资讯
讲透三极管(2024-06-13)
的问题其实并不简单，它涉及到晶体的能级分析能带结构，以及载流子移动的势垒分析等。所以，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结，就可以制成晶体管，晶体......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，
输出随频率连续变化的稳态响应
。
14、本征半导体的载流子......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
由于沟道中的电荷对通过 SB MOSFET
的源极侧的载流子注入的影响而发生的。正如仿真所示，当 V ds增加时，通道中存在的电荷会从平衡值动态减少到与通过 SB MOSFET
源极......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
么会出现这种现象呢？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
器件性能的一个至关重要的因素。衡量有机半导体材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率u,
它直接反映了载流子在电场作用下的运动能力, 因此载流子迁移率的测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容。
我公......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
流的大小决定了器件性能。碲镉汞器件各种暗电流中，扩散电流和产生-复合电流由材料电学性能及复合机制决定，隧道电流与材料缺陷性能有关。扩散电流是PN结空间电荷区两端载流子在电场作用下发生扩散和漂移而形成的电流，是热平衡下由空间电荷区两端少子扩散长度内的载流子......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
尽区电场增加到一定程度，碰撞电离激发出的新电子-空穴对，即“二次载流子”，又可能继续产生新的载流子，这个过程将不断进行下去，称为雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效应导致流出PN结的电流趋于无穷大，则发生了所谓的雪崩击穿，该过......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
从原理到实例：GaN为何值得期待？;功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
近左侧的隔离器），在导通模式下可成为极其出色的导体（Si和SiC的载流子流动性都很高）。
图2. 漂移区更窄是SiC的WBG特性的主要影响，这是导致总Rdson增大的最大因素。
目标......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
的沟道重组将阻止自由电子继续注入漂流区。此时，漂流区载流的浓度很高，所以大量的电子向集电极 P + 区移动，而空穴向 P 区移动。由于电子浓度逐渐拉平，载流子的移动逐步停止，剩余的载流子只能依靠复合来移除。因而 IGBT......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
模式：在图 2(b) 中，将 1 V 的正驱动偏压施加到顶部喷油器 B1-E1。这种偏压注入导致少数载流子的载流子密度增加，然后注入漂移区。结果，由于 N 漂移区中载流子密度的增加，顶部 E1 和底部 E2......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
。
2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用
3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。
主要......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
把它们结合在一起，就形成 PN 结。边界处 N 型半导体的电子自然就会跑去 P 型区填补空穴，留下失去电子而显正电的原子。相应 P 型区边界的原子由于得到......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
热导率有利于大功率器件的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。
主要性能：
极小的反向恢复电荷可降低开关损耗；
出色......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
以找集电极和发射极了。集电区和发射区参杂的杂质虽然是相同的，但参杂的浓度不同，因此两个PN结的导通电压也是不相同的。发射区参杂浓度高，载流子数量也就多，因此发射结的导通电压要大一些;集电区参杂浓度低，载流子......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子......
NTC 热敏电阻阻值和温度的换算(2024-11-12 17:37:00)
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
硅材料特性及优势介绍
碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
图1. 漏极雪崩热载体效应
MOSFET热载流子效应及器件性能监测
今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
【STM32】光敏传感器示例(2022-12-09)
将这些非电量转换为光信号的变化即可。
探索者 STM32F4 开发板板载了一个光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
的形式制造，才能进一步谈及替代无处不在的硅，直到最近，麻省理工学院团队首次透过实验验证立方砷化硼材料在室温下的高载流子迁移率。
虽然科学家证明了立方砷化硼出色的热性能和电性能，看起来几乎是理想的半导体......
oled和led的区别(2023-03-21)
是LED电视，是利用固体半导体芯片作为发光材料的。当这种发光材料的两端加上正电压，半导体中的载流子发生负荷引起光子发射而产生了光。这就是比较传统的液晶电视的工作原理。
OLED工作......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。
背照......
浅析阻式旋转变压器的基本工作原理(2023-09-12)
电的基本关系
1).安培定则(“电生磁”) :螺旋管载有电流，产生磁场。
图1.
2).法拉第电磁感应定律（“磁生电”）：磁通量的变化产生感应电动势。
图2.
2. 磁阻效应
“金属或半导体的载流子......
