资讯
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管......
Chip中国芯片科学十大进展公布(2024-09-04)
功能器件的实现及量子器件的发展奠定基础。
超越硅基极限的弹道二维晶体管
北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10 nm超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，开创性的提出了「稀土元素钇诱导二维......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维......
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障(2024-04-23)
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障;4 月 23 日消息，印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管，能够......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
以来芯片的材料都是以硅材料为主，但是随着芯片工艺的不断提升，传统硅基芯片正在逐渐逼近极限，它的极限在哪里呢?那就是1nm。
而1纳米之所以是硅基芯片的极限，这里面主要基于两点考虑：
第一、硅原子的大小。
芯片的就是将晶体管注入到硅基......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。
“利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
材料（2D-OI）具有原子级的半导体沟道，在先进制程中可以充分发挥二维半导体的优势。此外材料表征结果证明，生长的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶......
新型石墨烯半导体或颠覆电子学(2024-01-23)
新型石墨烯半导体或颠覆电子学;这种超材料表现优异，超越硅，可能引领电脑速度的革命。本文引用地址：全球首个功能性半导体表现出色，超越了硅制半导体，这表明这种超材料可能是计算的未来。
背景：材料......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
半导体均匀生长技术，并且对于多种二维半导体均可适用，在15分钟就可快速实现12英寸晶圆内低缺陷的二维单层全覆盖。得益于能够在任意衬底上进行生长，研究者还展示了绝缘体上硅（SOI）的晶圆结构流程制作晶体管......
北京邮电大学即将成立集成电路学院，大力推进集成电路学科建设与发展(2022-03-22)
和非弹性电子散射的理论框架，建立了确定材料结构的方法和所需的重要参数库。在碳基电子学领域，发展形成了整套碳基CMOS集成电路无掺杂制备新技术，首次制备出性能接近理论极限，栅长仅5纳米的碳纳米晶体管，实现了综合性能超越硅基......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略(2022-11-10)
性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
碳纳米管CMOS器件结果，将晶体管性能推至理论极限。
集成电路发展的基本方式在于晶体管的尺寸缩减，从而性能和集成度，得到更快功能更复杂的芯片。 目前主流CMOS技术即将发展到10纳米技术节点，后续......
预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量(2022-12-30)
研究副总经理黄汉森(Philip
Wong)在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题，他认为到了2050年，晶体管来到氢原子尺度，即0.1nm。
关于未来的技术路线，黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
Electronics。
基于新结构和新原理的二维半导体器件展现出广泛的应用前景，有望解决硅基器件在极限尺寸下面临的问题。然而，二维材料原子级厚度使其在半导体先进制程中显得过分脆弱。特别......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
了厚度仅三个原子的2D通道材料，同时在室温下实现了近似理想的低漏电流双栅极结构晶体管开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅材料的固有限制所需的两项关键性突破。
● 研究人员还展示了对2D材料......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
宜的节点来实现密度改进较小的其他一些功能的能力。
在不久之前，我们曾披露，复旦大学微电子学院的周鹏教授，包文中研究员及信息科学与工程学院的万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管技术。
该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
中国科学家在半导体领域获突破;经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-05)
开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅材料的固有限制所需的两项关键性突破。
研究人员还展示了对2D材料的电接触拓扑结构（electrical contact topologies......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
：
● 英特尔展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，使用了厚度仅三个原子的2D通道材料，同时在室温下实现了近似理想的低漏电流双栅极结构晶体管开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
通过在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示：
△亚1纳米栅长晶体管......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
领域愿景。英特尔和台积电的努力，也突显 CFET 技术对半导体产业未来的重要性。
复旦大学研发出异质 CFET 技术
复旦大学研究团队：周鹏教授、包文中研究员及万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
的比喻
3. 事物都是有极限的
4. 晶体管的基础知识和选型方法
5. 实际试用晶体管
6. 引脚顺序为“爱･酷･宝”
7. 尝试增加负载
8. 用Arduino使LED闪烁
9. 总结
1. 什么是晶体管......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
接什么了。一开始我也是这样。
在本文中，我将以电子制作中常用的方法为例介绍晶体管，内容非常适合那些完全不知道如何使用晶体管的人。
目录
1. 什么是晶体管？
2. 水流的比喻
3. 事物都是有极限的......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如7nm节点......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能;IT之家 12 月 11 日消息，众所周知，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型形成互补结构，从而......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如......
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片(2022-12-07)
子的大小。
芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中，晶体管越多性能越强，想要提升芯片的工艺，那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
但是随着芯片工艺的不断提升，单位硅基芯片能够承载的晶体管......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管......
