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DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
注入了一丝活力。
DRAM缩放速度放缓
对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管就越多，也就......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
DRAM）工艺阶段。针对DRAM芯片，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管就越多，这意味着一片芯片能实现更高的内存容量。
虽然10nm还不是DRAM的最......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
DRAM）量产，据悉，该公司正在对下一代1γ（gamma）工艺进行初步的研发设计。而三星的技术路线图预计，2023年进入1b
nm（第五代10nm级别DRAM）工艺阶段。针对DRAM芯片，随着晶体管尺寸越来越小......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
星的技术路线图预计，2023年进入1b nm（第五代10nm级别DRAM）工艺阶段。针对DRAM芯片，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管就越多，这意味着一片芯片能实现更高的内存容量。
虽然10nm......
北大教授：后摩尔时代，集成电路技术的4个发展方向(2022-05-19)
处理更多信息；同时，加工尺寸越小，晶体管的栅长就越短，电信号在晶体管内以及晶体管之间的传输速度就越快。一般来说，加工尺寸为上一代工艺节点的0.7倍时，晶体管面积缩小50%，集成电路性能提升1倍。当集......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
已经说明过了。
下面尽我所能来回答，欢迎指正。
为什么要缩小晶体管尺寸？
第一个问题，因为晶体管尺寸越小，速度就越快。这个快是可以直接翻译为基于晶体管的集成电路芯片的性能上去的。下面以微处理器CPU为例......
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?(2021-02-10)
制程工艺是否只是噱头?
“手机芯片的制程数值越小，意味着芯片晶体管尺寸进一步微缩，芯片中元器件的排列也更加密集。这使得单位面积内，芯片可集成的晶体管数目增多。此次手机芯片制程由7nm提升至5nm，使得芯片上集成的晶体管......
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？(2021-02-03)
晶圆代工厂无法参与到先进制程工艺的赛道。目前，具备先进制程芯片生产能力的代工厂，仅有台积电、三星和英特尔三家。然而，高昂的付出却仍然无法解决功耗问题，先进制程工艺是否只是噱头？
“手机芯片的制程数值越小，意味着芯片晶体管尺寸......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
（第五代10nm级别DRAM）工艺阶段。针对DRAM芯片，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管就越多，这意味着一片芯片能实现更高的内存容量。
虽然10nm还不......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T;
存算一体化是指将传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，它可以突破冯·诺伊曼架构下存算分离的瓶颈，直接......
激光切割机原理 激光切割机主要参数(2023-06-19)
）为单位。光斑直径越小，激光束的能量密度越高，可以实现更高质量的切割和焊接。
工作台尺寸：工作台尺寸指激光切割机的工作区域大小，通常以毫米（mm）为单位。工作台尺寸越大，可以加工的工件尺寸......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
是不是就可以解决以上两个问题了？ 下图为晶元面积的发展史，很可惜晶元面积的增长速度较慢。如果不进行晶体管尺寸缩小，仅仅依靠晶元变大，那么半导体发展将远远的落后于摩尔定律。
选用......
英特尔完成全球首台ASML High NA EUV光刻机组装！(2024-04-22)
着光刻系统市场，光刻系统是使用光束帮助创建芯片电路的设备。光刻是芯片制造商用来改进芯片的众多技术之一，但它是芯片上特征尺寸能够多小的一个限制因素——尺寸越小意味着速度越快、能效越高。
据悉......
更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
。电阻越低，存储器的访问速度越快。
他们还称，MoS2和AlScN的结合是晶体管技术的真正突破。由于要使器件小型化，其他研究团队的FE-FET一直受到铁电特性损失的阻碍。在这......
ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器 非常适用于智能手机和小型物联网设备等应用(2024-06-06)
地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。
造成运算放大器误差的因素通常包括“输入失调电压”*1和“噪声”。两者都是与放大精度相关的项目，都可以通过扩大内置晶体管尺寸得到抑制，然而这又涉及到与小型化之间的权衡关系。通过嵌入利用ROHM......
从2D到3D：半导体封装工艺与DTCO(2023-12-15)
摩尔定律为微电子行业提供了科学的缩放(scaling)方向。Dennard 缩放原理指出：当晶体管尺寸缩小半时,晶体管的性能(如速度、功耗等)将会提升约一倍,同时保持电压不变。这意味着,通过不断缩小晶体管的尺寸，我们可以在同样的芯片面积内集成更多的晶体管......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”;作者: 付斌随着摩尔定律不断推进，晶体管越来越小，密度越来越高，堆栈层数也越来越多。此时，细节就更能为芯片挤压更多性能，背面......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”;随着摩尔定律不断推进，晶体管越来越小，密度越来越高，堆栈层数也越来越多。此时，细节就更能为芯片挤压更多性能，背面供电就是一个。与此同时，它可......
