资讯
LED亮度的常用计量方法及公式(2023-07-11)
的光谱光视效能的最大值，单位为Lm/W。1977年由国际计量委员会确定Km值为683Lm/W（λm＝555nm）。
二、 光强度
光强度是指在单位时间内单位面积上通过的光能量，能量与频率成正比，是他......
基于S7-1200PLC的流量累积功能程序(2023-01-05)
基于S7-1200PLC的流量累积功能程序;在使用s7-1200PLC编写程序的时候，如果项目上需要用到流量累积功能，但是本款PLC并没有自带流量累积功能块。这时，就需要我们组态工程师自己编写一个具有流量累积功......
湖北分布式光伏发电太阳能资源开发潜力评估标准公开征求意见(2024-06-26 14:14)
件适用于湖北省内分布式光伏电站建设项目的太阳能资源开发潜力的推算。
其中，光伏发电理论可开发量受单位面积可安装的光伏发电容量、单位面积上的年水平面太阳总辐照量、单位面积可安装光伏容量折减系数等因素的影响，具体见下：
文件指出，建筑......
不懂模拟电路设计？如何完成温度信号采集？(2022-12-28)
信号链搭建的电路方案
搭建精密温度采集电路的要点
1. 使用比率法测量。电路实现如图2，测量精度和稳定性在理论上只与精密参考电阻相关，能够避开国产24位ADC器件自身增益误差、增益漂移等的不完美。
图2......
MagPack 技术：新款电源模块的四大优势可帮助您在更小的空间内提供更大的功率(2024-08-19)
技术有助于实现更高的功率密度和更小的整体解决方案尺寸。事实上，6A TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816 比市场上其他 6A 电源模块的尺寸更小。
功率密度以单位面积......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。
理论上，相同耐压的器件，SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/300。 而Si材料中，为了......
爱德曼氢能获评2024《财富》中国最具社会影响力的创业公司(2024-09-14 09:29)
求，落实碳中和与减排的国策。额定功率可定制，单位干克氢气发电量高，耗氢量适中，产品尺寸为 9 米集装箱，占地面积小。具有绿色零排放、卓越的安全性、高可靠性、一键启停、智能监控、模块化等特点。
氢储......
空调耗电量变高的因素有哪些(2024-01-10)
年之久，性能上会有一定的衰减，使用20多度电页数与正常的范围之类。
影响空调耗电量变高的因素？
1、空调与房间面积匹配
空调与房间面积匹配是指空调考虑制冷的单位面积......
又一碳化硅企业完成数千万元A轮融资(2024-02-01)
届中国·南沙国际集成电路产业论坛”上，至信微重磅发布了主要应用于电动汽车主驱模块的1200v／16mΩ碳化硅MOSFET，该产品单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ∙cm2，跻身国际先进水平，客户......
国产小芯片开始量产 长电科技宣布4nm芯片封装产品出货(2023-01-06)
，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。
同时，还可以在封装体背面进行金属沉积，在有......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2023-06-13)
，于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13......
IR推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET(2013-10-16)
IR推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET;IR宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率......
EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET，实现高效灵活设计(2023-02-07)
和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5......
UnitedSiC推出四款基于第四代先进技术的新型SiC FET器件(2020-12-04)
-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。
这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四......
2023全年显示行业预测：谷底后的盘整期(2023-03-21)
半年主要的LCD制造商都对生产利用率进行了紧急控制。其中友达光电(AUO）和夏普的情况是最不乐观的。2022年Q3这两家面板厂的产能利用率都降到了50%以下。这一季，友达光电称其面板单位面积ASP价格......
UPS电源的空开、电缆及电池的配置计算(2024-09-20 17:07:08)
。
二、恒功率法......
曝国产Chiplet小芯片工艺稳定量产(2023-05-16)
芯片的主要是苹果、高通、三星、联发科、AMD、NVIDIA等公司。
此前报道，长电科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积......
电源模块为未知的电动汽车电源挑战提供了全新可能(2023-03-06)
片组重量仅 266g，功率密度为 15kW/kg，占位空间仅 0.046L，即体积功率密度为 87kW/L。为了在车辆中提供全面的功能，还需要一些额外的电路，其中包括高压连接器、低压连接器、散热片、外壳......
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET(2024-12-05 10:28)
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET;器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能日前，威世科技Vishay......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
Cell)* 技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。
238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积......
EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET(2023-02-07)
者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5 mm。
EPC2307与之前发布的100 V、1.8......
电源模块为未知的电动汽车电源挑战提供了全新可能(2023-03-03)
。该芯片组重量仅 266g，功率密度为 15kW/kg，占位空间仅 0.046L，即体积功率密度为 87kW/L。为了在车辆中提供全面的功能，还需要一些额外的电路，其中包括高压连接器、低压连接器、散热......
