资讯
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
,IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流,可由下面吸收电路计算得到。
考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高,所以选择1500V的MOS管,其损耗为
式中,
Co.Q——MOS管输出电容......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
钳位
尽管RCD钳位与RCD吸收电路可以完全相同,但元件参数和工况完全不同。RCD吸收RC时间常数远小于PWM周期,而RCD钳位......
EMI总不过?老师傅给了90种整改方法,轻轻松松!(2024-10-16 23:32:18)
干扰有较大的衰减作用;
2、可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔要闭环。
3、处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
4、在变......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
,或者用RC电路来做吸收电路。
一般Si MOS的Vgs电压工作范围为正负20V,超过这个电压,栅极容易被击穿,所以在米勒振荡严重的场合,需要加限压的稳压二极管。但更......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
,为了RC 缓冲电路充分吸收电压尖峰,RSNB 和CSNB 的谐振频率ωSNB 必须比电压尖峰的谐振频率ωSURGE 低很多,需要结合算式(5)所示的RC 缓冲电路的谐振频率ωSNB 来确认。
(5......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
极管关闭(或者说被短路),此时电流不会流经体二极管,那么功耗也就会变小。
电源反接:MOS管的体二极管不导通,此时不存在电源通路,GS电容无法充电,MOS管无法打开,后级电路......
摊牌了,MOS管的真面目!(2025-01-01 18:07:51)
马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动,按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大......
加湿器工作原理与电路图(2023-01-13)
驱动,在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路,升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。
(2)雾化片一端接MOS管S端,S端串接采样电阻采样电流Icur,另一端通过滤波电路检测电压FB来追频,以......
大牛多年研发电源问题汇总(受益匪浅)!(2024-11-14 22:46:54)
,然后串电感实现串联ZVS,例如准谐振反激,有源箝位吸收电路,移向全桥的软开关。
也有LC并联ZCS,不过用的很少,因为MOS管ZVS的损耗小于ZCS。
LLC属于......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
四、MOS应用电路设计
在实际项目中,我们基本都用增强型,分为N沟道......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
对小信号的检测。
为了消除偏置电路引入的噪声和漂移,同时还能提供足够的电流用来驱动MOS 管,比较器的公共端(接地端)悬空连接到电源电压(
V B A T T V_{BATT......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
器初级漏感造成的尖峰电压
3、RCD不同电阻下的波形分析
RCD钳位电路当中,选择合适的电阻电容对于能量吸收以及输出效率和芯片发热起着关键的作用,有些开关电源是不需要RCD等其他吸收电路的,具体电路具体分析,去掉......
设计一个缓冲电路抑制浪涌(2024-11-23 18:23:13)
的功率就越大,因此,当PSNB很大、电阻器选型困难时,需要降低CSNB的电容值并重新计算。
另外,要想使RC缓冲电路能够充分吸收浪涌,RSNB和CSNB的谐振角频率ωSNB必须......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
在刚启动时,冲击电流被电阻R1限制,当输入电容充满电后,有源旁路电路开始工作将电阻R1旁路,这样在稳态工作时的损耗会变得很小。
在这种可控硅启动电路中,很容易通过开关电源主变压器上的一个线圈来给可控硅供电。由开......
功率MOS管总烧毁,看看是不是这些原因?(2024-09-27 19:49:51)
二极管的缓慢反向恢复
诸如特斯拉线圈之类的高 Q 谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。
在某些调谐条件下,当一个 mos 管 关闭......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
以加一个光耦
2、对于感性负载
比如电动机,因为它的内部有线圈,100W的电动机在启动的时候可能达到1000W,因此这类电器电路就要加多一个阻容吸收电路,必要时候同时加一个压敏电阻,可以使10471,根据......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
,接下来就要讲讲它的放电电路了。充电是从外界吸收电能,放电是向外界(负载)提供电能,这就是电池的使命。
锂电池的放电过程,其实就是等效于电容的放电过程。电容两端连接电阻负载,形成......
初学者,这样认识电阻,电容,二极管,三极管?(2024-12-05 18:40:15)
锻炼焊接能力。
实际电子元件就那几类,电阻,电容,二极管,三极管,MOS管,IGBT,可控硅(也叫晶闸管)电感,变压器(实际变压器就是电感),芯片(芯片的种类很多,只要知道它是芯片就可以,具体......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
正常工作时的损耗。
优缺点分析:
(3)方案三:串入MOS管
该方案是在输入回路串入MOS管(需外加控制电路),利用MOS的可变电阻区进行电流抑制,适用小功率输入冲击电流抑制。
工作......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
理图和PCB采用的是网上分享的电路设计(IR2104半桥驱动+LR7843MOS管),为了便于焊接,对其中的一些封装进行了修改,并重新布线。
该电机驱动板有两个H桥电路,可以同时控制双路电机。可通......
变频器主电路设计和计算(2023-08-25)
模块耐压的瞬时过电压很容易导致模块电压击穿损坏。 对母线瞬时过电压一般在母线上并高频吸收电容保护模块。 如主回路电路图中的电容C。 其他的吸收形式如RC吸收、RCD吸收在变频器中都不常用。
慎重选择吸收电路的形式并仔细选择吸收电容的型号、容量、耐压......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
个MOS管,总共3路。所以电机驱动很大部分成本在这里面。而且根据需要应用的场合不同,需要MOS管功率不同,这时就需要考虑成本尽量选用性价比高的MOS管。电路如图
其中U2为IR2101S,Q1,Q2......
变频器电路的EMC方案设计(2023-08-28)
杂症解惑,问题解决,可以为您提供一站式的检测、整改、认证,服务。
1、主回路吸收电路与di/dt & dIGBTv/dt抑制电路
整流电路在输入侧要接抗雷击过电压或操作过电压吸收电路,这种吸收电路......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路......
