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森海塞尔TC Bars已通过Microsoft Teams认证(2024-07-03)
森海塞尔TC Bars已通过Microsoft Teams认证;即用型会议设备可无缝集成至Microsoft Teams Rooms，增强会议体验
韦德马克，2024年7月2日——今日，森海......
森海塞尔TC Bars已通过Microsoft Teams认证(2024-07-04 09:10)
森海塞尔TC Bars已通过Microsoft Teams认证;即用型会议设备可无缝集成至Microsoft Teams Rooms，增强会议体验今日，森海塞尔宣布其TC Bars智能......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
值）- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC......
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务(2024-04-19)
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务;4 月 19 日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于 HBM 内存方面的采访，采访......
STM32 UART2发送后中断的原因是什么？(2024-04-30)
STM32 UART2发送后中断的原因是什么？;SECTION 2
先说TC。即Transmission Complete。发送一个字节后才进入中断，这里称为“发送后中断”。和原来8051的TI方式......
STM32的USART发送数据时如何使用TXE和TC标志呢？(2024-09-04)
STM32的USART发送数据时如何使用TXE和TC标志呢？;USART 是 STM32 中非常重要的外设之一，用于串行通信，其中包括串口通信（RS232、RS485）、SPI 和 I2C 等多......
三星向子公司Semes订购数十台TC键合机，提升HBM和DDR5产能(2024-01-10)
三星向子公司Semes订购数十台TC键合机，提升HBM和DDR5产能;据外媒《THE ELEC》报道，三星已从子公司Semes订购了数十台热压（TC）键合机。由于TC键合机用于堆叠DRAM，并且......
FHF20T60A型号IGBT适用于伺服电机驱动器(2023-11-02)
伺服电机驱动器开发工程师一定要了解这款优质FHF20T60A国产IGBT单管的详细参数：其具有20A, 600V, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V；IF（A）(Tc=25......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
, 600V, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V；IF（A）(Tc=25℃)：20A；IF（A）(Tc=100℃)：10A......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V；IF（A）(Tc=25℃)：20A；IF（A）(Tc=100℃)：10A......
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备(2024-06-28)
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备;据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方......
stm32串口字节丢失怎么办？(2023-09-19)
, USART_FLAG_TC) == RESET);
4、猜测，也许是因为某个特殊原因，使第二个数据覆盖了首个数据，使得首个数据丢失。假设：在执行B指令时，USART的 TC 状态位==SET，那么就会紧接着执行C指令......
STM32单片机串口通讯故障排除处理过程(2023-10-25)
， USART_FLAG_TC） == RESET）;
4、猜测，也许是因为某个特殊原因，使第二个数据覆盖了首个数据，使得首个数据丢失。假设：在执行B指令时，USART的 TC 状态位==SET，那么......
尼得科精密检测科技推出半导体测温探针卡及支持高电压的加压结构探针卡(2024-12-16 10:12)
体设备温度测量探针卡“TC（热电偶）探针卡”、②可支持高电压的探针卡“加压结构探针卡”。近年来，电动汽车（EV）和工业设备等领域使用的功率半导体需求不断增加，对高电压、大电流功率半导体的检测、特别......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
-低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE＝0V）
主要规格：
注：
[1......
欧姆龙推出温控单元NX-TC，为解决食品、汽车行业课题贡献力量(2023-07-09)
欧姆龙推出温控单元NX-TC，为解决食品、汽车行业课题贡献力量;
【导读】面对劳动力短缺和产品制造日渐复杂化的课题，半导体、食品、汽车......
恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术，进一步缩小5G无线产品尺寸(2023-06-09)
率和宽带性能，能够在400MHz瞬时带宽下提供31 dB的增益和46%的效率。
A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF参考......
三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术(2024-03-05)
三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术;
【导读】三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物......
