硅和锗二极管的导通电压

场为低得多的漂移区域提供了出色的掺杂和电阻水平。在相同的击穿电压下，漂移区的宽度与击穿电场成反比。 另一个重要参数是漂移区的导通电阻。分析前面的 PN 结二极管示例，我们可以看到导通电...

部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通...

中可以看出，只要加在二极管两端的正向电压大于其导通电压（对于硅二极管来说，此电压约为0.5-0.6v；对于锗二极管来说，此电压约为0.18-0.2v；随型号而异）之后，这个正向电压的微小变化，就会使二极管的...

和快速恢复或开关时间。射频(RF)肖特基二极管的导通电压低。具有30 mV导通电压的二极管在单电源应用中可提供令人满意的结果。 当耦合电容上的负载较高时，如ADA4432-1输入阻抗缓冲器，耦合电容上的平均电压沿正向电压...

=Vbat-Vs,栅极表现为高电平，NMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的DS接入形成回路，若电源接反，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而...

。 但肖特基二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图的测试电路在常温下对型号为SM360A的肖特基二极管进行导通电流与导通...

采用肖特基结构，具备较低的正向导通电压。 4.更好的EMI结果 SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能...

钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin 二极管钳位保护电路 ...

钳位电路应用举例 在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于...

钳位电路应用举例 在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax...

控制着VD1导通或截止。所以，R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。分析这个电路的困难是在VD1导通后，利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析，即二极管的...

MOS 管的导通电阻或者体二极管正向导通产生压降，电池端电压高于负载端。比较器检测到这个压降，驱动MOS 导通，这样负载电流就能经由低阻抗的导通电阻流过。在出...

图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。 Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin 二极管钳位保护电路 ...

区参杂的杂质和发射区相同，但参杂浓度远低于发射区。 下图是示意图 BJT中发射区与基区间的PN结称为发射结，基区与集电区间的PN结称为集电结。 PN结在外加正向电场下是导通的，导通电压硅管大概是0.7左右。这也正是我们用数字万用表测量三极管...

的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。 当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般...

S或S到D都一样的电阻。 在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。 两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管...

这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称，由于存在一个应用场效应管的惯性思维，导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和...

本要求比较严的产品。 缺点： 由于二极管的PN结在导通时，存在一个压降，一般在0.7V以下。这个...

两张图的电路可用于防电源反接，但不防电源倒灌，来分析这个电路： 1、电源从左侧正常输入时： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压...

阻 R7 为晶体管提供正向偏置电压，从而使晶体管导通。当晶体管导通时，可控硅将关闭。 当电池电压下降时，正向偏置电压将降低，晶体管将关闭。当晶体管自动关闭时，二极管 D1 和电阻 R3 将为...

出的交流信号其正半周幅度在某期间很大，见图8-12中的信号波形，由于此时交流信号的正半周幅度加上直流电压已超过二极管VD1、VD2和VD3正向导通的电压值，如果每只二极管的导通电压是0.7V，那么3只二极管的导通电压...

值，如果每只二极管的导通电压是0.7V，那么3只二极管的导通电压是2.1V。由于3只二极管导通后的管压降基本不变，即集  成电路A1的①脚最大为2.1V，所以交流信号正半周超出部分被去掉（限制...

恒流电路 三极管恒流电路 三极管的恒流电路，主要是利用Q2三极管的基级导通电压为0.6~0.7V这个特性；当Q2三极管导通，Q1三极管基级电压被拉低而截止，负载R1...

距离交流峰值之间的 0.6V的压差，是由于 二极管前向导通电压造成的。 ▲ 图1.2.1 半波检波结果▲ 图1.2.2 负载为 10k时对...

路 如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压，则应插入4个分压器 ， 每个分压器由齐纳二极管和恒定电阻组成 。齐纳电压必须大于导通晶体管所需的阈值电压...

互换一下表笔测量，直到找到B极。 如果测量时显示的导通电压为0V，说明三极管内部击穿，已经损坏。 B极找出之后，就可以找C极和E极了，用手捏住B极和假设是C极的电极，然后把表笔放到假设的C极和假设的E极...

