子有限公司专业高价收购内存芯片收购内存芯片
;广东江山科技公司;;广东江山科技公司最新推出 DDR/SD内存分区检测仪（专业内存条级和专业内存条/内存芯片级二种内存检测产品）。 产品特长：检测准确，操作方便，100％准确度，扫描
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条
;迅腾电子科技;;内存芯片
;柳州风云电脑科技;;各种内存芯片,大量
;诗蕊电子有限公司;;公司主要经营，手机IC，内存卡，FLASH内存芯片，晶振，二三极管，电感，电容，电阻，监控IC，OV芯片等。业务主要范围为内贸及外贸。
;深圳市鸿浩达电子有限公司;;内存芯片，DDR、FLASH
;深圳中华海电子公司;;专业回收IC,二三极管，电子元器件，工厂库存，内存芯片，晶振，内存卡，OV监控IC
;深圳泰兴电子有限公司;;专业回收IC,二三极管，电子元器件，工厂库存，内存芯片，晶振，内存卡，OV监控IC
;深圳中华电子有限公司;;专业回收IC,二三极管，电子元器件，工厂库存，内存芯片，晶振，内存卡，OV监控IC