EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET,实现高效灵活设计

发布时间:2023-02-07  

EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET,实现高效灵活设计


宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列,提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器,以及电机驱动器。


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全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,采用耐热增强型QFN封装,占位面积仅为3 mm x 5 mm。


EPC2307与之前发布的100 V、1.8 mΩEPC2302、100 V、3.8 mΩ EPC2306、150 V、3 mΩ EPC2305、150 V、6 mΩ EPC2308 和 200 V、5 mΩ EPC2304 兼容,使设计人员能够权衡 导通电阻与价格,在相同PCB占位面积上,放入不同的产品型号以实现更高效率或更低成本的解决方案。


这些器件采用顶部裸露的耐热增强型QFN封装。极小的热阻改善了通过散热器来散热,从而实现出色的热性能,而可润湿侧面简化了组装,而且封装兼容,为不同规格提供了设计灵活性,从而加快了产品的上市时间。


该系列器件为电机驱动设计带来各种优势,包括其极短死区时间可实现电机+逆变器系统的高效率、可降低磁损耗的较低电流纹波、可提高精度的较低转矩纹波,以及可降低成本的低滤波。


对于DC/DC 转换应用,这些器件在硬开关和软开关设计中提供高达五倍的功率密度、出色的散热性能和更低的系统成本。此外,振铃和过冲都显着减少以改善 EMI。


EPC的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说:“该系列产品的封装尺寸兼容、易于组装的器件不断推陈而出,以支持工程师的设计实现高度灵活性、快速优化和上市。该系列器件用于体积更小、更轻的电机驱动器、更高效和更小的 DC/DC 转换器,以及更高效的太阳能优化器和微型逆变器。”


EPC90150开发板采用半桥拓扑的EPC2307,旨在简化评估过程并加快产品上市时间。 尺寸为2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)的电路板专为实现最佳开关性能而设计,包含所有关键组件以便于评估。


EPC2307以1000片为单位批量购买,每片价格为3.54美元。每块开发板EPC90150的单价为200美元,可从Digi-Key立即发货。


有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。


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