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Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。此外，无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
确保BJT稳定安全地工作。阅读本文，了解如何使用来应对标准BJT的温度依赖性。本文引用地址：
为了减少元器件数量、简化电路板设计，配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起，集成......
150W功率放大器电路(2023-09-01)
欧姆的负载（扬声器）。本文引用地址：电路的原理：
该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27 11:10)
用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节......
Nexperia推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(2023-09-27)
的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。此外，无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种......
调频发射电路(2023-07-24)
毫伏左右。这种极小的电压首先需要放大。双极晶体管的共发射极结构偏置在 A 类区域工作，产生放大的反相信号。
该电路的另一个重要方面是 colpitt 振荡器电路。这是一种 LC 振荡器，能量......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
用于软复位和电源循环
NPN双极结型晶体管用作驱动电路
驱动P沟道高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。此电路形成一个逆变器，将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。此电路形成一个逆变器，将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关所需的高电平逻辑信号。
当系......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
1. 晶体管BJT的工作原理
让我们从经典的NPN晶体管开始。
下图是个双极结晶体管(BJT)，有三......
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED(2023-02-08)
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED;大功率灯串（例如汽车前灯中用的灯串）要求电流恒定，也就是无论环境温度和输入电压如何波动变化，电流都保持稳定。电流稳定可以确保灯串的亮度水平恒定，有助......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）
据悉，重庆......
晶体管收音机电路原理图讲解(2024-04-22)
收音机的电路原理图并解释其工作原理。
双极结型晶体管（BJT）是该电路中的主要元件。在此设置中，通常使用 NPN 晶体管。通过充当放大器，晶体管可以增强传入的微弱射频 (RF) 信号。天线接收射频，然后通过调谐 LC......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生(2017-08-28)
相形胜出
第一款向市场投放的碳化硅功率电晶体是在2008年，以1,200伏结场效应电晶体(JFET)的形式出现的。SemiSouth实验室遵循了JFET的方法，因为当时，双极结晶体管(BJT)和......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
。事实上，这些稳压器可以被认为是可调齐纳二极管。
基于双极结晶体管 （BJT）
的分压器 图 2 中的 VS 没有推挽输出级，并且在无负载的情况下会浪费大量功率。我们可以使用基于 BJT 的 VS......
Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合(2020-06-24)
开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管(BJT)、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。
Nexperia提供多种汽车级分立器件无引脚封装，从小尺寸DFN1006BD-2 (1......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
（两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻），Ptot为350 mW，可实现更高集成度并节省更多成本。
新系列（NHDTx和NHUMx）包括42个具有PNP/NPN组合的器件，这些......
单片机工作电压5V的来历(2023-02-02)
-Transistor Logic，即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管......
SD27403兼容LM27403，具有温度补偿的过流保护和可编程热关机功能的同步降压IC(2024-03-20)
置软启动、预偏置启动、集成低压差 (LDO) 稳压器、具有可定制滞后的高精度使能 Enable，用于可编程线路欠压锁定 (UVLO)，以及用于拍频敏感和多稳压器应用的同步功能。
SD27403提供小尺寸 24......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
高功率音频放大器电路分享(2023-05-24)
功率。不要使用小型扬声器来尝试此放大器电路，因为放大器会被它损坏。
作为最终电平放大器，通常使用双极晶体管代替MOSFET作为双极晶体管，在特定情况下比高压MOSFET更耐久。本文所用的晶体管......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-20)
车厂频频出手抢购所致。
业界分析，IGBT是一种功率开关元件，有「电力电子CPU」之誉，是由BJT（双极性接面晶体管）和MOSFET（金氧半场效晶体管）组成......
什么是变频器（VFD）？(2024-04-11)
的开关有可能实现更好的逆变器输出可控性以及相关的改进的动态响应。
较旧的逆变器设计通常使用可控硅整流器 (SCR) 或双极结型晶体管 (BJT) 作为开关组件。SCR 可以在 250 至 500 Hz 范围内工作，而......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
半导体器件又称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，包括MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、BJT（全程双极性结型晶体管，也就是三极管）、晶闸......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
选择合适的集成度来满足电机设计要求;这篇文章是我们运动控制技术文章系列的第三篇（第一篇 |第二篇）。
如果您正在设计电机驱动应用，以往您可能会使用如双极结型晶体管 (BJT) 等多......
