资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。
MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。
MOS管图形符号
增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
适合的MOSFET可降低开关损耗，提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性，为汽车LED驱动提供解决方案。
MOS管在......
PLC指令的基本类型 PLC指令如何输入(2023-06-21)
PLC指令的基本类型 PLC指令如何输入; PLC指令是可编程逻辑控制器（PLC）的指令集，也称为PLC编程指令。这些指令是用于编写和控制PLC程序的基本构建块，它们包括输入和输出指令、逻辑......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
H桥电机驱动解析;一、简介本文引用地址：之前介绍过的基本原理，但是以集成的电机驱动芯片为示例。这些集成的芯片使用起来比较简单，但是只能适用于一些小电流电机，对于大电流的电机(比如：RS380和......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
可为
空穴（P）
半导体和
电子（N）
半导体两大类。
11、二极管的......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
：
在电气行业中，所涉及的电路类型很多，包括数字电路，模拟电路，MOS电路等，每个电路都有它们的特点和意义。放大......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
特点就是高耐压、大通路电流、低导通阻抗、不消耗驱动电流，非常适合大功率驱动场景。
如下图是IGBT构造示意图，相当于在MOS管的基础上再叠加一个三极管。通过PNP......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
BUCK-BOOST
型基本拓扑简化工作原理图
BUCK-BOOST
电路分析方法和上面两种类型的基本拓扑分析方法相同，当......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
、MOS管的构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
最大电流不应低于 MOS管的最大漏极电流。
正向偏置肖特基二极管的电压降（0.15-0.45V）低于硅类型二极管（0.6-1.7V），因此......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
信息产业商会”、“广东连接器协会”会员。
一次机缘，宋仕强与正在研发第三代半导体碳化硅MOS管的LE 韩国延世大学功率器件研发团队相识，并随后成立深圳市萨科微半导体有限公司，注册了“SLKOR”商标，专业推广销售LE......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
芯片图如果在200um的芯片上做一个垂直切割，可以得到如图8所示的内部结构，它是由不同掺杂的P型或N型半导体组合而成。图 8 是众所周知的 IGBT 等效电路，通常将其理解为 MOS 控制的 PNP......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
1931年:《电子半导体理论》出版
艾伦·威尔逊（Alan Wilson）用量子力学来解释半导体的基本特性。七年后，鲍里斯•达维多夫(苏联)、内维......
单相交流电机工作原理图(2023-07-31)
些设备在几千瓦范围内制造，以满足各种应用的要求，例如吊扇、食品搅拌机、冰箱、真空吸尘器、便携式电钻、吹风机等。下文将简要讨论各种类型的单相感应电机。根据启动方式，单相异步电动机基本类型分别为：分相电机、电容......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
电动车窗开关中MOS管的应用解析;随着科技的不断发展，电动车窗系统已经成为现代汽车中不可或缺的一部分。而MOS（金属氧化物半导体）管的应用，为电动车窗开关注入了新的活力，极大......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
一种方案不足时，关闭时直接把GS短路
米勒振荡还有可能是MOS源极对地寄生电感偏大，在MOS进入开启状态从二极管换流至MOS的瞬态电流在MOS源极对地的寄生电感上产生一个压降，所以在PCB布板的要遵守开关电源布板的基本......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源：内容来自半导体科技评论 ，作者温德通 ，谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
MOS管的三个极怎么判定？;相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解，下面一起看看究竟是什么。本文引用地址：
1. MOS的三个极怎么判定？
符号上的三个脚，辨认......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
、源极
三极管的原理就是闸极的电压只要稍稍变大，输出端（源极）就会有很大的增加，而闸极只要没有输入，输出端也应该马上停止输出。
平面型MOS晶体管的通道问题
▲改良型MOS半导体结构
上图......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
超过铝元素的3。这就是为什么锂电池如此受欢迎的原因理论解释。
锂电池的充电电路
在了解完锂电池的基本电路特性后，咱们在开发带有锂电池供电的项目时，就会面临锂电池的充电电路问题。
锂电池的电压为3.0V......
汽车电源线上的脉冲干扰，PMOS防反保护电路的缺点(2023-09-12)
须满足行业测试标准。
防反保护电路
防反保护电路包括三种基本类型，如下所述。
串联肖特基二极管
这种电路通常用于 2A 至 3A 之间的小电流应用，其电路简单且成本低，但功耗较大。
在高边串联PMOS
对于电流超过 3A......
MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
计中需要类似的功率器件。在这期间，随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及，车用功率MOSFET也不断发展壮大。
汽车电子
在汽车电子领域，MOS管的应用是非常普遍的。其中大部分是用作开关管的，从电源到各类型......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
更先进的工艺除了成本和良率的好处之外还有哪些方面的优势呢？一个MOS管的基本结构如下：
每一代新工艺节点，晶体管的沟道长度L变小。沟道长度变小后，晶体管有更快的反应速度，更低的控制电压。
1）更快的频率 随着......
