第三代半导体材料是具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)为代表。第三代半导体材料的主要应用是半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有宽带隙、高击穿电场、高导热性、高电子饱和率和更高的抗辐射性。因此,它更适合制造高温、高频、抗辐射和高功率器件。典型的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)第三代半导体材料具有高功率、高工作温度、高击穿电压、高电流密度和高频特性的优点。它们允许在高频下显著提高能效和低能耗。第三代半导体在这些频率下仍能保持优异的性能和稳定性。第三代晶体管具有优越的物理财产,可能取代第一代和第二代半导体材料。汽车行业已经表明,在汽车企业中使用第三代半导体越来越重要。中国还推出了第十四个五年计划,重点是扩大其第三代半导体生产能力。

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