Flex电源模块针对RFPA电信应用推出500W 1／4砖DC－DC转换器(2019-06-25)
Flex电源模块针对RFPA电信应用推出500W 1／4砖DC－DC转换器;• 这款转换器具有高密度，非常适合用于使用28V LDMOS或GaN晶体管的射频功率放大器应用• 提供高效率，半载......
Flex电源模块针对RFPA电信应用推出500W 1／4砖DC－DC转换器(2019-06-25)
Flex电源模块针对RFPA电信应用推出500W 1／4砖DC－DC转换器;• 这款转换器具有高密度，非常适合用于使用28V LDMOS或GaN晶体管的射频功率放大器应用• 提供高效率，半载......
用源表测试IV参数的典型应用及源表测试软件(2023-03-20)
、分立和无源元件
两端口器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
三端口器件——小信号双极结型晶体管（BJT）场效应晶体管（FET），等等
2、简单......
A类功率放大器简介：共发射极PA(2024-01-03)
电流意味着线性操作较差，因此我们可以预期功率放大器基本上是非线性的。即使是A类功率放大器——最线性的功率放大器类型，也是本文的主要主题——通常被设计为提供等于晶体管偏置电流的峰值交流电流。
我们......
使用 PICAXE 14M2 和步进电机构建红外跟踪器(2023-08-07)
所见，步进电机附带一块 PCB。PCB 上的电路包括一个 ULN2003A 集成电路，其中包含七个达林顿晶体管对，其中使用了四个。每对由两个 NPN 双极结型晶体管组成，用作低电流信号（例如......
数字音频选择器开关电路分享(2023-05-25)
输入代码为0010，则Q2变为低电平，将T3的基极拉至0V，而所有其他晶体管的基极则升至接近+15 V。
因此，T3用作发射极跟随器，而其他晶体管则有效地反向偏置。晶体管阵列......
Dialog半导体有限公司日前推出新型固态照明 (SSL) LED驱动器(2013-08-13)
Dialog的PrimAccurate™原边控制专利技术，消除所需的次级调节器和光耦器件，从而节省BOM成本。同时，以低成本双极结型晶体管 (BJT) 替换场效应晶体管 (FET)。采用BJT开关......
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
作为B类功率放大器工作的示意图。
图1. 晶体管作为B类功率放大器的操作。图片由Steve Arar提供
对于双极型晶体管，我们需要将基极-发射极结偏置在大约0.7 V。对于FET器件，栅极-源极偏置......
ADALM2000活动：BJT多谐振荡器(2022-12-01)
钟脉冲的负沿或下降沿，ON晶体管将断开，OFF晶体管将导通。真D信号和互补DB信号（Q3、R7反相级的输出）用于偏置二极管D1和D2，以将时钟脉冲引导至正确的基极，这相当于图8中的SET和RESET输入。
为了......
音频放大器的特点及原理(2023-10-26)
责将输入的电压信号放大到足够的水平。放大级通常由一个或多个晶体管（BJT或FET）组成，晶体管的特性决定了放大器的增益和失真。放大级的输出通常通过耦合电容连接到下一级放大器。
输出级
输出......
步进电机与8051微控制器接口(2023-04-06)
机和ULN2003实现步进电机控制。由于ULN2003晶体管阵列由7个输出组成，你可以控制单极和双极的步进电机。
在这个项目中，我将向你展示如何使用8051微控制器和ULN2003晶体管阵列来控制一个5......
ADALM2000实验：BJT多谐振荡器(2023-06-20)
相对于当前状态的状态，在时钟脉冲的负沿或下降沿，ON晶体管将断开，OFF晶体管将导通。真D信号和互补DB信号（Q3、R7反相级的输出）用于偏置二极管D1和D2，以将时钟脉冲引导至正确的基极，这相......
设计高效电动车快速直流充电桩方案，您需要这样一份文档！(2023-03-08)
层面涉及主逆变器和发电机、升压转换器、DC-DC转换器、车载充电器；器件封装类型包括分立式、电源模块；功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT（双极晶体管）、碳化硅（SiC）MOSFET和氮化镓（GaN）HEMT等......