重新定义数据处理的能源效率，具有千个晶体管的二维半导体问世(2023-11-14)
重新定义数据处理的能源效率，具有千个晶体管的二维半导体问世;
研究人员创造了第一个基于二维半导体材料的内存处理器，包含1000多个晶体管，这是工业生产道路上的一个重要里程碑。图片来源：艾伦·赫尔......
还不会设计晶体管施密特触发器？不要错过(2024-06-21)
的滞后。
R1：[(24v - 9v) / 2.3mA] = 6.5k，使用 6.2 kΩ。
R3 限制 T1 的最大基极电流，最大基极电流可以为： [2.3mA / 30] = 77μA（因为晶体管......
为了给摩尔定律续命，芯片行业有多努力？(2023-03-27)
进的芯片是5/4nm级工艺，使用的是ASML的Twinscan NXE：3400CEUV光刻系统，具有0.33数值孔径（NA）光学，提供13nm分辨率。但随着工艺节点的不断演进，不断逼近物理极限的晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
堆叠GAA晶体管和超越硅材料的固有限制所需的两项关键性突破。
研究人员还展示了对2D材料的电接触拓扑结构（electrical contact topologies）的首次全面分析，为打造高性能、可扩展的晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06 11:18)
尔探索通过超薄“2D”材料，在单个芯片上集成更多晶体管：• 英特尔展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，使用了厚度仅三个原子的2D通道材料，同时在室温下实现了近似理想的低漏电流双栅极结构晶体管开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
果近日发表于国际学术期刊《自然》。
论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维......
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世(2024-11-07)
堪称迄今为止最小的3D晶体管，其性能与功能不仅与现有硅基晶体管不相上下，甚至在某些方面还实现了超越。
晶体管作为现代电子设备和集成电路不可或缺的基石，承担着放大和开关电信号等多重关键任务。
然而......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
是用 PNP 还是 NPN 管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管......
IEDM2022：延续摩尔定律，英特尔底层创新不断(2022-12-09)
强说道。
3微米间距的混合键合技术
3个原子厚的超薄二维材料
材料同样是晶体管微缩的关键。宋继强表示，英特尔采用RibbonFET结构实现GAA时，随着源极和漏极之间的间距缩小，硅材......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题，一般不以超过管子的极限参数（Icm、BVceo、Pcm）为限......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题，一般不以超过管子的极限......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
成 PNP 双极晶体管的基极保持在 VIN – VF(DIODE)，导致晶体管没有足够的 VBE 来开启。当 Q1 的栅极电容(Gate Capacitance)通过外部连接的电阻器 Rbias 充电......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
开关 此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时，该旋钮置“基极电流或基极......
另辟蹊径，石墨烯带来不一样的半导体制造方法(2017-05-04)
子层石墨——就如同复制机器一般能够将底层的材料性能复制到顶层。
什么是石墨烯材料
石墨烯是一种二维晶体，人们常见的石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的，石墨......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
栅长逐步微缩，本工作实现了亚1纳米栅长的晶体管
学术界在极短栅长晶体管方面做出了探索。2012年，日本产业技术综合研究所在国际电子器件大会（IEDM）报道了基于绝缘衬底上硅实现V形的平面无结型硅基晶体管......
电视发射器电路(2023-07-21)
了一个内置电容器的变压器。
信号二极管是一种只允许电流单向流动的二极管。它们可通过高达 100mA 的小电流，并处理电信号中的信息。它们广泛应用于信号处理。这里的信号二极管用于视频调制。
音频输入通过电阻和电容串联连接到晶体管的基极......
数字音频选择器开关电路分享(2023-05-25)
路图所示，编号为1-10的10个输入信号分别通过电容器C1-C10施加到晶体管T1-T10的基极。晶体管的偏置电压借助R1-R10获得。根据应用于IC1的二进制状态，其输出之一Q0-Q9变为低电平。例如，如果......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
半导体的研发上取得了新的进展。
据媒体报道，日前，一支由南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶一种高K钙钛矿氧化物）与二维半导体集成，这种方法可以为开发新型晶体管......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
的晶体管架构并采用新的材料。
而1nm芯片是比2nm芯片更先进的工艺，在2nm芯片上可以采用二维材料，但在1nm芯片就不太可行了。
因为台积电与麻省理工学院一直都在研发1nm......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关;基础半导体器件领域的高产能生产专家今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管()系列产品，均采......
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主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片