IDT公司通过新增额外的支持PCIe时钟输出的器件扩展VersaClock 5产品系列(2015-07-15)
说：“IDT公司一贯致力于新技术的开发，使工程师能构建高灵活性、低功耗、同时具有超小型占位面积的时序系统。采用这些新推出的器件，构建基于PCIe系统的设计团队可以充分体验VersaClock 5产品......
Vishay推出小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET(2024-05-07)
%，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而......
SiC和GaN的应用优势与技术挑战(2023-10-17)
：
● 更高的功率密度：与硅器件相比，SiC 和GaN 器件每单位面积可以负载更高的功率。这允许实现更小、更轻的功率转换器。
● 更高的效率：SiC 和GaN 器件比硅器件效率更高，可以......
Bourns 推出高效平面变压器系列, 专为高频、小空间 DC－DC 转换设计而制造(2023-03-08 10:11)
Bourns 推出高效平面变压器系列, 专为高频、小空间 DC－DC 转换设计而制造;Bourns 新型 PLN0xx-ED21 平面变压器系列，在低高度外形设计中可提供高体积功率密度、低损......
音频技术：如理解dB，20dB和60dB究竟差多少？(2023-04-13)
（这个总该知道了吧？还不知道？我靠……真的都还给亲爱的老师了），so：响度 = 功率 / 面积功率的单位是瓦特咯，面积我们用平方米，那么响度的单位就是：瓦 / 米^（论坛......
IR推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403(2014-06-26)
IR推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403;IR推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括......
Bourns 推出高效平面变压器系列, 专为高频、小空间 DC-DC 转换设计而制造(2023-03-07)
PLN0xx-ED21 平面变压器系列，在低高度外形设计中可提供高体积功率密度、低损耗和更高的效率
2023年3月7日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，扩展领先业界的大功率......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗(2020-02-17)
关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65......
Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC(2023-07-12)
场上竞争产品相比，该解决方案占位面积减少50%，效率提高40%。
AHV85110为Power-Thru产品系列中的首次发布，能够提供2倍功率密度，以及更简单、更高......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
用的硅基衬底的热膨胀系数不匹配，导致在大尺寸晶圆上生长GaN时容易出现翘曲和裂纹，从而影响器件的制造良率和可靠性。
制造成本：尽管增加晶圆直径可以降低单位面积的生产成本，但大尺寸晶圆的制造和处理技术更为复杂，初期......
半导体产业的三月：摩尔定律的荣光与嵌入式世界的生态扩展(2023-04-03)
Baines
这些定律揭示了晶体管的大小不断按比例缩减给半导体行业带来的机遇：登纳德缩减定律指出，随着硅芯片上晶体管几何尺寸的缩减，电源电压也会降低，这将使得从一代硅芯片到下一代硅芯片的单位面积功......
空调制冷系统工作流程图（单位换算、结构、原理）(2024-05-06)
水处理仪或全自动软化水处理装置
空调主机的选型：
负荷计算：
根据设计手册进行详细的计算。具体计算可参见设计手册。
单位面积负荷概算法。在实际工程中，有时要求对建筑物空调负荷做一个预先估计，以便......
一枚芯片的实际成本是多少？(2016-10-23)
要采用以下公式：
每个晶圆的晶片数=（晶圆的面积/晶片的面积）-（晶圆的周长/（2*晶片面积）的开方数）
晶片的成品率和工艺复杂度、单位面积的缺陷数息息相关，晶片的成品率用公司表达为：
晶片的成品率=（1+B......
长电科技Chiplet系列工艺实现量产(2023-01-05)
科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内,微凸点(µBump)中心距为40μm,实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成,达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。同时......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET(2024-05-07 13:51)
在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖......
织物摩擦带电电荷密度测试仪的性能说明(2022-12-15)
投入法拉第筒后试样的电位，再换算成单位面积上的带电量。
1、定装置由摩擦装置和电位装置组成
2、摩擦装置包括摩擦棒、垫板、垫座及绝缘棒
3、电位测定装置由法拉第筒，电容器及电位计组成
4、摆放位置：法拉第筒：地面，静电......
长电科技：Chiplet系列工艺实现量产(2023-01-06)
科技XDFOI™技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点（µBump）中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存(2024-11-21)
Cell,5位）等不同规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。
* 通孔（Plug）：堆叠多层基板之后，为一次性形成单元的垂直孔。
* 低变形（Low Stress......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V(2024-05-07)
器件，同时减小占位面积。本文引用地址：Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E......
半导体领域新增并购案(2024-12-12 12:41:54)
一季度完成。
据介绍，SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采......
249元！小米众筹素士电动牙刷开卖：37200次/分钟(2016-10-12)
刷毛，采用高密度植毛3D刷头，提升单位面积内40%毛量的同时，双弧面3D刷毛设计更贴合牙齿弧度。
此外，除了通用清洁型刷头外，还提供了敏感护理型刷头及深度清洁型刷头。
牙刷主体及底座均为IPX7防水，刷牙......
