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建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段;9月3日，据山西经济日报消息，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目目前已经进入试运行阶段。预计该项目明年将达到1万支......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
鸿海布局第四代化合物半导体;近日，鸿海 研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温......
15亿+19.2亿，这家第四代半导体公司接连签约两大项目;根据东乡县融媒体中心官方消息，5月14日，在浙江省杭州市举行的甘肃省重点产业招商推介会上，东乡县与杭州鑫磊半导体科技有限公司（以下简称“鑫磊半导体......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！;新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体......
。 晶驰机电表示，本次融资将有助于推动其在第三代、第四代半导体材料装备的研发和市场推广，提升其在国内第三代、第四代半导体装备行业竞争力，加速推动半导体设备国产化进程。 官微资料显示，晶驰......
镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？ 第四代半导体......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
《新闻联播》：这家公司已开始布局第四代半导体材料;5月8日，中央电视台《新闻联播》报道了山西省转型发展取得的新成果。 图片来源：新闻联播视频截图 《新闻联播》在报道中指出，在山西省半导体......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡;6月20日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。 据“无锡高新区在线”介绍，同济大学第四代半导体......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？;近日，国内对第四代半导体材料——氧化镓的研发迎来了新的突破。 据“浙大杭州科创中心”消息，该中心先进半导体......
打入苹果供应链，随着主动上门表达对力积电新技术的肯定。 业界分析第四代半导体相较于第三代半导体，其基板制作更容易，同时具备超宽能隙的特性，使材料所能承受更高电压的崩溃电压和临界电场，在超......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”; 【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
镓）、金刚石等第四代半导体上。 半导体的寒冬已经持续超过一年，无论从业绩上来看，还是从投资总额上来看，还能保持向上的领域屈指可数。而宽禁带半导体（WBG）就是这样的一个领域，无论市场如何动摇，都在......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！; 3月21日消息，近日，杭州镓仁有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。 采用......
旬投产。 据悉，该项目于今年7月落地河北正定县，项目总投资2亿元，分两期建设，一期建设计划时间为2025年—2026年。项目以金刚石设备与碳化硅外延设备为产品核心，专注于第三代和第四代半导体......
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 消息称，此次集中签约标志着顺义区第三代半导体......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业;据萧山经开区消息，1月2日，杭州镓仁半导体有限公司正式开业。 资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家......
人工晶体材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。 封面图片来源：拍信网......
领域科技竞赛的又一个高地。贝塔伏特是全球目前唯一一个能够掺杂制作大尺寸金刚石半导体材料的公司，高效率金刚石转换器是制造核电池的关键。贝塔伏特既是一家公司，也是一家第四代半导体......
的审核状态变更为“提交注册”...详情请点击 4 国产“芯”突破 近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延......
材料产能占据国内第一，市场占有率超过50%。该公司总经理今年5月在接受中央电视台《新闻联播》采访时还透露，正在积极布局第四代的半导体材料。 《山西省“十四五”新材料规划》亦提到，“十四......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆;近日，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下，利用......
的道路还非常遥远。 今天是《半导体行业观察》为您分享的第1309期内容，欢迎关注。 关注微信公众号 半导体行业观察，后台回复关键词获取更多内容 回复 科普 ，看《第三代半导体科普，国产......
拥有完全自主知识产权，而且使用该技术制备的 2 英寸氧化镓晶圆是全球首次。 2022 年 12 月，铭镓半导体实现了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料 4......
秦创原总窗口入驻企业，其在研的技术产品主要面向第四代半导体材料、器件及5G通讯等行业，对于提升我国半导体材料器件行业水平，促进新一代半导体技术代差更迭具有重要意义。 在半导体制备原理中，衬底是由半导体......
氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 1 4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破 据晶片测试分析，其结......
、第四代半导体材料，如氧化镓，金刚石，氮化铝等超禁带半导体材料，以推动产业链的自主可控，建立上下游的产业生态。” 据介绍，新组建的江城基金主要由存量股权资产和财政现金注入组成。按照《武汉......
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制; 到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高......
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制;• 到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高......
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制; 到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高......
入局氧化镓 近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代半导体的关键技术上取得重大突破，提高了氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能。 本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体......
SK启方半导体推出第四代0.18微米BCD工艺;为提高移动和汽车功率半导体性能提供了解决方案韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸......
更高的成本效益。• GaN Systems 作为推动电源产业更新换代的先驱角色，承诺持续开发高性价比的能源转换解决方案。全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要 • GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
，证监会披露了关于芯三代半导体科技 (苏州) 股份有限公司（以下简称“芯三代”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。据披露，2024年1月30日，海通证券与芯三代签订了《首次......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证; 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能;新闻摘要：• 数据速率提高到 7200 MT/秒，内存带宽比目前的第一代 DDR5 设备提高了 50%• 扩大......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能;新闻摘要：• 数据速率提高到 7200 MT/秒，内存带宽比目前的第一代 DDR5 设备提高了 50%• 扩大......
市场需求不断扩大，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体快速发展，同时，以氧化镓为代表的第四代半导体亦开始展露头角。 尤其是近年来在“碳达峰、碳中和”等战略目标提出下，国内功率及化合物半导体......
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制; •到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将更小、更高......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能; 【导读】作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质......

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