随着5G应用加快落地、新能源汽车快速发展、光伏等新能源战略地位的不断提高,第三代半导体展现出更加广阔的市场前景。目前,全国多地均掀起了第三代半导体投资热潮,而政府也在积极发挥引导和支持作用。
9月23日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称:国创中心)在京召开第一届理事会第一次会议。
会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划(建议稿)》,审议通过了第一届理事长、副理事长、理事,专家委员会主任、成员,国创中心主任人选,并听取了国创中心前期工作汇报。这标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。
据悉,国创中心由科技部批复同意建设,旨在瞄准国家战略需求,统筹全国优势力量,聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向,推进各类相关创新主体和创新要素有效协同,输出高质量科技创新成果,培育发展新动能,推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。
目前,国创中心布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等六个区域中心,有效衔接政府支持和企业需求,联合行业龙头企业,协同全国50余家科研机构,初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。
国创中心还聚集了第三代半导体领域多个院士团队,行业领军人才50余名,形成500多人规模的专职团队,聚焦产业链薄弱环节重点发力,取得了阶段性进展和成效。
未来,国创中心将持续推动中国第三代半导体产业的发展,突破技术难点和产业化瓶颈,助力中国第三代半导体产业的整体提升。
封面图片来源:拍信网
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