东方卫视相关报道视频截图

上海瞻芯电子也成为国内首家掌握6英寸SiC MOSFET工艺以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。

据报道，这款国产6英寸SiC MOSFET晶圆产品将主要应用于新能源车、光伏发电等产业。据上海瞻芯电子相关人员介绍，新能源汽车如果采用SiC MOSFET作为电驱动，续航里程可以有5%-10%的提升。此外，应用了SiC 工艺器件的光伏逆变器，效率也可以获得非常大的提升，同时能耗还能降低50%。

SiC MOSFET是SiC功率器件的一种，它具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性，是300V以下功率器件的首选。相较于Si IGBT，SiC MOSFET能够承受相当高的阻断电压，此外，IGBT是双极型器件，在关断时存在拖尾电流，造成比较大的关断损耗，而SiC MOSFET是单极器件，不存在IGBT的拖尾电流问题。

SiC MOSFET具有如此多的优势，主要有赖于第三代半导体材料之一——SiC的助力。

第三代半导体材料之一

SiC的前世今生

SiC材料被发现并应用于工业生产已有百余年的历史，而研究将其应用于功率电子领域则只有一二十年的历史。目前，现代电子技术对半导体材料提出了高温、高功率、高压、高频等‘高’要求，而以硅（Si）为代表的第一代半导体材料的制备和工艺已臻于完美，硅基器件的设计开发经过了多次优化，正逐渐接近硅材料的极限。而相较于传统的Si材料，SiC材料拥有耐高温、耐高压性质，从而能获得更高的功率密度和能源效率。此外，SiC还拥有较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，所以它是制造功率器件的理想选择。

虽然SiC MOSFET拥有诸多优势，但目前其在制作工艺上还面临着一些挑战，如欧姆接触制作以及耐温配套材料，以及其对掺杂工艺也有特殊需求。目前SiC的工艺技术还主要掌握在国外产商的手里，如德国英飞凌（Infineon）、日本罗姆（ROHM）以及美国科锐（Cree）等。