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测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
器件时，需要使用三个重要组件来避免振荡。个是缓冲电路，第二个是铁氧体磁珠，第三个是栅极电阻 (Rg) 依赖性。RC缓冲电路由串联的电阻器和电容器组成（即简单的低通滤波器）。如果将其连接在功率 FET......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
pin带一个圈就表示低电平有效，那么下图就出来了，NMOS管是栅极高电平有效。
三次敲黑板后，我们应该已经解答了开始时最重要的三个问题：【这是什么型mos管，标准......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅极......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了;
MOS管因......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
驱动好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
几种常用的驱动电路！;
MOS管因为其导通内阻低，开关......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
电路实验时进行调整,使电路工作处于最佳状态，其中D 是一个重要的自举器件,应能阻断直流干线上的高压,其承受的电流是栅极电荷与开关频率之积,为了减少电荷损失,应选择反向漏电流小的快恢复二极管，芯片......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
开启电压等。本文将介绍如何通过ITECH最新图形化源测量单元IT2800实现MOSFET的静态I-V特性和参数测试。
1 MOSFET转移特性测试(ID=f(VGS))
转移特性是验证的是栅极......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
这种驱动电路作用在于：提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3、驱动电路加速MOS......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
输入阻抗极高。
4、MOS管的电压极性和符号规则
图1-4-A 是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
：
C'ox等于 ϵox/tox
εox是二氧化硅的介电常数
tox是栅极氧化层的厚度（图1所示的高度）。
这个简单的栅源（或漏极）电容方程仅在源极和漏极彼此分开时有效，当晶体管处于截止或饱和状态时（由于......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
桥和下桥开关切换之间添加延迟或延时。该延迟的引入，是通过控制供应给上桥和下桥栅极驱动器的信号的时间。
图1是栅极驱动器内部框图。驱动器的每个部分由一个通用电源或偏置电源供电。初始电源开启时，由于......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
Rdson上，第四个是Cgs。
封装比较简单，它指的就是一个MOS管这个外形和尺寸的种类也有很多。一般来说封装越大，它能承受的电流也就越大。为了搞明白另外三个参数呢，我们先要来介绍一下NMOS的等......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
靠性验证体系等。
针对大家特别关心的化硅MOS管栅氧化层的问题，为了解决高电场的隧穿效应带来的漏电，蓉矽半导体把电场集中的区域分为两个区域，上图左图紫色圈是栅氧化层的电场，红色圈是沟道位置的集中，这两......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
拉电阻（
或者说是栅极放电电阻
），用来在比较器未工作时保证MOS 管不导通。
R3 和......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
体管迁移率
Cox是栅极氧化物电容
W是晶体管的宽度
L是晶体管的长度。
这两个方程式为我们带来了几个有趣的地方：
在线性区域，晶体管的电流增益取决于输出电压。它根本不取决于输入信号。这在......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
、过度的栅极驱动
如果用太高的电压驱动 mos 管 栅极，则栅极氧化物绝缘层可能会被击穿，从而导致mos 管无法使用。
超过......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
高电压、低电流的小功率电源系统设计方案(2024-06-21)
消除这种寄生振荡，应尽量减少与功率管各管脚的连线长度，特别是栅极引线的长度。若无法减少其长度，可以串联小电阻，且尽量靠近管子栅极。图中R3既是功率管的栅极限流电阻，又与R4一起......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
可以满足绝大部分电机的需要。
★2.栅源阈值电压/开启电压（Vth）：该电压即MOS管打开所需的最小电压，也将决定后续半桥驱动芯片的选择和设计（即芯片栅极控制脚的输出电压）。LR7843的最......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
意法半导体2022工业峰会 三个精彩demo揭秘ST如何打造智能工厂(2022-11-24 15:38)
双电机伺服驱动器可以简化设计，把物料成本降低40%。唯一不变的是栅极驱动器的数量，因为一个栅极驱动器只能控制一个电机。ST的双电机伺服驱动器可实现两个电机用一个电子采样电流检测元件。为了做到这一点，ST 开发......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。
MOS诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不......