MAXREFDES1154：4通道通用温度测量(TC&RTD)方案(2024-07-01)
MAXREFDES1154：4通道通用温度测量(TC&RTD)方案;通用模拟输入是工厂自动化普遍使用的单元电路，灵活测量模拟电压/电流信号以及RTD、TC成为组装过程中不可或缺的功能。工业4.0在工......
双电机耦合驱动系统及其多模式驱动特性(2023-06-28)
）、电机M2单独驱动模式（定义为SM2）、双电机转矩耦合模式（定义为TC）、双电机转速耦合模式（定义为SC）以及再生制动模式。由于本文重点研究的是驱动系统的驱动性能，故在此暂不考虑再生制动的控制。本文......
新型双电机耦合驱动系统及其多模式驱动特性(2023-10-30)
）、电机M2单独驱动模式（定义为SM2）、双电机转矩耦合模式（定义为TC）、双电机转速耦合模式（定义为SC）以及再生制动模式。由于本文重点研究的是驱动系统的驱动性能，故在此暂不考虑再生制动的控制。本文......
恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术，进一步缩小5G无线产品尺寸(2023-06-09 10:26)
瞬时带宽下提供31 dB的增益和46%的效率。 A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF参考板系列将为A5M36TG140-TC......
恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术，进一步缩小5G无线产品尺寸(2023-06-09)
瞬时带宽下提供31 dB的增益和46%的效率。
A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF参考板系列将为A5M36TG140-TC......
OCR电动机保护器过电流值为什么最大只能设置到10A?(2024-09-26)
产品的可设置参数中，有一项是选择定/反时限时间特性的参数“tc”，其中定时限时间特性选择（de），OC可设置范围0.5-60A。反时限时间特性选择（In）,OC可设置范围0.5-10A。
只有......
西门子S7-200 SMART系列PLC接线汇总整理(2023-09-19)
交流感性负载的继电器输出的典型抑制电路见表2所示：
二.S7-200 SMART 模拟量模块接线图
1.普通模拟量模块接线
模拟量类型的模块有三种：普通模拟量模块、RTD模块和TC模块。普通......
西门子S7-200 SMART 模拟量模块PLC接线图汇总(2023-12-27)
：
开关交流感性负载的继电器输出的典型抑制电路见表2所示：
二.S7-200 SMART 模拟量模块接线图
1.普通模拟量模块接线
模拟量类型的模块有三种：普通模拟量模块、RTD模块和TC模块。普通......
MOS管热阻的测量方法(2023-04-06)
是为了保证静态无风状态。加热后，使其内部达到热平衡。即Tj=Tc。这个温度（T1）不能过低，因为温度过低，结温和壳温不可能相同。
电路中使用的电阻R为2KΩ，缓慢调节电源电压U至20.7V时（二极管通态压降为0.6-0.8......
室内定位成为蓝海，TC-OFDM是否仍有机会？(2017-05-16)
室内定位成为蓝海，TC-OFDM是否仍有机会？;
人工智能、位置感知、大数据、智能制造、工业4.0、创新2.0、智慧城市……这些热词被不断提起，并且似乎都和物联网有着千丝万缕的联系。一个......
BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管(2024-07-30)
、FHF20T60A单管具备高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性
2、具有20A, 600V, VCEsat典型值：1.49V-typ ，＜1.7V；ID (Tc=100℃)：20A；BVCES：600V......
Vishay推出模压封装高压片式电阻分压器，减少元件数量，提高TC跟踪性能(2021-10-18)
Vishay推出模压封装高压片式电阻分压器，减少元件数量，提高TC跟踪性能;日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出......
。随后发布的PEF2x628E(Socrates-e)系列，可满足EFM/ATM/HDLC的要求。该系列产品添加了相关的TC层功能，以支持第一英里(EFM)、ATM-TC、HDLC-TC和TDM/EFM......
又一存储大厂DRAM考虑采用MUF技术(2024-03-04)
技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。
据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的......
又一存储大厂DRAM考虑采用MUF技术(2024-03-04)
TC NCF 相较其传输量有所提升。本文引用地址：据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的......
