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建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段;9月3日，据山西经济日报消息，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目目前已经进入试运行阶段。预计该项目明年将达到1万支......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
15亿+19.2亿，这家第四代半导体公司接连签约两大项目;根据东乡县融媒体中心官方消息，5月14日，在浙江省杭州市举行的甘肃省重点产业招商推介会上，东乡县与杭州鑫磊半导体科技有限公司（以下简称“鑫磊半导体......
镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？ 第四代半导体......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
《新闻联播》：这家公司已开始布局第四代半导体材料;5月8日，中央电视台《新闻联播》报道了山西省转型发展取得的新成果。 图片来源：新闻联播视频截图 《新闻联播》在报道中指出，在山西省半导体......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡;6月20日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。 据“无锡高新区在线”介绍，同济大学第四代半导体......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？;近日，国内对第四代半导体材料——氧化镓的研发迎来了新的突破。 据“浙大杭州科创中心”消息，该中心先进半导体......
打入苹果供应链，随着主动上门表达对力积电新技术的肯定。 业界分析第四代半导体相较于第三代半导体，其基板制作更容易，同时具备超宽能隙的特性，使材料所能承受更高电压的崩溃电压和临界电场，在超......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”; 【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
镓）、金刚石等第四代半导体上。 半导体的寒冬已经持续超过一年，无论从业绩上来看，还是从投资总额上来看，还能保持向上的领域屈指可数。而宽禁带半导体（WBG）就是这样的一个领域，无论市场如何动摇，都在......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！; 3月21日消息，近日，杭州镓仁有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。 采用......
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 消息称，此次集中签约标志着顺义区第三代半导体......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业;据萧山经开区消息，1月2日，杭州镓仁半导体有限公司正式开业。 资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家......
领域科技竞赛的又一个高地。贝塔伏特是全球目前唯一一个能够掺杂制作大尺寸金刚石半导体材料的公司，高效率金刚石转换器是制造核电池的关键。贝塔伏特既是一家公司，也是一家第四代半导体......
的审核状态变更为“提交注册”...详情请点击 4 国产“芯”突破 近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延......
材料产能占据国内第一，市场占有率超过50%。该公司总经理今年5月在接受中央电视台《新闻联播》采访时还透露，正在积极布局第四代的半导体材料。 《山西省“十四五”新材料规划》亦提到，“十四......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆;近日，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下，利用......
的道路还非常遥远。 今天是《半导体行业观察》为您分享的第1309期内容，欢迎关注。 关注微信公众号 半导体行业观察，后台回复关键词获取更多内容 回复 科普 ，看《第三代半导体科普，国产......
拥有完全自主知识产权，而且使用该技术制备的 2 英寸氧化镓晶圆是全球首次。 2022 年 12 月，铭镓半导体实现了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料 4......
秦创原总窗口入驻企业，其在研的技术产品主要面向第四代半导体材料、器件及5G通讯等行业，对于提升我国半导体材料器件行业水平，促进新一代半导体技术代差更迭具有重要意义。 在半导体制备原理中，衬底是由半导体......
氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 1 4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破 据晶片测试分析，其结......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸......
更高的成本效益。• GaN Systems 作为推动电源产业更新换代的先驱角色，承诺持续开发高性价比的能源转换解决方案。全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
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GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要 • GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证; 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
，证监会披露了关于芯三代半导体科技 (苏州) 股份有限公司（以下简称“芯三代”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。据披露，2024年1月30日，海通证券与芯三代签订了《首次......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能;新闻摘要：• 数据速率提高到 7200 MT/秒，内存带宽比目前的第一代 DDR5 设备提高了 50%• 扩大......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能;新闻摘要：• 数据速率提高到 7200 MT/秒，内存带宽比目前的第一代 DDR5 设备提高了 50%• 扩大......
市场需求不断扩大，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体快速发展，同时，以氧化镓为代表的第四代半导体亦开始展露头角。 尤其是近年来在“碳达峰、碳中和”等战略目标提出下，国内功率及化合物半导体......
Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能; 【导读】作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质......
国量产200毫米碳化硅器件。该合资公司将支持中国汽车电动化发展，满足市场对意法半导体碳化硅器件不断增长的需求。 第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产，以增......
资公司将支持中国汽车电动化发展，满足市场对意法半导体碳化硅器件不断增长的需求。第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产，以增强我们在性能和成本方面的竞争力。超650万汽车搭载ST SiC器件服务＞75......
资公司将支持中国汽车电动化发展，满足市场对意法半导体碳化硅器件不断增长的需求。 第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产，以增强我们在性能和成本方面的竞争力。 超650万汽车搭载ST......
碳化硅器件不断增长的需求。 ●   第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产，以增强我们在性能和成本方面的竞争力。 超650万汽车搭载ST SiC器件 服务＞75家汽车客户 行家说三代半......
SK海力士计划升级在华工厂，DRAM生产设备提升至第四代10nm工艺; 【导读】据韩媒《首尔经济》报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;·获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证 ·以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体......
又能减少电力损耗和重量的器件。 Semiconductor 的第四代 SiC MOSFET 具有更高的电压耐受水平、更低的传导和开关损耗以及更小的尺寸，可降低损耗。SiC 是一种 WBG 半导体，与 Si MOSFET 技术相比，在高......
是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。该公司致力于打造第三代和第四代化合物半导体芯片产业生态圈，是宽禁带化合物半导体外延薄膜材料制造商。 该公......
SK 海力士开发 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特尔至强可扩展处理器;IT之家 1 月 13 日消息，SK 宣布，公司研发的第四代 10 纳米级（1a） 服务器 DRAM 获得了近期上市的全新第四代......
UnitedSiC推出四款基于第四代先进技术的新型SiC FET器件;领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已基于其第四代SiC FET先进......
打响2023年CPU市场的第一枪——英特尔第四代至强可扩展处理器发布;元旦刚刚过去，随着CES 2023的完美落幕，半导体市场又开始了激烈的争夺，“你方唱罢我登场”。北京时间2023年1月11日......
需求却在不断暴涨，由此先进封装被寄予厚望。近两年，已有多家封测大厂不断通过兼并、扩产、创新技术等方式提高市场竞争力…详情请点击 6 三代半项目遍地开花 近日，多个第三代半导体......

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急，苦于作灯之缓。有智者，杉条染硫黄，置之待用，一与火遇，得焰穗然。既神之，呼引光奴。” 从引光奴为鼻祖发展起来的第一代发光体蜡烛开始，人类又经历了白炽灯、荧光灯，逐步进入到了今天的第四代半导体LED照明
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