IBM推碳纳米管芯片，真的会是硅的完美替代者吗？(2016-11-16)
么需要碳纳米管
据国外媒体报道，在计算机从冰箱大小的大型机到能装入口袋里的智能手机的发展过程中，芯片变得越来越小，运行速度越来越快。其间，小型化是计算机进化的核心。尽管在电子原件向原子程度缩小的过程中，面临......
ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器， 非常适用于智能手机和小型物联网设备等应用(2024-06-06)
地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。
造成运算放大器误差的因素通常包括“输入失调电压”*1和“噪声”。两者都是与放大精度相关的项目，都可以通过扩大内置晶体管尺寸得到抑制，然而......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
，开关速度越快......
全球存储市场在竞争什么？(2023-02-03)
））、1Z（12nm-14nm）、1α（约13nm），目前来到1β（10-12nm）、1γ（约10nm，1β的增强版）的节点。
对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管......
为什么大多红外热像仪的级别和像素有关(2023-06-01)
=19，200，在12米处测量的最小尺寸是2*2cm。可见像素越高所能拍摄目标的最小尺寸越小：
二、测温范围和被测物
根据被测物体的温度范围确定测温范围，来选择合适温度段的红外热像仪。目前......
模拟技术的困境(2017-05-18)
effects）效应。它们可能导致晶体管尺寸大于最小可制造尺寸，用于精确或匹配区域。换句话说，模拟技术通常会模拟高级节点中更大特征尺寸的工艺，从而进一步降低了模拟模块的工艺缩放的优势。”
但是......
浅述高压差分探头产生畸变的原因(2023-06-13)
信号会出现过冲和震荡。输入信号变化越快，波形畸变越明显。
当输入信号一定时，运算放大器的增益带宽积越大和相位裕度越大，畸变就越小。
浅述高压差分探头使用中应该注意的问题有哪些？
1、输出......
台积电罗镇球：没有永远的拳王 中国设计公司也会涌现自己的拳王(2023-12-05)
是芯片设计和製程工艺要做共同的优化。这个方法是在台积电开发10纳米时候开始的。台积电从10纳米开始，在做7纳米、3纳米和5纳米的时候，我们发现DTCO对于在缩小晶体管的过程中，它的贡献度越来越大。除了......
英特尔推新型封装材料，满足大模型时代应用(2023-09-20)
英特尔推新型封装材料，满足大模型时代应用;
【导读】英特尔宣布推出用于下一代先进封装的玻璃基板，计划未来10年内推出完整解决方案。其透露，这一突破性方案将使晶体管尺寸......
ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器，适用于智能手机和小型物联网设备等应用(2024-06-07)
地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。
造成运算放大器误差的因素通常包括“输入失调电压”*1和“噪声”。两者都是与放大精度相关的项目，都可以通过扩大内置晶体管尺寸......
工业相机必须要了解的参数有哪些？(2024-08-02)
一般为3-10μm，一般像元尺寸越小，制造难度越大，图像质量也越不容易提高。
6、光谱响应特性(Spectral Range)：指该像元传感器对不同光波的敏感特性，一般......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
，开关速度越快......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量(2023-11-07)
年代开发，具有三个电极——栅极、源极和漏极，当通过栅极施加电场时，它会调节电流（以电子形式）如何通过芯片，这些半导体器件可以放大或切换电信号和功率。
但随着多年来晶体管尺寸不断缩小，一块芯片上可以安装数十亿个晶体管......
先进半导体工艺带来芯片成本的变化(2016-12-19)
。Track数越小，门尺寸越小，但是布线也越困难。
晶圆成本，数字门密度与数字门成本如下图左所示。在130nm到65nm之间，晶圆成本上升的速度较慢，此后在40nm到20nm之间，晶圆成本上升由于加入了更多阈值电压的晶体管......
什么是CoWoS？ 用最简单的方式带你了解半导体封装！(2023-10-07)
智能、数据中心、5G、物联网、车用电子等等，可以说在未来的各大趋势，CoWoS 封装技术会扮演着相当重要的地位。
过去的芯片效能都仰赖半导体制程的改进而提升，但随着元件尺寸越来越接近物理极限，芯片微缩难度越......
步进电机控制+普中51单片机+普中官方(2024-08-08)
{
dir=!dir;
}
else if(key_num==2) //加速，延时speed越小，速度越快......
iPhone 8采用7nm工艺还是10nm工艺？高品质是方向(2016-10-20)
时候，IBM 公司就已经开发出了具备工作能力的 7nm 芯片原型。因为晶体管尺寸小了很多，一块芯片上足足拥有 200 亿的惊人数量。iPhone 7 上的 A10 Fusion 芯片拥有较之 A9 更多的晶体管......
