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看好化合物半导体领域 传台积电扩大氮化镓生产(2021-02-24)
国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批......
2020年度化合物半导体产业十大热点事件(2021-01-19)
味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成。该项目建成后，满产可实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。
6、台积电与意法半导体合作，加快GaN技术开发
2020年2月......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
和低电感电机驱动器。
作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。
英飞凌表示，公司......
三星进军氮化镓市场：2025年提供8英寸GaN代工服务(2023-07-09)
中心和汽车应用提供8英寸氮化镓晶圆代工服务。
随着世界范围消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求增长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，行业寄希望于碳化硅、氮化镓这样的化合物材料制造功率芯片......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。
随着终端产品对氮化镓......
第三代半导体发展利好，国内产业项目多点开花(2021-06-18)
发布指出，英诺赛科一期项目正式开启大规模量产，预计2021年实现产能可达6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片......
半导体四家企业IPO迎来最新进展(2024-06-18)
赛科表示，公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆及模块，应用......
成功导入ASML光刻机，英诺赛科今年有望进入氮化镓厂商全球前三(2021-12-09)
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。
受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......
福州新区两个GaN项目签约(2024-01-29)
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。
资料显示，芯睿半导体氮化镓晶圆......
晶瑞股份之后，这家公司与ASML签署了批量购买协议(2021-01-22)
赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
英诺赛科回应英飞凌专利侵权指控：反对非正常竞争！(2024-08-06)
续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。
（来源：）
作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓......
GaN市场“钱途”光明，又一半导体大厂强势入局8英寸赛道(2023-07-10)
是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。
报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。
据悉，氮化镓......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶圆......
这个项目将新添一条氮化镓共封装器件生产线 年产值可达到12亿元(2021-08-20)
共封装器件生产线。该项目建成并实现量产后，可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片，年产值可达到12亿元。
报道显示，去年11月，灿科半导体功率器件项目签约落地徐州高新区电子信息产业园内，由广......
世界先进宣布0.35微米650V氮化镓制程迈入量产(2022-11-24)
机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
片集成电路。去年，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用(2023-11-23)
研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展(2024-09-20)
厂商芯联集成披露了2024年上半年业绩电话说明会相关内容。会上，芯联集成表示，其将增加氮化镓产品线，来满足新应用的需求。
值得一提的是，英飞凌近日宣布已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。英飞......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
元以上，复合年增长率为17%。
在行业竞争的角度，2020年恩智浦在美国亚利桑那州开设了世界上第一家6英寸碳化硅基氮化镓晶圆厂。这一举措将进一步加速碳化硅基氮化镓从4"到6"的演变。
在代......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
制造能力等方面均处于绝对优势。
我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆。
国际首创！浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆
浙江大学杭州国际科创中心介绍称，使用......
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能(2023-02-15)
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能;
【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访，透露将扩大在日氮化镓晶圆......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
ASML/AIXTRON等明星伙伴加持，英诺赛科为何能进入行业前三？(2022-02-17)
器件量产线。
随后，为了满足快速增长的电力需求，2020年9月，英诺科技在苏州开设了新工厂。
2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓芯片生产线正式量产。
目前，英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆......
吴越半导体完成数亿元A轮融资，深耕氮化镓自支撑衬底技术(2022-02-19)
资本等跟投。据介绍，本轮融资资金将主要用于吴越半导体氮化镓自支撑衬底的研发与扩产。
公开资料显示，吴越半导体成立于2019年3月，是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
引用知情人士的说法指出，三星电子在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。
9月，东科......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
年每年生产2万片4英寸晶圆。Flosfia公司采用喷雾化学气相沉积法已成功制备具有全球最小导通电阻的肖特基二极管，已在日本电装上试用。
美国已基本形成氧化镓......
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体(2023-08-03 15:44)
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
收购GaN Systems将进一步完善其第三代半导体领域的业务版图。资料显示，GaN
Systems成立于2008年，是一家第三代半导体无晶圆设计公司，主营业务是开发基于氮化镓的功率芯片......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-12 11:40)
生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-12)
半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
基于......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术， 推动行业变革(2024-09-11)
生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201(2023-01-11)
研发与制造的IDM企业，拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件，覆盖30V到700V电压范围，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，已经......
英诺赛科推出500W 电机驱动方案，消费、工业双向击破(2024-04-09)
您对我们的电机驱动方案感兴趣，
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。
这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。
今年，Intel在硅和氮化镓......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产(2021-06-08)
行设备搬入仪式，进入量产准备阶段。同年11月通线试产，短短几个月时间，项目进展快速，于近日宣布开启大规模量产。
项目预计2021年实现产能可达6000片/月，全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆......
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线(2024-07-15)
半导体材料外延生长、芯片加工、封装测试等全链条中试平台。平台建成后具备8吋硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力，2-8吋氮化镓基材料外延生长能力，其中晶圆加工产能为8吋5000片/月，材料外延生长总产能为4吋4000片......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超2.5......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-14)
代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项......
Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室(2022-12-02)
Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室;Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室
大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力
加州戈利塔—2022年......
相关企业
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过华上芯片
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;美国Cree封装厂福明光电;;福明光电只封装CREE是中国最大的CREE芯片封装厂
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;深圳市利美德科技有限公司;;深圳市利美德科技有限公司是台湾鼎元LED芯片在中国大陆唯一授权代理商,同时本公司亦代理台湾灿圆芯片.公司目前拥有适应于LED封装所需的全系列芯片,价格适宜,品质
机器人、汽车电子、机顶盒、电子仪表、多媒体影音设备、显示器、快充适配器、安防、医疗、小家电以及广大贸易商等领域。 公司进口国外晶圆芯片，委托专业军工厂进行自主封装生产“ELTOP”品牌桥堆、整流管、肖特
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
提供最适合的半导体解决方案，是您最佳的策略合作伙伴。 公司提供高性价比的电源芯片晶圆。 与市场的电源芯片相比有如下特点： （1）输入脚抗干扰能力强； （2）输入电压最大可达45V； （3）EN脚有