资讯
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
２、用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
实现电压放大。
图6 基本共源放大电路
与晶体管放大电路的共射、共集、共基接法相对应，场效应管放大电路有共源、共漏、共栅接法，有电路输入电阻高、噪声系数低，抗辐......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
MOS管符号
图1-5-B P沟道MOS管电压极性及衬底连接
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性
1. 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普通双极型晶体管......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
节点实现突破
近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动输入晶体管的......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。两个......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管的......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代;
【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其免受高电场的影响？
图2：罗姆的第3代碳化硅金氧半场效晶体管（来源......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
局将栅极密度增加了约1.3倍。
然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
的六边形布局，该布局将栅极密度增加了约1.3倍。
然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓垂直场效应晶体管适应于......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
(S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
以下是如何判断 MOSFET 是否有缺陷的指南。这些......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。
3纳米GAA MBCFET的优越性
GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流在源极......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
和衬底之间的区域）和衬底之间。
氧化物电容值可以使用以下方程式计算：
方程式3
和耗尽电容，使用这个：
方程式4
其中CGBO是栅极-体块重叠电容项，取决于晶体管的物理特性。
氧化物电容和耗尽电容彼此并联——当两......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
下图中也分别列出了它们的结构。
在输出Nch MOSFET中，由漏极D的N型扩散层、元件分离用的P型扩散层和连接到电源的N型扩散层（在这里是连接到输出Pch MOSFET的源极S），可以形成寄生NPN晶体管......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
在每一根纳米线的四周添加了绝缘材料和金属栅极，从而形成栅极结构。对于处于垂直状态的两根纳米线，纳米线两端和源极和漏极区域相互连接，成为同一晶体管的共同组成部分。将纳......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
在每一根纳米线的四周添加了绝缘材料和金属栅极，从而形成栅极结构。对于处于垂直状态的两根纳米线，纳米线两端和源极和漏极区域相互连接，成为同一晶体管的共同组成部分。将纳......
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
流线路要尽量的短粗，并且尽量避免经过过孔，一定要经过过孔的话要把过孔做大一些(>1mm)并且在焊盘上做一圈小的过孔，在焊接时用焊锡填满，否则可能会烧断。另外，如果使用了稳压管，场效应管源极对......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效晶体管......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
位操作。
下面的图个乐，没基础的看这玩意就是挥刀自宫
1. P0
1个输出锁存器（D型触发器）2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）1个输出控制端（1个与......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1.与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管的控制输入端电流极小，因此......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
址，第二功能：用于系统扩展
P3：常用第二功能
1. P0
1.1 构成
1个输出锁存器（D型触发器）
2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）
1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）
1......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
以通过使用PowerVia和背面触点来实现供电，当同步使用两种技术，就能实现非常高效的晶体管堆叠。除了这两个关键技术外，还需要栅极之间的连接及一对NMOS 和 PMOS 堆栈的源极之间的连接，这都......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
，背面供电网络也为芯片提供部分性能改进。通过更直接的方式缩短晶体管的功率传输路径有助于抵消 IR Droop 效应，从而更好地向晶体管层传输功率，并且消除干扰，解决了数十年来的互连瓶颈问题。
从数......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
沟道，这一创新带来了三大优势：
•节约空间：晶体管沟道的垂直堆叠，相较于传统的水平堆叠，大幅减少了空间占用，有助于晶体管的......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的性能能够直接影响这些应用设备的整体系统性能，对于开发工程师而言，它通常是所有新项目的必备品。”
e络盟......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
与汽车应用的需求增长速度相当。”
他补充道：“功率场效应管推动这些应用的需求增长，除了更广为人知的汽车应用外，还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量(2023-11-07)
，从而导致电子运动产生更多热量，从而影响芯片性能。传统的散热器被动地将热量从热点处吸走，但寻找更动态的控制来主动调节热量仍然是一个挑战。
新型热晶体管具有场效应（通过......
相关企业
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管
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产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;大连恒森微波电子有限公司驻深办;;采购负责人； 您好！ 我公司系专业生产霍尔ＩＣ及场效应管的生产厂家，霍尔IC的产品型号有；１７７，２７７，３１４４，３０４０，３５０３（其中3040可完
目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
;结型场效应管 深圳市辉盛伟业电子科技有限公司;;深圳市辉盛伟业电子科技有限公司 经销批发的IC集成电路、单片机、场效应管、电容、电阻、电感、晶体管、逻辑IC、高压电容、三极管畅销消费者市场，在消
营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管与二三极管的
;凯晶半导体有限公司;;凯晶半导体有限公司成立于2009年3月。公司总部设立在台湾，主要从事场效应管的研发和设计，产品涵盖低压MOS的各种型号和封装。
;深圳市美源达电子器材有限公司;;深圳市美源达电子器材有限公司.位于中国深圳市，深圳市美源达电子器材有限公司.是一家IC、电阻电容、功率模块、二三极管、场效应管、晶体管