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中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺......
监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行......
监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，可对刻蚀相关工艺（如）进行实时监测和控制。  使用 SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀......
避免了MgO层的短路。利用“停MgO”刻蚀工艺制备的SOT-MTJ器件阵列，晶圆的电阻良率可提升至100%，同时还提高了器件的TMR、电阻、矫顽力等关键参数的均匀性（图 2a,b......
来源：全国招标投标公共服务平台公告截图 资料显示，本次中标的12台刻蚀机，分别是3台钝化层刻蚀、7台氧化膜刻蚀、2台SiN刻蚀，均为等离子体刻蚀工艺。 近日，中微半导体发布2021年年......
电子”）投资，总投资10亿元，位于上饶高新区霞峰电子信息产业园，用地面积约30亩，主要生产晶圆刻蚀机、清洗机等设备。项目达产达标后，预计年产值可达15亿元人民币。 资料显示，基侑电子成立于2011年......
挑战。 我们的模拟显示，为了避免引入空气间隙失败，M1和M2之间应该保留一段最小距离。换句话说，在完全自对准通孔刻蚀的第一步，必须使用对暴露的硅碳氮空气间隙闭合介电材料具有高选择比的工艺。 在随后的硅碳氮刻蚀工艺......
避免引入空气间隙失败，M1和M2之间应该保留一段最小距离。换句话说，在完全自对准通孔刻蚀的第一步，必须使用对暴露的硅碳氮空气间隙闭合介电材料具有高选择比的工艺。   在随后的硅碳氮刻蚀工艺步骤中，为了......
]。SEMulator3D®是一个虚拟的制造软件平台，可以在设定的半导体工艺流程内模拟工艺变量。利用SEMulator3D®设备中的实验设计 (DoE) 功能，我们展示了寄生电容与刻蚀深度和其他用于制作空气间隙的刻蚀工艺......
中的实验设计 (DoE) 功能，我们展示了寄生电容与刻蚀深度和其他用于制作空气间隙的刻蚀工艺参数的相关性，以及它与空气间隙大小和体积的相关性。 图1显示了SEMulator3D® FinFET模型......
上述领域的技术日趋先进，对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高，这要求进一步提升更高深宽比结构的跨晶圆均匀性。这些完善通过采用先进的器件结构即可实现，无需牺牲外形因素。为此，器件制造商需要具备极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺......
方法，将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除，留下的就是所需的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。 按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀（表......
导体石英制品。项目规划用地面积约245亩，最终以实际建设情况为准。项目建设周期为三年。 石英股份称，石英材料在半导体产业的应用主要是在晶圆生产中的扩散和刻蚀工艺，应用于刻蚀工艺......
给校准模型（DEDED工艺流程的顺序）加入了新的沉积/刻蚀工艺步骤。这些新的沉积和刻蚀步骤被设置了与第一次 DOE相同的沉积和刻蚀范围（沉积1和刻蚀1）。沉积1(D1)/刻蚀1(E1)实验表明，在D1和E1值分......
Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升。通常，铜线的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅里刻蚀......
键合的质量。 3D NAND 制造中的长时间湿法刻蚀工艺可能会导致边缘处衬底的严重损坏。 当这些缺陷不能被刻蚀掉时，Coronus DX 会在晶圆......
半导体官微 官微显示，300mm晶圆单片SPM设备可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀......
实现侧壁剖面控制，因为刻蚀工艺中深宽比较高，且存储单元孔需要极大的深度。因此，刻蚀工艺中可能会出现弯折、扭曲等偏差。从堆叠层顶部到底部，存储单元孔直径和孔间隔可存在最高25%的偏差。 在存......
中成为污染源。晶圆的塌边会影响晶圆键合的质量。 •3D NAND 制造中的长时间湿法刻蚀工艺可能会导致边缘处衬底的严重损坏。 当这些缺陷不能被刻蚀掉时，Coronus DX 会在晶圆......
公司年报截图 在年报中，中微公司就刻蚀技术的未来发展作出了分析。分析指出随着芯片制程向5纳米及更先进制程发展，当前浸没式光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺......
中成为污染源。晶圆的塌边会影响晶圆键合的质量。• 3D NAND 制造中的长时间湿法刻蚀工艺可能会导致边缘处衬底的严重损坏。当这些缺陷不能被刻蚀掉时，Coronus DX 会在晶圆......
对准图形化中使用半大马士革方法 使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。间隔层去除方案需要选择性刻蚀工艺。区域选择性沉积 (ASD) 是填充LE2间隙的最佳沉积选择。图1 (a) 展示间隙填充工艺......
，我们还使用新掩膜版模拟和测试了用于提升电阻电容性能和改进制造的额外工艺。 在自对准图形化中使用方法 使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。 间隔层去除方案需要选择性刻蚀工艺......
洼洼”的。 国家第三代半导体技术创新中心（南京）。图源：江宁发布。 在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对碳化硅器件的研制和性能有致命的影响。 国家......
