随着5G应用加快落地、新能源汽车快速发展、光伏等新能源战略地位的不断提高，第三代半导体展现出更加广阔的市场前景。目前，全国多地均掀起了第三代半导体投资热潮，而政府也在积极发挥引导和支持作用。

9月23日，国家第三代半导体技术创新中心（以下简称：国创中心）在京召开第一届理事会第一次会议。

会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划（建议稿）》，审议通过了第一届理事长、副理事长、理事，专家委员会主任、成员，国创中心主任人选，并听取了国创中心前期工作汇报。这标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。

据悉，国创中心由科技部批复同意建设，旨在瞄准国家战略需求，统筹全国优势力量，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，推进各类相关创新主体和创新要素有效协同，输出高质量科技创新成果，培育发展新动能，推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。

目前，国创中心布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等六个区域中心，有效衔接政府支持和企业需求，联合行业龙头企业，协同全国50余家科研机构，初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。

国创中心还聚集了第三代半导体领域多个院士团队，行业领军人才50余名，形成500多人规模的专职团队，聚焦产业链薄弱环节重点发力，取得了阶段性进展和成效。

未来，国创中心将持续推动中国第三代半导体产业的发展，突破技术难点和产业化瓶颈，助力中国第三代半导体产业的整体提升。

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