整流死区时间 同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。 物理特性的极限使二极管的正向电压...

）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。 （d）是关闭所有晶体管的...

恒流电路 三极管的恒流电路，主要是利用Q2三极管的基级导通电压为0.6~0.7V这个特性；当Q2三极管导通，Q1三极管基级电压被拉低而截止，负载R1不工作；负载R1流过的电流等于R6电阻的电流（忽略Q1与Q2...

稳压特性。 稳压二极管恒流电路 稳压二极管的恒流电路中，三极管Q4的基级电压被限定在稳压二极管工作的稳定电压Uzd下，因此R10电阻的电压等于Uzd减去三极管基级与发射级的导通...

的导通电阻×电流的平方＋关断的MOSFET的寄生二极管的VF×电流。 ● 转换时的损耗 这项有些复杂。 
通常，开关损耗可以通过以下公式来计算。 转换时的损耗=0.5×Ea×I×（tr+tf）×fsw...

-DC的效率。 物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通损耗。 在开关电源系统中，死区时间（Dead Time）是指为了避免两个晶体管开关同时导通...

整流死区时间 同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。 物理特性的极限使二极管的正向电压...

≈VM=7.4V，栅极对地电压≈VM+Vcc=19.4V，电容两端电压=12V，因此高端MOS可以正常导通。 （此时，自举二极管两端的压差=VM，因此在选择二极管时，需要保证二极管的...

持在数据表规定的绝对最大额定值范围内，并且必须符合下列等式： 图18  箝位结构 重布置栅极电阻；双重目的 栅极电阻设置了MOSFET的导通速度和关断速度，限制了在主开关源极的电压负向瞬态时，肖特基二极管的...

放电，此时， VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 （低 端开关关断，高端开关导通）和 IC 电源电压 VDD，被隔 离开...

VF(DIODE) 大于 VBE(on)。Rbias 决定 MOSFET 的导通速度。当理想二极管电路导通时，内部晶体管会由漏极二极管关断，导致 MOSFET 电压下降。Rbias 将栅极拉低并导通...

采用常用的条形形态，这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电，而且即便占用相同的SBD挂载面积，也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。此外，也可针对条形阵列提高通道密度，而且单位面积的导通电阻很低，大约降低了20...

须采用高电阻率的外延层，并且厚度增加。这就是高耐压MOS的导通电阻高的原因。 03 总结三极管和MOS管的...

后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 0.1V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2V...

率。 物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通...

我就自手绘涂抹了一下（兼职美工）。 1、巧妙利用内部（寄生）保护二极管。上电时，VIN上正下负，通过内部保护二极管，Vgs电压大于Vth电压，NMOS管完全导通； 2...

机VCC_mcu。 只有VCC时：通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降 当...

是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。 D9和D10的作用在于防止电压的倒灌，D9可以省略，这里要注意到实际上该电路的DS接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的...

与有源开关换向的桥式拓扑中也能提供更好的性能，特别是对于高频应用。 图 7. 体二极管的反向恢复 自体二极管的导通开关性能，EON(BD) 在桥式拓扑中，体二极管与有源开关换向。在反向恢复期间，电桥短路并产生直通电流Ipeak...

。这种严重失真的电流波形含有大量的谐波成份，引起线路功率因数严重下降。 在正半个周期内（1800），整流二极管的导通角大大的小于1800甚至只有300－700，由于要保证负载功率的要求，在极窄的导通角期间会产生极大的导通电...

利用MOSFET管的导通内阻实现对电感电流的检测。为说明图3中三极管Q2的工作原理，在图4中用二极管D2、D1代替Q2进行说明。 当升压电路工作时，电流检测电路中各点的工作情况如图5所示。 在电...

采用常用的条形形态，这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电，而且即便占用相同的SBD挂载面积，也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。此外，也可针对条形阵列提高通道密度，而且单位面积的导通电...

，再将上桥臂和下桥臂串接起来，如图右侧所示。连接T1、T2的是热敏电阻（温度传感器）。 五、IGBT的检查   1.未触发导通性检查   测量上桥臂IGBT的二极管的导通性（反向不导通），在IGBT...

特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。 ▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同...