SK海力士的信心：“我们的HBM比竞争对手更强”(2024-06-11)
底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。
SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果......
左蓝微电子亮相深圳国际电子展 专注中高端射频滤波器(2023-08-29)
场观众进行深入的产品和交流。
展会现场及观众交流
专注中高端射频前端器件 多款产品亮相展会
左蓝微电子始终专注中高端射频前端器件研发，本次展会中展示了TX/RX SAW滤波器系列、TC-SAW系列、PESAW系列......
左蓝微电子亮相深圳国际电子展 专注中高端射频滤波器(2023-08-30 10:28)
现场及观众交流
专注中高端射频前端器件 多款产品亮相展会左蓝微电子始终专注中高端射频前端器件研发，本次展会中展示了TX/RX SAW滤波器系列、TC-SAW系列、PESAW系列、PEBAW系列、射频......
大功率器件的散热设计(2023-02-09)
对一些常用热参数逐一说明：
TDP—器件热耗散功耗，单位W（瓦），表示器件实际发热量的大小
Tc–器件壳体温度，单位℃
Tj–结点温度，单位℃。随着结点温度的提高，半导体器件性能将会下降。结点......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
受到导通阻抗、封装和内部连线等的制约
TC =25℃ (假定......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
%以上先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
%以上先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
化硅肖特基二极管B2D40120HC1为例，其优势特征如下：
1、规格为40A/1200V的碳化硅肖特基二极管，采用TO-247-3封装，在Tc=150℃时其额定电流为40A。
2、可忽......
三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存(2024-03-04 14:35)
MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS......
三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存(2024-03-04)
(3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。
经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM......
PL4084H SOT23-5/6 线性锂电池充电管理芯片(2023-02-07)
(TC)、恒流 (CC) 和恒压 (CV) 四种充 电过程：短路充电(SC)可对 0V 的电池充电；涓流充电(TC)可预充电恢复完全 放电的电池；恒流 充电(CC) 可快速的对电池充满；恒压充电(CV......
西门子S7-200 SMART模拟量模块编程(2024-01-24)
西门子S7-200 SMART模拟量模块编程;一．模拟量模块接线
1.普通模拟量模块接线
模拟量类型的模块有三种：普通模拟量模块、RTD模块和TC模块。普通模拟量模块可以采集标准电流和电压信号。其中......
如何在STM32中得到最佳的ADC精度(2023-07-20)
会产生压降。内部采样电容CADC的充电由阻容网络中的开关和RADC控制。
显然，对CADC有效的充电由【RADC +RAIN】控制，充电时间常数是tc = (RADC + RAIN) ×CADC。不难......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
和内部连线等的制约
TC =25℃ (假定......
春风极核AE8电机控制器拆解分析(2024-03-25)
100V产品为例，对比普通沟槽型MOSFET产品，Super Trench技术将器件175度下的导通电阻倍增因子（Rdson@Tc=175℃/Rdson@Tc=25℃）由原有的2.29降低为2.09，从而......
相关企业
-697A,SLD-5600, SLD-5700 QUICK焊接工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC
工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC-2,TC-3,TC-4,TC-5,TC-6,TC-7,TC-8,TC-9,TC-10,TC-11,TC-12,TC-13 仪器
工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC-2,TC-3,TC-4,TC-5,TC-6,TC-7,TC-8,TC-9,TC-10
工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC-2,TC-3,TC-4,TC-5,TC-6,TC-7,TC-8,TC-9,TC-10,TC-11,TC-12,TC-13
工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC-2,TC-3,TC-4,TC-5,TC-6,TC-7,TC-8,TC-9,TC-10,TC-11,TC-12,TC-13 仪器
工具及防静电QUICK963,969,376,373,191,192,850,498,499,492,494,982 仪器推车TC-1,TC-2,TC-3,TC-4,TC-5,TC-6,TC-7,TC-8,TC-9,TC-10,TC-11,TC-12,TC-13 仪器
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;tc科技;;
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;TC Lawson Marketing Limited;;