近日，芯合半导体有限公司在国家信息技术应用创新展示中心举办产品发布会，正式发布企业自主研发生产的SiC SBD、SiC MOSFET两个系列的多款碳化硅功率芯片产品，这是该企业发展历程中的重要里程碑。

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本次发布会特邀多家功率半导体应用相关企业、碳化硅芯片领域的专家以及投资方汇聚于此。

此次发布会不仅展示了芯合半导体在碳化硅功率器件领域的专业实力，也为提升品牌知名度迈出了坚实的一步。

赵清总经理在开场致辞中表示，碳化硅作为半导体领域的一款新型材料，因新环境下提出的多元需求，在其卓越性能和优秀品质的基础上，从设计到应用开发的各个环节均面临着前所未有的挑战。在近期中央委员会召开的第三次全体会议之后，结合中国的独特能源结构，碳化硅的产业发展获得了充分肯定。

△芯合半导体总经理 赵清

芯合半导体一直致力于碳化硅功率器件的设计、制造和应用开发，拥有丰富的经验和专业的团队。在发布会上，总经理赵清回顾了公司的发展历程，从8年前进入碳化硅行业，经历了碳化硅晶圆制造从4寸到6寸的变迁过程，积累了宝贵的经验和教训。他对碳化硅产业的发展充满信心，表示芯合半导体将为高端应用功率芯片全产业链国产化提供更好更有价值的服务。

芯合半导体总经理赵清：“我对芯合半导体满怀信心，在国产化应用的浪潮中为大家提供更具价值的服务，并衷心期望能与各界携手，共同将碳化硅事业推向更为辉煌的高峰。”

此次发布会上，芯合半导体总工程师王敬详细介绍了公司的产品和技术。芯合半导体采用IDM模式，业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试，具有生产周期短、研发迭代快、产能保障、质量可靠，可为客户提供定制化开发等优势。公司在产线规划建设、质量和管理体系认证、专有技术开发等方面也取得了显著进展，拥有自主知识产权，技术团队实力雄厚。

△芯合半导体总工程师 王敬

在产品发布环节，芯合半导体总工程师王敬展示了多款碳化硅产品，包括SiC MOSFET 1200V 13mΩ17mΩ28mΩ40mΩ80mΩ及SBD系列产品。这些芯片产品无论是从阈值电压、导通电阻、击穿电压、产品良率，还是产品的高温性能来看，均已达到国际领先水准。

王敬特别强调了芯合半导体对所有产品从静态到动态的全方位测试，通过极为严苛的测试条件，有力地保障了新产品的高可靠性。此外，公司完善的信息化建设和严格的品控标准也获得了参会嘉宾的一致认可。

在座谈交流环节，各企业代表纷纷发言，对芯合半导体的产品表示关注和认可，未来碳化硅等新型半导体将会成为市场的增量，并具有广阔的发展前景。

此次发布会的成功举办，展示了芯合半导体在碳化硅领域的技术实力和创新能力，也为行业发展注入了新的活力。芯合半导体将继续努力，不断提升产品质量和性能，加强与各方的合作，共同推动碳化硅事业的发展。

相信在未来，芯合半导体将在全球半导体市场中崭露头角，为客户提供更加优质的产品和服务，成为行业的领军品牌。