你能分得清启动电容和运行电容？(2024-01-29)
你能分得清启动电容和运行电容？;在单相电机和压缩机的电路设计中，常常会遇到同时存在启动电容和运行电容的情况。那么如何一眼就认出哪个是启动电容，哪个是运行电容呢？本文将为您总结一些有效的方法。
1......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。
▉ N和P区分
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
小而薄的MOSFET栅极驱动IC更适合小型化应用(2022-12-21)
2.7V至28V的宽电压输入范围，并能通过间歇式工作模式向外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定的电压，从而实现大电流的切换。
TCK421G的最大亮点是栅极源极之间设有保护电路，这也......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2024-07-11)
的监控并控制MOSFET的开关，可以有效防止MOSFET的栅极短路错误或栅极电压卡在高位或低位的情况。
Figure 1. DRV8705内部设计示意框图
2.1 VGS监控机制
VGS（栅源电压）是栅极......
认知里的PWM脉冲宽度调制(2024-08-09)
认知里的PWM脉冲宽度调制;针对PWM，官方的解释是这样：PWM，也称脉冲宽度调制，它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2023-12-21)
电压卡在高位或低位的情况。
Figure 1. DRV8705内部设计示意框图
2.1 VGS监控机制
VGS（栅源电压）是栅极相对于源极的电压，VTH（阈值电压）是MOSFET导通......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
完美。
2、MOS驱动波形略微震荡
描述：肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。
解决手段：适度加大栅极驱动电阻。
3、MOS驱动......
官方难分清：中国盗版动漫周边质量已堪比正版(2016-09-30)
制作了一期关于盗版周边的节目其中提到中国市场上制作销售的盗版手办，有的质量已经完全堪比正版货，甚至是万代的工作人员都无法一眼分辨出哪个是正版哪个是盗版。
日本NHK电视台的专题节目《クロ......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
先从一个最简单的驱动电路开始。单片机控制 MOS 管栅极为高时，电流从电源经过电机和 MOS 管到地。当栅极为低时，MOS 管断开，此时电机线圈内的电流继续通过续流二极管回流电机的正极。我们通过调节栅极控制端的PWM占空比，就可......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
路的一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H桥都不会出现“共态导通”（短路）。MOS管开关电路原理 P型MOS管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭。 N型MOS管在栅极为高电平时导通，低电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
导通”（短路）。
MOS管开关电路原理
P型MOS管在栅极为低电平时导通，高电......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
为一种根本性的挑战。在图3b中，捕捉到了SiC-MOS和Si-IGBT的典型传输特性。读者会发现，SiC-MOS的沟道打开速度略微“缓慢”，在20V左右时，Rdson达到最小值。鉴于此，栅极......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
驱动器内部的和外部的，以及内部 CMOS 电路的开关功耗。同时，上桥驱动器的动态功耗也包括两个不同的来源。一个是因为电平转换电路，一个是因为上桥电容的充电和放电。这里，可以忽略静态功耗，因为集成电路的总功耗主要是栅极......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
低。
如果不加以处理漏源尖峰，则漏极引脚上的尖峰可以经由电容耦合到栅极引脚上，导致所谓的Cross
talk。如果栅极扰动超过MOS的阈值电压，则发生交叉导通，且MOS可能......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上，涂覆三元碳酸盐的氧化物，再以适当的张力安装在灯丝支架上，其主要作用是发射电子；栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅，直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
麟等名款.由意大利名师精心设计，紧贴时尚潮流，配以无与伦比的精髓做工，款款精典；镶嵌锆钻奥地利水晶世家施华洛世奇锆钻,与真的钻石放在一起，也看不出哪个是真的钻石，只有真正专业的宝石鉴定师才能看得出来噢！跟真
;拓蒂电子（上海）有限公司;;拓蒂电子（上海）有限公司(Silvoc Electronics) 是一家从事打印机、晶振和相关电子元器件销售的专业化公司。目前有2个部门，一个是电子设备部，一个是
南理工大学造纸学院二次纤维综合利用的中试基地。 本集团公司共有四个工厂：一个是纸浆模塑设备机械厂，两个是纸浆模塑产品厂，一个是纸浆模塑模具厂，我们向世界范围内提供如下产品： 1.规格
;创莱美（深圳）电子有限公司;;生意兴隆!“生”就是陌生，“意”就是满意。我们的宗旨就是把陌生的客户服务到满意，就能达成“生意”只要做好两件事就够了！一个是产品，一个是人品，产品决定你的存在，人品
;东莞市城信包装材料制品厂;;东莞市城信包装材料有限公司，是一家专业生产包装材料的综合型企业， 无论是在哪个地方，无论是对哪个客户，我们始终将最完美的服务和最优质的产品奉献给信赖我们的客户，这就
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元