电动车市场爆发，中国SiC功率半导体准备好了吗？(2023-11-07)
发失效率远高于同规格的硅基MOSFET，而栅氧是导致碳化硅失效一个特别重要也特别常见的失效现象，主要失效类型包括低势垒导致的隧穿加剧、陷阱造成的TAT的加剧以及工艺制程中带来的外部缺陷。
因此，SiC......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%(2022-10-12)
缘栅双极型晶体管（IGBT）。
在2019年下半年进口IGBT就出现缺货现象，MOSFET也在2020年初伴随着新冠肺炎暴发进入缺货周期。
自2021年以来，功率晶体管的价格一路走高，国内功率半导体厂商士兰微发布包括......
一文看懂2022年半导体foundry厂发展现状(2022-06-20)
家机构最近公布的数据，来看看半导体制造（包括下属foundry）市场当前的发展情况。这对于我们理解整个行业未来的走势会有帮助。
来源：SEMI
制造设备投入还在涨，台湾仍居首
还是从半导体......
第8章 单片机系统扩展设计(2024-08-09)
单片机和不同存储器芯片的时序，来完成硬件连接和软件编程。
存储器的基本操作控制包括片选控制和读写操作控制。
存储器片选控制
串行接口扩展时，通常采用I/O口来选择相应的存储器，地址信息包含在串行协议中。
采用......
GPIO输入输出各种模式（推挽、开漏、准双向端口(2024-12-19 14:43:04)
需要介绍一些开漏输出和开集输出。这两种输出的原理和特性基本是类似的，区别在于一个是使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极；另一个使用三极管，其中的"集"指的就是MOS三极管的集电极。这两......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）;阅读提示本文引用地址：本文5000多字，细致阅读大约需要30分钟
关键词
过压保护 阈值 MOSFET 降额系数
设计背景
几乎所有的电子元器件，特别是半导体......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！;
随着半导体......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
，包括一系列新型N通道（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。
Farnell及e络盟高级供应商客户经理IbtissameKrumm表示：“全球功率半导体......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
额外的电荷泵升压；
2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻上的参数也逐渐好转，使得PMOS在电流不是特别大、对压降不是特别敏感的高侧开关场合，拓宽......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
工作频率。
4、碳化硅MOS管的应用
碳化硅MOSFET组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势，可以......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS(2023-11-02)
我们将陆续提供1200V、1700V碳化硅系列MOS。随着国产汽车的进步和产销量的进一步提高，为我们这些半导体器件厂家提供了更广阔的前景。
......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
（ Intergrated Gate Commutated Thyristors）
IGCT 是在晶闸管技术的基础上结合 IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
-150V的低压产品。
Farnell及e络盟高级供应商客户经理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半导体市场正在迅速扩张。尽管这段时间以来，汽车应用对功率半导体的需求一直是人们的热点话题。但它......
电源管理芯片究竟管理些什么，又是怎么管的？(2023-07-31)
是因为大量集成电路进入电源领域，大家普遍将电源技术统称为“电源管理”。
电源管理半导体从所包含的器件来说，明确强调电源管理集成电路（也称电源管理IC）的位置和作用。电源管理半导体包括两部分，即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
开启电压。
限流电阻R2
R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择，MOS管的限流电阻通常可以在几十Ω级别，三极管的......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线;三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
源变换与传输的核心器件
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效晶体管的......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而......
理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用(2024-11-03 23:04:17)
是类似的，区别如下：
开漏使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极
开集......
相关企业
;凯晶半导体有限公司;;凯晶半导体有限公司成立于2009年3月。公司总部设立在台湾，主要从事场效应管的研发和设计，产品涵盖低压MOS的各种型号和封装。
激光发射器（激光器模块Laser Module），各种准直激光光源、激光器驱动电路、激光器专用电源等。半导体激光发射器的类型包括：点光源激光器（点状圆型光斑）、线光源激光器（线型光斑）、十字光源激光器（十字
器模块Laser Module），各种准直激光光源、激光器驱动电路、激光器专用电源等。半导体激光发射器的类型包括：点光源激光器（点状圆型光斑）、线光源激光器（线型光斑）、十字光源激光器（十字
基地位于美丽的海滨城市―中国广东省汕尾市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的上市公司。 LCD厂房面积84万平方米（包括4条LCD生产线、1条OLED生产线、1条触
广东省汕尾市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的上市公司。LCD厂房面积10万平方米（包括4条LCD生产线、1条OLED生产线、1条触摸屏生产线和多条COG
;深圳钛铱电通电子有限公司;;台湾友顺代理（UTC）／IC代理―深圳市钛铱电通电子有限公司 台湾友顺公司简介 台湾友顺半导体股份有限公司（UTC），成立于1990年7月，是一
;青岛东都科贸有限公司;;代理品牌有：VISHAY,TEDEA,CELTRON,HBM,AMCELLS,LEBOW,DACELL,SSI,MSI,CELESCO,NOVO,GEFRAN。产品类型包括
基地位于美丽的海滨城市―中国广东省汕尾市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的上市公司。 LCD厂房面积10万平方米（包括4条LCD生产线、1条OLED生产线、1条触
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总部设在香港，生产基地位于美丽的海滨城市―中国广东省汕尾市。在国内有70％的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的上市公司。 LCD厂房面积10万平方米（包括4条LCD生产线、1