天天说卡脖子，7nm体现在晶体管的哪部分你知道吗？(2020-09-18)
后，gate 长度的缩减速度更快了——至少快于 0.7 倍步进这个节奏，但晶体管的其他部分尺寸却未能按照这么快的速度去减小。所以 gate 长度这个时候对于衡量晶体管尺寸的意义已经没那么大了。后续......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
密度增加了 600,000 多倍。缩小晶体管尺寸需要使用更短波长的光，例如极紫外光，以及其他光刻技巧可以缩小晶体管栅极之间和金属互连之间的空间。展望未来，它是第三维度，晶体管将在另一个维度上构建，这很重要。这种......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
在源极和漏极之间通过通道流动。
在晶体管设计的优化过程中，有三个关键变量：性能、功耗和面积（PPA）。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。
随着晶体管尺寸的缩小，它们的结构也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
背面供电技术改变了芯片布线的逻辑。
传统上，计算机芯片的制造过程类似于制作“披萨”，自下而上，先制造晶体管，再构建线路层，同时用于互连和供电。然而，随着晶体管尺寸的不断缩小，线路......
控制环设计方法及稳定性评价(2024-08-02)
应的频率Wc，也叫截止频率，如下图蓝框所示。截止频率越高，代表系统响应速度越快。截止频率以下，增益大于1，截止频率以上，增益小于1。也就是说，截止频率越高，系统能响应的信号频率也就越高，当然响应速度也就越快......
伺服电机的参数如何设置？(2024-06-25)
数值根据具体的伺服驱动系统型号和负载值情况确定。一般情况下，负载惯量越大，设定值越大。在系统不产生振荡的条件下，尽量设定较大的值。
（4）速度积分时间常数
设定速度调节器的积分时间常数。设置值越小，积分速度越快。参数......
锐成芯微推出基于8nm工艺的PVT Sensor IP(2024-11-08 10:23)
临工艺、电压、温度（PVT）方面带来的挑战：先进制程芯片的工艺偏差、制造复杂性带来更多的不确定性；海量的晶体管数量和越来越小的晶体管尺寸或引起电压下降而影响信号、功耗和性能；散热也因晶体管......
三星89英寸MicroLED电视或下月试产，第三季量产(2023-01-06)
采用低温多晶硅（LTPS）薄膜晶体管（TFT），也是第一台不使用印刷电路板（PCB）技术的 Micro LED电视。而三星这样更改，是为了让最新型号、较小尺寸的电视能支持4K分辨率。 据悉，89英寸Micro LED......
跳过N3直接上升级版？苹果或成台积电N3E芯片首家客户(2022-09-15)
布的iPhone系列的高端机型。
台积电的N3E技术是目前第一代3纳米技术（N3）的升级版，预计将于今年开始进行测试，明年下半年开始批量生产。
纳米尺寸是指芯片上晶体管之间的宽度。当芯片上晶体管间的宽度越小......
苹果要首发！台积电宣布2nm已准备就绪(2024-11-25)
代表的是半导体制造技术的全新高度，随着制程技术的不断精进，晶体管尺寸日益缩小，这为在同一芯片上集成更多元件提供了可能，进而显著提升处理器的运算速度与能效比。
......
摩尔定律将继续影响电子信息产业的发展(2023-03-28)
年增加一倍"。问世已超过50年，人们不无惊奇地看到半导体芯片制造工艺水平以一种令人目眩的速度提高。
摩尔定律手绘图（图片来源于网络）
后人深入研究摩尔定律，发现其核心内容主要有三个，一是集成更多的晶体管......
什么是CoWoS？ 用最简单的方式带你了解半导体封装！(2023-10-07)
技术会扮演着相当重要的地位。
过去的芯片效能都仰赖半导体制程的改进而提升，但随着元件尺寸越来越接近物理极限，芯片微缩难度越来越高，要保持小体积、高效能的芯片设计，半导体产业不仅持续发展先进制程，同时也朝芯片架构着手改进，让芯......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管......
Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！(2024-06-21)
升!
Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。
不过在关键尺寸方面，Intel 3......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸、超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
时的损耗（功率损耗）越少。
*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。......
相关企业
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;辽宁丹东华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司成立于2001年,我司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。 公司为汽车/摩托
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博（香港）集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，TVS管，整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司，毗邻美丽的世界风筝都－潍坊，是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管，高频小功率晶体管，高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管