怎么样的PCB才能承受住100 A的电流？(2024-11-09 18:33:37)
随着宽度的增加，PCB载流能力并不是严格按照线性增加，而是增加幅度慢慢减小，这也是和实际工程里的情况一致。如果提高温升，导线的载流能力也能够得到......
揭秘电动汽车IGBT芯片键合线(2024-08-02)
出动力的来源）、控制器总成（基于功率半导体的硬件及软件设计，对驱动电机的工作状态进行实时控制，并持续丰富其他控制功能）、传动总成（通过齿轮组降低输出转速提高输出扭矩，以保证电驱动系统持续运行在高效区间）。
图：电驱......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
承载更高的能量密度，可靠性更高；较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的是深耕第三代半导体......
SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起(2023-01-08)
是最大的商机。2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体承担着重要角色。
国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET发布......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
降低了工艺难度且避免了器件的退化。同时，两种材料的载流子迁移率接近，器件性能完美匹配，使异质CFET的性能优于传统硅基及其他材料。例如其反相器增益在3V供电时高达142.3V/V，在超低压供电0.1V时其......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
可重构晶体管登场，可用于构建有编程功能的芯片电路(2024-03-29)
于构建具有可随时编程功能的电路。本文引用地址：一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管，但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。
传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤，就是为纯的本质半导体引入杂质，从而......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
中国团队突破钙钛矿太阳电池寿命难题(2023-11-08)
酰基）吡咯（PSP）作为添加剂均匀化钙钛矿薄膜相分布，获得了 26.1% 的光电转换效率（PCE）。相关成果发表于《自然》（nature）杂志上。
据介绍，钙钛矿太阳电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体......
技术分享｜半导体激光器为什么需要窄线宽？(2024-03-07)
技术分享｜半导体激光器为什么需要窄线宽？;为什么需要窄？本文引用地址：目前，随着网络流量的需求爆发式增长，光纤通信传输速率得到大幅提升，其中一种提升传输速率的方式就是通过更高更复杂的调制格式，这对......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
型硅-n型二硫化钼的异质互补CFET结构。二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容，大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。同时，两种材料的载流子迁移率接近，器件性能完美匹配，使异......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
应管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体的......
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;深圳市众金盛有限公司;;众金盛是一家专业代理国际品牌电子元器件的独立分销商。秉持专业的经营能力和卓越团队，积极为企业提供优质半导体产品和技术服务。
法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此
;淄博晨启电子;;淄博晨启半导体是高品质半导体分离器件，特别是保护器件的供应商。采用国内研究所多年的技术积累，结合具有国际企业背景的人才，晨启半导体已经可以提供全系列的大功率TVS浪涌保护器件,根据
;广州市友冠微电子有限公司;;我公司是一家最具领导地位的优质半导体电子零件产品代理商.并以极具竞争力的价格提供优质产品和专业服务.在中国大陆具有完善的营销网络,是您推广产品之首选合作伙伴.
;臻芯好科技香港有限公司;;臻芯好科技香港有限公司始终如一地致力于为中国电子科技产业的发展提供值得信赖的优质半导体产品。公司秉持着“诚信”、“专业”、“坚持”的经营理念，凭借
;芯导电子;;芯导电子（Prisemi Electronics）是电子产品的优质半导体供应商。公司产品系列有电源控制、逻辑、分立及定制器件和电路，主要包括: TVS（低压低容,大功率,小封装,ESD
;叶伟;;博康达科技有限公司是一家专业的嵌入式技术解决方案提供商，同时专业代理分销国际品牌电子元器件。秉持专业的经营能力和卓越团队，积极为企业提供优质半导体产品和技术服务。 博康达主要代理分销ST
;深圳市华谊佳科技有限公司;;深圳市华谊佳科技有限公司创立于2008年，历经十年，始终如一地致力于为中国电子科技产业的发展提供值得信赖的优质半导体产品。十年磨一剑，随着业务不断发展，行业
销往深圳之外的广东地区及全国其他城市；产品主要应用于激光水平仪 激光扫描仪，激光指示器等各类电动工具以及医疗之应用产品。公司自创办以来，以优良的产品质量 合理的价格 及人性化的服务，得到了客户的肯定；为了适应激光半导体的