葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

三维晶体中首次捕获电子，为探索超导性等稀有电子态打开大门;据最新一期《自然》杂志，美国麻省理工学院物理学家成功地在纯晶体中捕获到电子。这是科学家首次在三维（3D）材料中实现电子平带。通过......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体......
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。 “利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障;4 月 23 日消息，印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管，能够......
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体......
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体......
总投资超过10亿元的项目11个，计划总投资318亿元。行业覆盖投资、半导体、生物医药等领域。 图片来源：投资厦门 投资厦门报道称，现场签约的校友招商项目中，云天二期——云天半导体三维晶......
，是FD-SOI晶体管的剖面图。 另外，1989年，Hitachi公司的工程师Hisamoto对传统的平面型晶体管的结构作出改变提出的基于体硅衬底，采用局部氧化绝缘隔离衬底技术制造出全耗尽的侧向沟道三维晶体......
中国在现有技术路径上遭遇壁垒，将倒逼“路径创新”，给FDSOI、三维晶体管等技术带来机遇；二是集成方法从平面到三维将成为技术演进的新途径，功能融合趋势将拓展出新空间；三是设计创新、架构创新、电子......
创新、换道发展才是出路。中国在现有技术路径上遭遇“7纳米壁垒”，特倒逼“路径创新”，给FDSOI、三维晶体管等新技术路径带来机遇。集成方法从平面到三维将成为技术演进的新途径，功能......
内循环+双循环，重塑全球产业链。 在市场之外，技术创新战略是：路径创新、换道发展才是出路。中国在现有技术路径上遭遇壁垒，将倒逼“路径创新”，给FDSOI、三维晶体管等技术带来机遇。集成方法从平面到三维......
内循环+双循环，重塑全球产业链。在市场之外，技术创新战略是：路径创新、换道发展才是出路。中国在现有技术路径上遭遇壁垒，将倒逼“路径创新”，给FDSOI、三维晶体管等技术带来机遇。集成方法从平面到三维......
性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以......
果展示的绝缘体上二维材料（2D-OI）具有原子级的半导体沟道，在先进制程中可以充分发挥二维半导体的优势。此外材料表征结果证明，生长的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶......
管  北京大学彭海琳教授研究团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管。该工......
的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶晶界并没有直接关联，统计结果显示了优异的器件电学均一性。这些发现为二维半导体提供了从实验室向产业界过渡的发展路径。 封面图片来源：拍信网......
20世纪60年代 起，半导体发展经历了3次浪潮（几何缩微、后道工艺缩微、三维晶体管）。美国作为半导体技术发源地，紧紧抓住了信息技术与全球化机遇，一方面超前谋划、体系布局，加大技术探索和攻关力度；另一......
二维量子液晶已成为高温超导体的前身。 如今，科学家们新发现三维量子液晶，它将用于制造拓扑超导体。 一种兼具晶体和液体部分性质的中间态 据外媒“科学警报”网站4月22日报道，加州理工学院量子信息与物质研究所的物理学家们首次发现了一种三维......
件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层，借助纳米柱等底层微纳结构，实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期，研究团队在该领域取得进展，利用......
以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工艺复杂度高，且性......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩; 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩 预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合，包括......
7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工艺复杂度高，且性......
Device Letters 据中科院介绍，微电子所研发团队使用研发的垂直晶体管新工艺制备出单晶硅沟道3D NOR三维阵列，其上下叠置的晶体管既具单晶硅沟道的高性能优势，又有三维......
同时温度不会升高到很离谱的程度。  石墨烯即单层石墨, 碳原子以sp2杂化轨道组成六角形，呈蜂巢晶格（honeycomb crystal lattice）排列的单层二维晶体。它具有超薄（1毫米......
中国科学家在半导体领域获突破;经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维......
及电性实验结果：（a）器件TEM截图（左）及沟道局部放大图（右），（b）编程特性和（c）擦除特性 据中科院介绍，微电子所研发团队使用研发的垂直晶体管新工艺制备出单晶硅沟道3D NOR三维阵列，其上下叠置的晶体......
管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工......
成果已经发表于《自然 — 电子学》杂志上。 简单来说，研究人员创新地设计出了一种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，可以在相同的工艺节点下，实现器件集成密度翻倍，从而获得卓越的电学性能。 官方表示，极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体......
大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维......
宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维......
管）。张晓强指出，CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）架构后，下一个全新的晶体管架构。从14nm导入三维......
器件基于晶态—液态新型开关机理，与传统晶体管等完全不同，是集成电路全新开关器件。单质Te具有原子级组分均一性，能与TiN形成完美界面，使二端器件具有一致性与稳定性，并可极度微缩，为海量三维......
制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。它的出现，将为半导体行业带来哪些不一样的图景？ CFET与此前晶体管结构的最大不同之处，在于采用晶体管垂直堆叠结构，这或将开启三维晶体......
成电路进入2纳米技术代时，每平方毫米的硅片上可容纳3.3亿个晶体管。 将不同功能的芯片通过系统集成和三维封装等方式组合，以满足集成电路多功能应用需求。如将不同工艺、不同材料、不同功能的数字电路、存储......
的研究主要集中在块状材料上，也就是三维结构。团队此次尝试了一种新方法，构建一种被称为超构表面的二维光子时间晶体。这种新的方法使研究人员能够制造出光子时间晶体，并通过实验验证了关于其行为的理论预测。 研究......
研究新结构氧化物半导体器件、铁电场效应晶体存储器和三维集成技术等。 封面图片来源：拍信网......
道，传统的芯片制造都是在二维方向上，在特定面积内整合更多晶体管。英特尔技术团队提出了一个新的技术突破方向，那就是在三维方向上堆叠“小芯片”（或“芯片瓦”），从而在单位体积内整合更强大的晶体......
封装及矽晶堆叠的系统整合技术等。其中采用纳米片电晶体架构的 2nm 制程工艺在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于 2025 年量产。相比于第二代 3nm 制程工艺，2nm 制程......
的人工智能应用，如产生人类语言的聊天机器人，需要更密集、更强大的计算机芯片。但半导体芯片传统上是用块状材料制造的，这种材料是方形的三维（3D）结构，因此堆叠多层晶体管以实现更密集的集成非常困难。然而，由超......
器件测试单元）； 多功能仪表单元（八合一仪表单元）； 三维立体V-I-F动态阻抗测试单元（动态阻抗测试单元）可扩充：2048路测试通道； 可编程程控电源单元：可根据测试需要扩充电源通道； 硬件测试框架； 2、可编......
其成为商业应用的理想选择。 新兴的人工智能应用，如产生人类语言的聊天机器人，需要更密集、更强大的计算机芯片。但半导体芯片传统上是用块状材料制造的，这种材料是方形的三维（3D）结构，因此堆叠多层晶体......
科学原理将现象和信息等转换为电信号等的装置 执行机构：将电等能源转换为机械运动，用于运行设备的驱动装置 离子：指因电子过剩或缺失而携带电荷的原子 压电材料：表现压电性的结晶性物质的统称 压电单晶：材料内部的晶体......
台积电1.6nm技术A16首次公开！2026年开始量产; 4月25日消息，今天在美国举行了“2024年台积电北美技术论坛”，公布了其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维集成电路(3D IC......
管密度增加了 600,000 多倍。缩小晶体管尺寸需要使用更短波长的光，例如极紫外光，以及其他光刻技巧可以缩小晶体管栅极之间和金属互连之间的空间。展望未来，它是第三维度，晶体管将在另一个维度上构建，这很重要。这种......
重大突破！中国功率半导体封测再添“利器”;IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，俗称电力电子装置的“心脏”，作为国家战略性新兴产业，在高铁、新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空......
式设备和游戏机。本文引用地址： 技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？;这两日，华为申请公布的一项专利引发关注。该专利由哈尔滨工业大学与华为技术有限公司联合申请，内容是"一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法"。自此......
钻石，颠覆传统芯片;「钻石恒永久，一颗永流传。」这一句广告词，引起了诸多女人的疯狂，也让钻石成为了昂贵的爱情代表。本文引用地址：最近，「钻石」也开始走入半导体，华为和哈尔滨工业大学的专利《一种基于硅和金刚石的三维......
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
管。该技术将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，绕过 EUV 光刻工艺，实现了晶圆级异质 CFET 技术。 该团队利用硅基集成电路的成熟后端工艺，将二硫化钼 (MoS2) 三维......