锋源氢能在北京地区顺利交付并保障60台氢能大巴进行商业化运营(2024-09-14 09:35)
石墨长堆、石墨短堆和金属长堆三种堆型。石墨长堆最大功率160kW，体积功率密度4.5kW/L。金属长堆最大功率240kW，体积功率密度6.2kW/L。电堆产品均按照车规级要求经过严格的研发测试及验证流程，适合......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
式设备和游戏机。本文引用地址：
技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指......
Picorpower推出60-W dc/dc转换器PI3101(2010-06-11)
器在现有一半尺寸的解决方案内提供60W输出功率，功率密度为105W/in.2，创建新的功率密度标准。器件将隔离、电压变换和输出调节集成在一个具有0.57平方吋占位面积和0.27吋高......
半导体产业的三月：摩尔定律的荣光与嵌入式世界的生态扩展(2023-04-03)
好地描述产业发展路径。
Codasip首席营销官Rupert Baines
这些定律揭示了晶体管的大小不断按比例缩减给半导体行业带来的机遇：登纳德缩减定律指出，随着硅芯片上晶体管几何尺寸的缩减，电源电压也会降低，这将使得从一代硅芯片到下一代硅芯片的单位面积功......
半导体产业的三月：摩尔定律的荣光与嵌入式世界的生态扩展(2023-03-31)
好地描述产业发展路径。
Codasip首席营销官Rupert Baines
这些定律揭示了晶体管的大小不断按比例缩减给半导体行业带来的机遇：登纳德缩减定律指出，随着硅芯片上晶体管几何尺寸的缩减，电源电压也会降低，这将使得从一代硅芯片到下一代硅芯片的单位面积功......
小型化工业级AC/DC电源供应器(2022-09-01)
已将新的 TAD50 系列添加到其 15W 至 450W 的开放式框架电源产品组合中。它具有紧凑的 3"x1.5" 占位面积并提供 50W 的连续输出功率。此外，还提供峰值功率功能，使电源能够在 5......
未来芯片发展关键方向！苹果积极布局玻璃基板芯片封装技术(2024-04-02)
让在更长时间内保持峰值性能。
同时，的超平整特性使其可以进行更精密的蚀刻，从而使元器件能够更加紧密地排列在一起，提升单位面积内的电路密度。
玻璃基板的应用不仅是材料上的革新，更是一场全球性的技术竞赛，它有......
相关企业
机等电子高新技术方面十分广泛，其发展前景十分乐观，是老产品的改性和新品开发者的首选覆铜板材料。电子设备，仪器的小型化，多功能化，大功率化等方面的迅速发展，要求单位面积上所装载的元器件愈来愈多，功率
有各类广告招牌中的首先产品。奇幻原子灯广告牌“吸引眼球”效果明显。它不断的闪动结合停留,有效的提高了人们的视觉冲击力,有效的提高了广告单位面积利用率。安全耐用,安装使用简单快捷,是传统霓虹灯的最佳替代
、销售、工程和服务于一体的高科技企业。公司引进国内外先进技术，先进生产工艺，同时拥有雄厚的技术力量，采用大功率LED集成式模组、超导热管及纯铝材单位面积同步热传递的独特设计，展示
5300平方米，建筑面积3000平方米，现有员工50余名，其中技术人员占30%。另有一整套完善的检验检测设备，年产量达三万台。 公司系机电部定点小功率电机专业制造单位，省重点产品出口企业之一，专业
;lalala;;单位小面积还行，主要是位置冲要
;扬州华中五金交电化工有限公司;;我公司是由扬州五金交电化工总公司的改制单位,是扬州规模最大的仪器仪表经营单位。主要经营：万用表，钳形表，兆欧表，温湿度表，电桥，电位差计，电阻箱，功率表，测距
7500平方米，参展企业156家，国际标准展位179个，特装展位面积近500平方米。参展企业主要来自国内、香港、台湾和日本。其中国际参展商18家，37个标准展位，占展位总数的23％。国内采购商（团
;宜兴市科兴合金材料有限公司;;本公司创建于1997年10月，位于太湖之滨陶都宜兴东郊。是专业开发、生产、销售电力电子器件用钼元片的高新技术企业，是中国电器工业协会电力电子分会会员单位。我公司占地面积
;深圳市广鸿发科技有限公司;;圳市广鸿发科技有限公司在1987年注册成立于广东，拥有一支在国内集成电路销售业中具有丰富经验的队伍，作为一个专业的电子贴片销售公司，产品定位面向多种贴片，包括通讯，家电
，研发人员占公司总人数的20％。公司占地面积近30万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米，主要净化级别为0.3微米百级。公司于2001年3月在上海证券交易所上市，为国