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从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
内部的二极管给替代了。
电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压，也不导通，从而起到保护作用。
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电阻是很高的，是一个压控型器件......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
的输入电阻是很高的，是一个压控型器件，G极电压要控制在20V内，过高的电压脉冲会导致G极的击穿，这个稳压二极管就是起一个保护场效应管......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
压，也不导通，从而起到保护作用。
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电阻是很高的，
是一个压控型器件，G......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
参数，请移步此
篇文章：
MOS管基本认识
。
2、场效应管是电压控制电流器件......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道功率场效应管（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器安富利旗下全球电子元器件......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富利旗下全球电子元器件......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路的一个......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”操作；
也可执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”，使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个置“1”的准备动作，因此称为“准双向口”。四个并口（P0-P3）都是准双向口
四、8051单片......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你把自己献给梦想了。
场效应管篇
（1）如果你爱一个......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
集成系统，包括硬件、交互软件、图形和分析功能。
图1. 4200A-SCS参数分析仪
本应用指南描述了典型的生物场效应管，及如何将SMU和被测器件进行电气连接，定义......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
1000次的累加。
散热风扇控制部分原理图
散热风扇控制电路实际上就是一个低侧Buck降压电路，单片机产生的PWM驱动场效应管，通过调节PWM的占空比，可以调节风扇两端的电压值，从而控制风扇的转速。风扇......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可以送到输入三态缓冲器的输入端，此时再给三态门的读引脚送一个......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输入的1才能送到三态门的输入端。此时，再给读引脚送一个读控制信号，1就可......
无源探头与有源探头的区别有哪些(2023-01-13)
是必不可少的。在低幅度和中等幅度信号混合(几十毫伏到几十伏)的应用中，可切换1X/10X探头要方便得多。但要记住，可切换 1X/10X探头在本质上是一个产品中的两个不同探头，不仅其衰减系数不同，而且其带宽、上升......
温度传感器DS18B20原理，附STM32例程代码(2023-01-09)
供电电源输入端
单个DS18B20接线方式：VDD接到电源，DQ接单片机引脚，同时外加上拉电阻，GND接地。
注意这个上拉电阻是必须的，就是DQ引脚必须要一个上拉电阻。
DS18B20上拉电阻
首先来看一下什么是场效应管......
光控音效发生器电路分享(2023-03-21)
发器就会设置，导致 C 在 RB 上放电，因此循环不断重复。我们的光控音效发生器电路的整个电路如下图所示。
您将看到使用了几个光电管或LDR：R8和R9。光电管本质上是一个电阻器，其幅......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
主电路是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
实现充电电流的恒流闭环调节。
在一个PWM周期中，当PWM信号为高时，低边NPN三极管5551导通，使高边NPN三极管5551基极拉低，三极管关断，场效应管门级变为低电平，场效应管关断;当PWM信号为低时，低边NPN三极......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号，必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行，否则当场效应管导通时，P1口引 脚上将永远为低电平，无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止，就是用指令给P1口的相应位送一个“１”电平，这就是为什么......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
简述温度传感器DS18B20原理内附STM32例程代码(2024-06-06)
片机引脚，同时外加上拉电阻，GND接地。
注意这个上拉电阻是必须的，就是DQ引脚必须要一个上拉电阻。
DS18B20上拉电阻
首先来看一下什么是场效应管（MOSFET）。
MOS管是电压控制型元器件......
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;深圳市川祥电子;;本公司成立于1999年从一个什么都不懂的到能涉及各个行业的电子元器件，二三极管，电容，电阻,按键开关，磁珠电感，钽电容，晶振，电源管理IC，连接器，咪头，LED灯，USB等等
目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管
微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管
电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管
导航器（GPS）、手机锂电池等电产品提供半导体配套及技术方案支持。 截至目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于
锂电池等电产品提供半导体配套及技术方案支持。 截至目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管
TV电源等电产品提供半导体配套及技术方案支持。 截至目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管
电源等电产品提供半导体配套及技术方案支持。 截至目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管
;深圳市凯泰电子有限公司;;深圳凯泰电子有限公司是一家专业提供电子元器件代理商 目前以有十年的历史了，现代理韩国“KEC”二、三极管,场效应管（MOSFET）,BYD 场效应管（MOSFET
;结型场效应管 深圳市航腾科技有限公司;;我公司分两大类产品，一类是LED照明产品，另一类经营吸嘴，电容，电阻,二三极管，电感，IC，场效应管等,并享有自营进口权，公司拥有引进的全自动生产设备，检测