相关企业

深圳市勤维晶科技有限公司
;深圳市勤维晶科技有限公司;;深圳市勤维晶科技有限公司是LED显示屏、led等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在深圳,深圳市勤维晶科技有限公司拥有完整、科学的质量管理体系。公司以诚信、实力
深圳多维晶
;深圳多维晶;;
深圳市多维晶电子科技有限公司
;深圳市多维晶电子科技有限公司;;
深圳多维晶电子科技有限公司
;深圳多维晶电子科技有限公司;;深圳市多维晶电子科技有限公司是一家专业从事高反压三极管（自己封装）、场效应晶体管、集成电路、电子整机销售并同时提供技术服务的综合型进出口电子企业。本公
深圳市科维晶鑫科技有限公司
;深圳市科维晶鑫科技有限公司;;深圳科维晶鑫科技有限公司是集研发、生产 、销售、服务于一体的LED直插全系列及LED显示屏基地。公司设备先进、采用全自动一条龙.技术力量强大，拥有
深圳市科维晶鑫科技有限公司-销售部
;深圳市科维晶鑫科技有限公司-销售部;;公司简介 深圳市科维晶鑫科技有限公司是一家从2004年开始从事LED发光二极管的生产型企业，凭着先进的LED生产设备、富有
深圳市华朗科技有限公司
;深圳市华朗科技有限公司;;华朗科技从事三维数字化扫描系统的公司，是专业三维结构光扫描系统运营企业。我们致力于先进制造技术领域内的高技术装备的研发生产和销售、数字化制造解决方案、三维技术支持、三维
上海豪雷机电设备有限公司
;上海豪雷机电设备有限公司;;平面激光切割机,三维五轴激光切割机,数控冲床，折弯机，剪板机 平面激光切割机,三维五轴激光切割机,数控冲床，折弯机，剪板机 平面激光切割机,三维五轴激光切割机,数控
杭州先临三维科技股份有限公司.
;杭州先临三维科技股份有限公司.;;公司自主研发的可见光照相式Shining3D-Scanner系列三维扫描仪，采用光栅扫描技术，标志点全自动拼接，具有高效率、高精度、高寿命及高解析度等优点，特别
广州瑞祥电子技术有限公司
;广州瑞祥电子技术有限公司;;广州瑞祥电子技术有限公司是一家专业从事三维激光扫描系统和扫描机研发的高科技公司。公司拥有雄厚的技术开发力量，三维激光扫描产品达到国内先进水平，具有