浪涌电流是什么意思?如何抑制浪涌电流?4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低,使用方便。优点是零件少,缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟信号转化为0和1的数字信号。但是,当GPIO......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
能会使性能受损 有些方法可以将SiC FET器件的dV/dt有效控制在从45V/ns至5V/ns的范围内,而不会导致过长的延迟时间。这三种方法是:外部栅漏电容、器件RC缓冲电路和JFET直接驱动,它们......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
拉电阻。
由曲线性RC电阻实现的开启延迟
两个线性RC电路(每个电路由47KΩ电阻和1nF电容组成)延迟MOS管的......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
能电感,D10是这个开关电源的整流二极管,Q1、Q2是开关管,为了保证PFC开关电源有足够的功率输出,采用了两只MOS管Q1、Q2并联应用
图3-2所示是该并联开关电源等效电路图,图中可以看出该并联开关电源是加在整流桥堆和滤波电容......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
进一步打开mos管。同理我们都知道电容充电时的电流要求是比较大的,如果此时我们的栅极不能提供足够的电流能量,那么VGS处于米勒平台的时间将会特别长,显然这不是我们想要的结果。如下图
所以为了使mos管快......
浅谈可穿戴物联网设备的一些电源设计挑战(2024-06-20)
) 吸收电路
虽然我们已经尽一切努力减少寄生电阻和电感,但这是尺寸受限的可穿戴式设计。接地平面和电源平面无法达到应有的大小。此布局中的配置应允许放置 RC 吸收电路。虽然这些元器件最初不需要填充,但是......
PLC控制系统设计的输入回路接线(2024-01-04)
管输出。输出端接线分公共输出和独立输出。直流输出的续流管保护,交流输出阻容吸收电路,晶体管,晶闸管输出的旁路电阻保护,以及外部紧急停车电路。
(一)PLC输出有三种,这三种输出回路的配线应注意
1、继电......
电子电路设计之工控设备抗干扰总结(2024-10-31 22:30:14)
稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。
2)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路,电阻一般选几K到几十K,电容选0.01uF),减小电火花影响
3)给电机加滤波电路......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连,或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准,于是采用衬底驱动技术进行模拟电路......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管:由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器:信号......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
不加以限制,MOS 管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施,把这个尖峰吸收掉。
反激变换器设计中,常用图 9(a)所示的电路作为反激变换器的钳位吸收电路(RCD钳位吸收)。
RClamp 由下......
深入浅出理解输入输出阻抗(有案例、好懂)(2024-06-21)
低频分量被削弱了。除了这个音频的例子,我们再看另外一个例子。举例2:MOS管栅极串联电阻的分析分析方法跟前面说的是一样的,接收模块是MOS管,MOS管的输入电阻可以看成无穷大,但是寄生电容较大,所以......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。
5、开关时间
MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss......
DC-DC电源测试哪些项目(2024-01-16)
纹波:
A.选择低ESR的电容。
B.加大电容容值。
C.优化电源布局布线。
D.提高开关频率。
抑制开关噪声:
A.SW加缓冲吸收电路。
B.外置MOS栅极串小阻值电阻,使开关边沿变缓。
C.内置MOS可以......
模拟电路和数字电路的学习笔记(精华总结55条)(2024-10-18 21:31:45)
外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。并且只能吸收电流,必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流
11、COMS的输......
相关企业
,D-clink 电容, 通用直流电容,高温交流电容,大功率大电流薄膜电容 2.美国国际整流器公司 IR 整流模块,整流二极管,整流桥堆,MOS管,电路。 3、厦门宏发继电器 汽车,电力,功率,信号
;汕头市裕德电子商行;;本公司专营芯片IC,二三极管,进口咪头,场效应MOS管。另现金高价回收电子库存。诚信经营
;金贤科达电子;;主营产品:集成电路,可控硅,场效应管,MOS管,二三极管,光耦,热敏电阻,保险管,电阻电容,钽电容等 。欢迎新老客户来电定货
,IGBT能量吸收电容,D-clink 电容, 通用直流电容,高温交流电容,大功率大电流薄膜电容 2.美国国际整流器公司 IR 整流模块,整流二极管,整流桥堆,MOS管,电路。 3、厦门宏发继电器 汽车,电力
;深圳市诚芯源电子有限公司;;本公司主营系列集成电路IC,MOS管。肖特基,光耦。配套系列二三极管,贴片电容电阻,桥堆等
MAXIM,IR,LT,74,LM,40等系列和偏冷门IC电子元器件. 我们奉行以质量求信誉,以信誉求生存. 欢迎来人来电垂询!! 主营产品: IRF全系列功率MOS管:IRF7811A IRF7832
;天明伟业电子;;专业生产工业电容,谐振电容,吸收电容,直流支撑滤电容器,安规电容,CBB电容! 20uf800v 30uf800v 50uf800v 0.44uf2500v 0.47uf2500v
、突波吸收电容、铁路轨道电容、氧化锌避雷器用均压电容、SF6断路器用高压陶瓷电容器、35kV真... ...... 公司以质量、价格、服务、货源致力于市场贸易与市场发展,赢得了良好的口碑. 欢迎
;深圳市速成科技有限公司株洲办事处;;深圳市速成科技有限公司 经销批发的IGBT模块、IGBT驱动、电解电容、薄膜电容、吸收电容畅销消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司
器.节能灯专用电容器、电子仪器通讯用CY云母电容器。 2.工业电力电容器事业部---电力电子类专用电容器系列 直流DC-LINK滤波(替代电解)电容器、大功率开关电路电容器、模块保护吸收电容器变频器电焊机输出滤波专用电容