业内消息，近日表示其已成为第一家完成组装荷兰的新型“High NA”（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻设备的公司，目前已转向光学系统校准阶段。这是这家美国芯片制造商超越竞争对手的重要举措。

英特尔是第一家购买ASML生产的价值3.5亿欧元（3.73亿美元）的公司。尽管存在财务和工程风险，但这些设备预计将带来新一代更小、更快的芯片。英特尔光刻总监Mark Phillips表示：“当我们购买这些设备时，就同意其定价，如果我们不确信它具有成本效益，我们就不会这样做。”

ASML是欧洲最大的科技公司，主导着光刻系统市场，光刻系统是使用光束帮助创建芯片电路的设备。光刻是芯片制造商用来改进芯片的众多技术之一，但它是芯片上特征尺寸能够多小的一个限制因素——尺寸越小意味着速度越快、能效越高。

据悉，High NA设备预计将有助于将芯片设计缩小多达三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及旧技术是否更可靠、已能满足需求。英特尔的错误英特尔决定率先采用High NA并非偶然。

英特尔帮助开发了EUV技术——因其使用的“极紫外”光波长而得名。但它开始使用ASML的首款EUV产品晚于竞争对手台积电，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）承认这是一个很大的错误。

相反，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术——本质上是使用较低分辨率的执行更多步骤来达到相同的效果。“我们就是在那个时候遇到了麻烦，”Mark Phillips说。尽管较旧型号的浸润式DUV（深紫外）设备更便宜，但复杂的多重曝光会更耗时，并导致更多有缺陷的芯片，从而减缓了英特尔的商业进展。

英特尔目前已在其最佳芯片的最关键部分采用第一代EUV，Mark Phillips表示预计向High NA EUV的过渡将会更加顺利。“现在我们有了EUV，我们正在展望未来，我们不想重蹈覆辙，必须大力推动（ASML的第一代EUV设备）。”他说。Mark Phillips表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的设备将“在今年晚些时候全面启动并运行”。

英特尔计划在2025年使用这台双层巴士大小的设备来开发Intel 14A芯片，预计于2026年早期生产，并于2027年全面商业化生产。在本周发布财报的同时，表示，该公司已开始向一家客户（可能是台积电或三星电子）发货第二套High NA系统设备。该设备的大量运输和安装工作可能需要长达6个月的时间，这让占据了先机。

（集微网）