中成为污染源。晶圆的塌边会影响晶圆键合的质量。 ·3D NAND 制造中的长时间湿法刻蚀工艺可能会导致边缘处衬底的严重损坏。 当这些缺陷不能被刻蚀掉时，Coronus DX 会在晶圆......
天然熔融石英因其高纯度和材料同质性，用于半导体单片刻蚀设备制造；合成熔融石英因其具有最高等级的纯度和优异的光学性能，用于半导体晶圆制造以及其他光学类应用。其产品广泛用于各种半导体刻蚀工艺和光学应用。 中巨芯表示，本次......
产品的研发与量产导入，为集成电路产业提供了面向6、8、12寸制程刻蚀工艺的光谱检测解决方案。 ZURO系列光谱仪匹配半导体行业标准，满足针对金属刻蚀、单多晶硅刻蚀、化合物刻蚀......
和线圈金属填充两步。首先用体硅刻蚀工艺（主要是DRIE深硅刻蚀）在硅晶圆上刻蚀得到需要制造的线圈的硅模具，然后通过迈铸半导体自主研发的微机电铸造专用设备在晶圆......
于泛半导体产业关键设备部件的研发及生产，产品主要应用于泛半导体薄膜工艺、刻蚀工艺等关键工艺环节，也是国内首家将面板领域CVD设备、干法刻蚀设备电极部件国产化的企业。 此外，据统计，2023年合......
功率器件需要在不牺牲外形因素的情况下提高功率容量并改进开关性能，这可以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至......
层还可在电镀过程中充当电子通道。之后涂覆光刻胶（Photoresist）以形成电镀层，并通过光刻工艺绘制图案，再利用电镀形成一层厚的金属层。电镀完成后，进行光刻胶去胶工艺，采用刻蚀工艺去除剩余的薄金属层。最后，电镀金属层就在晶圆......
，投产后年产值超1亿元。 消息显示，SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高，只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺......
是中车时代首次批量采购国产设备。 邑文科技成立于2011年，主营业务为半导体前道工艺设备的研发、制造，公司主要产品为刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备，应用于半导体（IC及OSD）前道工艺阶段，尤其......
正是我们想要达到的，因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。 刻蚀 下一步是去除退化的光刻胶，以显示出预期的图案。在"刻蚀"过程中，晶圆被烘烤和显影，一些光刻胶被洗掉，从而显示出一个开放通道的3D图案。刻蚀工艺......
中微公司正在持续研发多款半导体设备，据中微公司披露，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证，多款ICP刻蚀设备在先进逻辑芯片、先进DRAM和3D NAND产线......
清洗、热氧化后，需通过光刻和刻蚀工艺，将设计好的电路图案转移到晶圆表面上，实现电路布图，之后再进行离子 注入、退火、扩散、气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。 ......
以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蚀......
上进行多次比赛。  继2019年创建原型、并在2020年历时三个多月创建出更加成熟的版本之后，虚拟刻蚀工艺诞生了。 这个虚拟工艺可以让人类与算法之间进行比赛，从而评估不同算法之间、算法......
2020年历时三个多月创建出更加成熟的版本之后，虚拟刻蚀工艺诞生了。 这个虚拟工艺可以让人类与算法之间进行比赛，从而评估不同算法之间、算法与人类工程师间的对抗。 Keren解释说：“虚拟......
会有太多变量影响研究结果。 Rick是Keren的上司，他建议进行虚拟比赛，这样无论多少玩家都能在同样的工艺上进行多次比赛。 继2019年创建原型、并在2020年历时三个多月创建出更加成熟的版本之后，虚拟刻蚀工艺......
步骤来制作纳米线。由于Fin包括ABABAB层，那么选择一种合适的刻蚀工艺去除A，而保留B。那么B材料就形成了悬空的类似长方体的纳米线，两端悬挂在Source/Drain上。然后......
步骤来制作纳米线。由于Fin包括ABABAB层，那么选择一种合适的刻蚀工艺去除A，而保留B。那么B材料就形成了悬空的类似长方体的纳米线，两端悬挂在Source/Drain上。然后......
。 本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺，使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时，所形......
幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。 相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。 3D DRAM 市场......
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺......
，及后来的热扩散和湿法刻蚀工艺，到目前的钝化接触和激光开槽工艺，和最新的全钝化和铜电极工艺，量产转换效率越来越高，生产成本越来越低。这也意味着，国内......
资委直管的中央企业。 目前，有研半导体拥有山东德州和北京顺义两处国内一流的半导体硅材料生产基地，主要产品包括集成电路刻蚀工艺用大直径硅单晶及制品、集成电路用硅单晶及硅片、区熔......
增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。 报道称，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国......
朝着单片集成发展。 研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。 据电......
在存储器成本和密度方面有进一步提升。 值得一提的是，去年3月初，中科院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域取得新进展。为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺......

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