资讯
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”指令时,锁存器的输出状态Q=1(Q端为0),而使下方场效应管截止,引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1(Q端为0),而使下方场效应管截止,引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1(Q端为0),而使下方场效应管截止,引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构1个数据输出锁存器。2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。1个场效应管(FET)和1个片内上拉电阻组成。
P1口工作原理——只用......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管防反接电路......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
V2截止,通过P0口的外接上拉电阻,可使P0口输出高电平1。
2. P1
2.1 构成
1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路
2.2 做输入端口
此时Q=0,非Q=1,场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开,两个地通过0欧姆电阻点连接,可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制,利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑以下几点:
功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电路......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
管5551关断,高边NPN三极管5551被上拉电阻拉高,三极管导通,场效应管门级变为高电平,场效应管导通;在每一个PWM周期中,重复以上过程。
2)实时电压检测电路
针对煤矿产品的特点,镍氢......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
嵌入式超声波测距系统的实现方案(2024-01-25)
所示。40 kHz 的脉冲串通过控制场效应管不断地通断,使变换器原级电压耦合到次级完成电压抬升,驱动换能器发出超声波。其中,变换器的设计除了要考虑开关场效应管的最大电压应力,还要着重考虑变换器原、次级电......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:其结......
驱动氮化镓(GaN)场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
的负载能力,又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件,当对场效应管的栅极施加电压时,漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大,这意味着:没有电流从控制电路......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
详解MTK feature phone 音频功放开启关闭驱动示例(2024-09-20)
杜比定向逻辑解码器,AC-3,DTS解码器,和五声道功率放大器。以及画龙点睛的数字声场(DSP)电路,为各种节目播放提供不同的声场效果。但是由于AV功放在电路的信号流通环节上,经过了太多而且复杂的处理电路......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边,标号为P0.x 引脚的图标,也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位,即在P0 口有......
蓝箭电子创业板IPO获受理 募资6亿元投建半导体封测项目(2021-12-02)
产品。公司主要产品为三极管、二极管、场效应管等分立器件产品以及 AC-DC、DC-DC、锂电保护 IC、LED 驱动 IC 等集成电路产品。
目前,蓝箭......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦,需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,先介绍MOS管,然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器,所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机,所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括:串联......
浅析MTK6735模块耳机通道外接功放的处理(2024-09-20)
-3,DTS解码器,和五声道功率放大器。以及画龙点睛的数字声场(DSP)电路,为各种节目播放提供不同的声场效果。但是由于AV功放在电路的信号流通环节上,经过了太多而且复杂的处理电路,使声......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
一款简单的MOSFET功率音频放大器电路(2023-10-30)
原理图
TL071数据表
该放大器的效率为70%,在0Ω和2W的20Hz下,截止频率下的失真最多为8.10%。使用±30V的电源场效应管音频放大器可在45Ω上提供8W的功率,在70Ω上提供4W......
PCB板上各元器件损坏后都有哪些表现?(2024-06-03)
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。
场效应管:测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常,测试GD,GS是否有短路。
电容:无极性电容,击穿短路或脱焊,漏电严重或电阻效应。
电解......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此......
圣邦微电子推出 60V 高压降压转换器 SGM61630(2023-03-04)
内部集成高边 NMOS 类型场效应管,MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA,在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA,非常适合电池供电的高压转低压应用,如车......
直流12V风扇转速控制电路原理图(2022-12-06)
接成振荡器工作模式。振荡器的输出连接至场效应管IRF540(T1),风扇则连接在T1的漏极D和电池正端之间。
C1并接在风扇两端以稳定转速,二极管D1用来保护T1免受反电动势的冲击。2A容量的保险丝保护电路......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于......
MCS-51单片机最小系统的组成部分及电路图介绍(2023-07-19)
向P0口写“1”,此时锁存器的Q端为“0”,使输出级的两个场效应管V1、V2均截止,引脚处于悬浮状态,才可作高阻输入。
总结来说:为了能使P0口在输出时能驱动NMOS电路......
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;哈尔滨创业电子;;本公司经营集成电路\二三极管\场效应管
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.MOS场效应晶体管系列:结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆,完全替代IR
;结型场效应管 瑞金市象湖镇瑞洋电子经营部;;汕头市瑞洋电子贸易公司 经销批发的电解电容、二三极管、场效应管、集成电路IC畅销消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司
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;结型场效应管 浙江时代电子市场铮锋电子商行;;经销集成电路、单片机、二三极管、LED发光管、场效应管、IGBT、铝电解电容、CBB电容、CL电容、低高压瓷片电容、电阻等阻容器件。(78L系列