【导读】据国内媒体报道,有供应链上下游龙头公司透露,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点,国内有存储器下游龙头企业,NAND闪存芯片采购成本上涨近20%,DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。
据国内媒体报道,有供应链上下游龙头公司透露,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点,国内有存储器下游龙头企业,NAND闪存芯片采购成本上涨近20%,DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。
预计从今年第四季度开始,存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端,笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。
根据TrendForce的统计,随着三星、SK海力士等存储大厂持续减产,10月前后DRAM、NAND原厂芯片价格出现小幅上升。目前合约价已陆续落底,库存跌价损失将获得改善,去库存化成效的显现有望使营业利益率转亏为盈。机构预计,2023年底将有机会看到市场供需渐趋平衡,预计2024年存储芯片供应商对DRAM与NAND Flash的减产策略将延续。
TrendForce预估DRAM及NAND Flash明年增长率分别为13%和16%。
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