三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

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来源: 电子元件技术

【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。

他表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

他提到，「在即将到来的 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，新结构和新材料非常重要」。

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