设计高效电动车快速直流充电桩方案，您需要这样一份文档！(2023-03-08)
转换器、DC-DC转换器、车载充电器；器件封装类型包括分立式、电源模块；功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT（双极晶体管）、碳化硅（SiC）MOSFET和氮化镓（GaN）HEMT等。
前不......
微型微控制器托管双直流/直流升压转换器(2023-03-29)
就是死区时间。操作电感器的开关通常是 BJT（双极结晶体管）或 MOSFET。MOSFET 是，因为它能够处理大电流、更高的效率和更高的开关速度。然而，在低电压下，很难......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction......
使用8051单片机原理的步进电机控制(2024-01-03)
晶体管阵列由7个输出组成，因此您可以控制单极和双极步进电机。
在这个项目中，我将向您展示如何使用8051微控制器和ULN2003晶体管阵列控制5线单极步进电机。
电路图
下图显示了将步进电机与8051......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
车规级IGBT有多重要？;作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块，其功率更大、散热......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
成 PNP 双极晶体管的基极保持在 VIN – VF(DIODE)，导致晶体管没有足够的 VBE 来开启。当 Q1 的栅极电容(Gate Capacitance)通过外部连接的电阻器 Rbias 充电......
浅谈AB类音频功率放大器输出中的DC电压漂移(2023-06-13)
将首先进行深入分析，以了解离散双极结型晶体管（BJT）音频放大器的DC偏移背后的原因。接下来，我们将设计一种方法来消除或至少减轻该问题。
首先，创建一个简单的放大器模型，包括主要阶段。
放大器的简单模型图3......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
来看看早期最有力、速度最快的BJT晶体管和现在最常用的MOSFET晶体管有什么不同。
BJT晶体管通道
BJT的构成很简单，就是把2个P型半导体夹住1个N型半导体变成三明治。当然，也有用2个N型半......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
/℃，如图6所示。
图6 传播延迟与TA
采用P沟道MOSFET作为上拉与双极性晶体管相比，有两个优点：第一，低 RDS(ON)可实现最小的内部电压降，为给定的VCC-VEE提供较大的接通电压。其次......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
MOSFET（场效应晶体管）和BJT（Bipolar Junction Transistor，双极晶体管）的结合体，因此既有MOSFET的优势，也有BJT的优势。综合而言，IGBT的优势包括高电流、高电......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体功率开关元件的效率和性能可以带来广泛的好处，提高经济性并加速这些应用的部署。B-Tran结构和工作模式要了解 B-Tran 的工作原理，我们首先需要了解绝缘栅双极晶体管......
相关企业
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
灯 仪器仪表 产品以下; D I P S M D 桥式整流器/稳压二极管/普通二极管/恢复二极管/能量二极管/开关二极管/高效整流二极管/TO-9双极型晶体管/TO-92M0D双极型晶体管TO-92L
/SOT-23 MOS 管CJ5853DC 数字晶体管DTA144EE/SOT-523 双极型晶体管MMST2222A/SOT-323 双极型晶体管MMBT2222A/SOT-23 双极型晶体管
. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
-XC164CM-8F40F 2.4G 无线收发芯片 NORDIC: NRF24L01 晶体管阵列，用于打印机针驱动 Sanken: STA401A, STA403A, STA413A, STA471A
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
;深圳市中环星科技有限公司;;深圳市中环星科技有限公司主要以厂家直销方式。主要有双极型晶体管.开关二极管.肖特基二极管.场效应管（MOSFET）。我们有过硬的质量，优质的服务，优势的价格。真诚的希望与贵司有合作的机会！
传感器、颜色传感器 、 高频管双栅场效应管、高频三极管、单片微波管、射频硅双极晶体管、微波双极晶体管 、集成IC红外遥控IC、红外数据IC、蓝牙IC 等。经营品牌有：德律风根、 英飞凌 、安捷伦、夏普
. 代理日本松下全系列车载继电器。 3. 代理日本三洋全系列OS-CON电容、全系列POSCAP电容。 4. 代理日本三洋半导体大小功率MOSFET，低饱和大小信号双极晶体管，功率双极晶体管，肖特基势垒二极管及射频晶体管